[發明專利]基板處理裝置

有效

• 申請號: 202110407441.3
• 申請日: 2021-04-15
• 公開（公告）號: CN113522883B
• 公開（公告）日: 2023-05-16
• 發明（設計）人: 松嶋大輔;出村健介;中村聰;神谷將也;中村美波
• 申請（專利權）人: 芝浦機械電子株式會社
• 主分類號: B08B7/00
• 分類號: B08B7/00;H01L21/67
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 李雪春;閻文君

本發明提供一種基板處理裝置，其能夠抑制靜電產生，且能夠提高污染物的除去率。實施方式所涉及的基板處理裝置具備：放置臺，能夠使基板進行旋轉；冷卻部，能夠向所述放置臺與所述基板之間的空間供給冷卻氣體；第1液體供給部，能夠向所述基板的所述放置臺側的相反面供給第1液體；第2液體供給部，能夠向所述基板的所述面供給導電率高于所述第1液體的第2液體；及控制部，對所述基板的旋轉、所述冷卻氣體的供給、所述第1液體的供給、所述第2液體的供給進行控制。

技術領域

本發明的實施方式涉及一種基板處理裝置。

背景技術

作為除去附著于壓印用模板、光刻用掩模、半導體晶片等基板的表面的顆粒等污染物的方法，提出了凍結清洗法。

凍結清洗法中，例如當作為清洗中使用的液體而使用純水時，首先，向進行旋轉的基板的表面供給純水和冷卻氣體。接下來，停止純水的供給，排出被供給的純水的一部分而在基板的表面上形成水膜。水膜因供向基板的冷卻氣體而被凍結。當水膜發生凍結而形成冰膜時，顆粒等污染物因進入冰膜而從基板的表面分離。接下來，向冰膜供給純水而溶化冰膜，與純水一起從基板的表面除去污染物。由此，提高污染物的除去率。

在此，純水的導電率較低。因此，在向進行旋轉的基板的表面供給純水時容易產生靜電。另一方面，在基板的表面上，有時會形成有具有導電性的圖案或對具有導電性的圖案進行絕緣的要素等。因此，因產生的靜電而有可能發生絕緣破壞等。另外，因起因于靜電的化學反應而也有可能基板的表面或圖案發生損傷。

于是，希望開發出一種基板處理裝置，其能夠抑制靜電產生，且能夠提高污染物的除去率。

專利文獻

專利文獻1：日本國特開2018-026436號公報

發明內容

本發明所要解決的技術問題是提供一種基板處理裝置，其能夠抑制靜電產生，且能夠提高污染物的除去率。

實施方式所涉及的基板處理裝置具備：放置臺，能夠使基板進行旋轉，所述基板具有第1面和與所述第1面相反的第2面；冷卻部，能夠向所述放置臺與所述基板之間的空間供給冷卻氣體；第1液體供給部，能夠向所述基板的所述放置臺側的所述第1面相反的所述第2面供給第1液體；第2液體供給部，能夠向所述基板的所述第2面供給導電率高于所述第1液體的第2液體；及控制部，對所述基板的旋轉、所述冷卻氣體的供給、所述第1液體的供給、所述第2液體的供給進行控制，其特征為，所述控制部對所述冷卻氣體的供給、所述第1液體的供給、所述第2液體的供給進行控制，由此執行：準備工序，向所述基板的所述第2面供給所述第2液體，向所述放置臺與所述基板之間的空間供給所述冷卻氣體；液膜形成工序，在所述準備工序之后，向所述基板的所述第2面供給所述第1液體來形成液膜；過冷卻工序，使位于所述基板的所述第2面的所述液膜處于過冷卻狀態；及凍結工序，使位于所述基板的所述第2面的所述液膜的至少一部分發生凍結，所述基板處理裝置的特征在于，所述控制部在所述液膜形成工序中，使所述基板進行旋轉而排出供向所述基板的所述第2面的所述第2液體的至少一部分，向所述第2液體已被排出的所述基板的所述第2面供給所述第1液體。

根據本發明的實施方式，提供一種基板處理裝置，其能夠抑制靜電產生，且能夠提高污染物的除去率。

附圖說明

圖1是用于例示本實施方式所涉及的基板處理裝置的模式圖。

圖2是用于例示本實施方式所涉及的基板處理裝置的控制部的模式圖。

圖3是用于例示基板處理裝置的作用的時間圖。

圖4是用于例示在凍結清洗工序中供向基板的液體的溫度變化的曲線圖。

圖5是在實施多次凍結清洗工序時的流程圖。

圖6是說明在實施多次凍結清洗工序時的控制部的動作的流程圖。