[發明專利]提高晶片拋光厚度均勻性的方法

有效

• 申請號: 202110406099.5
• 申請日: 2021-04-15
• 公開（公告）號: CN113290426B
• 公開（公告）日: 2022-10-21
• 發明（設計）人: 徐良;曹力力;占俊杰;邢曉鵬;藍文安;劉建哲;余雅俊;夏建白;李京波;黃仕華;孟秀清;劉圣龍
• 申請（專利權）人: 金華博藍特新材料有限公司
• 主分類號: B24B1/00
• 分類號: B24B1/00;B24B49/04;H01L21/02;H01L21/66
• 代理公司: 北京辰權知識產權代理有限公司 11619
• 代理人: 王志紅

本發明涉及半導體生產加工領域，具體公開了一種提高晶片拋光厚度均勻性的方法，包括以下步驟：使用拋光頭對多個呈環形排布的測試晶片進行拋光處理，得到拋光后的測試晶片；獲取拋光后每個測試晶片不同位置的厚度數據；根據所述厚度數據確定所述拋光頭不同位置的壓力值；根據所述拋光頭不同位置的壓力值確定校正墊板的形狀；將確定的校正墊板放置在所述拋光頭與拋光盤之間；對拋光盤上的待處理晶片進行拋光處理。根據測試晶片不同位置的厚度數據確定拋光頭不同位置的壓力分布，進而確定校正墊板的形狀，通過校正墊板的加入來調節拋光頭的壓力均勻性。

技術領域

本發明涉及半導體生產加工領域，具體公開了一種提高晶片拋光厚度均勻性的方法。

背景技術

在半導體材料生產加工領域中，晶片加工的厚度均勻性是衡量晶片加工質量的重要參數，厚度均勻性會直接影響到晶片后續的外延使用和器件的質量。其中，拋光工序作為半導體晶片材料加工的最后一個環節，其拋光厚度均勻性會直接影響到晶片產品最終是否能夠達到出貨標準。因此，拋光過程中必須嚴格控制好各種參數，保證最終的拋光質量。而在實際生產中，由于化拋機拋光頭的長期使用磨損或拋光頭自身精度等問題，在生產時往往會造成拋光頭壓力不均勻，進而造成拋光出來的晶片整盤厚度偏差較大或單片內TV3(單片內三點的厚度變化)太大，嚴重影響最終的產品出貨。因此，如何解決拋光頭壓力不均造成的晶片拋光厚度均勻性問題，成為目前亟需解決的問題。

發明內容

本發明旨在至少在一定程度上解決相關技術中的上述技術問題。為此，本發明提出一種提高晶片拋光厚度均勻性的方法，解決上述至少一個技術問題。

為了實現上述目的，本發明第一方面提供了一種提高晶片拋光厚度均勻性的方法，包括以下步驟：

使用拋光頭對多個呈環形排布的測試晶片進行拋光處理，得到拋光后的測試晶片；

獲取拋光后每個測試晶片不同位置的厚度數據；

根據所述厚度數據確定所述拋光頭不同位置的壓力值；

根據所述拋光頭不同位置的壓力值確定校正墊板的形狀；

將確定的校正墊板放置在所述拋光頭與拋光盤之間；

對拋光盤上的待處理晶片進行拋光處理。

另外，本發明的提高晶片拋光厚度均勻性的方法還可以具有如下附加的技術特征：

根據本發明的一些實施例，所述拋光頭的不同點為所述測試晶片上的第一個點、第二個點以及第三個點。

根據本發明的一些實施例，所述第一個點、第二個點以及第三個點位于同一條線段上，且所述線段與所述測試晶片的直徑所在的線段重合。

根據本發明的一些實施例，相鄰的兩個點之間的距離相等。

根據本發明的一些實施例，所述第一個點位于第三個點的內側，所述第二個點位于第一個點、第三個點的中間，且所述第二個點為所述測試晶片的圓心所在之處。

根據本發明的一些實施例，若所有測試晶片上的所述第一個點、所述第二個點、所述第三個點的厚度數據依次增加，則確定所述拋光頭的中心壓力值大于所述拋光頭的四周壓力值；

根據所述拋光頭的中心壓力值大于所述拋光頭的四周壓力值，確定所述校正墊板的形狀為環形。

根據本發明的一些實施例，若所有測試晶片上的所述第三個點、所述第二個點、所述第一個點的厚度數據依次增大，則確定所述拋光頭的中心壓力值小于所述拋光頭的四周壓力值；

根據所述拋光頭的中心壓力值小于所述拋光頭的四周壓力值，確定所述校正墊板的形狀為圓形。