[發(fā)明專利]提高晶片拋光厚度均勻性的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110406099.5 | 申請日： | 2021-04-15 |
| 公開（公告）號： | CN113290426B | 公開（公告）日： | 2022-10-21 |
| 發(fā)明（設計）人： | 徐良;曹力力;占俊杰;邢曉鵬;藍文安;劉建哲;余雅俊;夏建白;李京波;黃仕華;孟秀清;劉圣龍 | 申請（專利權(quán)）人： | 金華博藍特新材料有限公司 |
| 主分類號： | B24B1/00 | 分類號： | B24B1/00;B24B49/04;H01L21/02;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京辰權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11619 | 代理人： | 王志紅 |
| 地址： | 321000 浙江省金華市婺城區(qū)*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 提高 晶片 拋光 厚度 均勻 方法 | ||
1.一種提高晶片拋光厚度均勻性的方法，其特征在于，包括以下步驟：
使用拋光頭對多個呈環(huán)形排布的測試晶片進行拋光處理，得到拋光后的測試晶片；
獲取拋光后每個測試晶片不同位置的厚度數(shù)據(jù)；
根據(jù)所述厚度數(shù)據(jù)確定所述拋光頭不同位置的壓力值；
根據(jù)所述拋光頭不同位置的壓力值確定校正墊板的形狀；
將確定的校正墊板放置在所述拋光頭與拋光盤之間；
對拋光盤上的待處理晶片進行拋光處理；
所述拋光頭的不同點為所述測試晶片上的第一個點、第二個點以及第三個點；
所述第一個點、第二個點以及第三個點位于同一條線段上，且所述線段與所述測試晶片的直徑所在的線段重合；
所述第一個點位于第三個點的內(nèi)側(cè)，所述第二個點位于第一個點、第三個點的中間，且所述第二個點為所述測試晶片的圓心所在之處；
若所有測試晶片上的所述第一個點、所述第二個點、所述第三個點的厚度數(shù)據(jù)依次增加，則確定所述拋光頭的中心壓力值大于所述拋光頭的四周壓力值；根據(jù)所述拋光頭的中心壓力值大于所述拋光頭的四周壓力值，確定所述校正墊板的形狀為環(huán)形；
若所有測試晶片上的所述第三個點、所述第二個點、所述第一個點的厚度數(shù)據(jù)依次增大，則確定所述拋光頭的中心壓力值小于所述拋光頭的四周壓力值；根據(jù)所述拋光頭的中心壓力值小于所述拋光頭的四周壓力值，確定所述校正墊板的形狀為圓形；
若位于一側(cè)的測試晶片上所述第一個點、第二個點以及第三個點中所有點或至少部分點的厚度數(shù)據(jù)均小于另外一側(cè)的測試晶片上所述第一個點、第二個點以及第三個點中所有點的厚度數(shù)據(jù)，則確定所述拋光頭的一側(cè)壓力值大于另一側(cè)壓力值；根據(jù)所述拋光頭的一側(cè)壓力值大于另一側(cè)壓力值，確定所述校正墊板的形狀為半圓形。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高晶片拋光厚度均勻性的方法，其特征在于，相鄰的兩個點之間的距離相等。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的提高晶片拋光厚度均勻性的方法，其特征在于，所述測試晶片或所述待處理晶片選自硅片、藍寶石片、碳化硅片、氮化鎵、砷化鎵中的任一種；所述校正墊板的材質(zhì)為聚氨酯或氧化鈰。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的提高晶片拋光厚度均勻性的方法，其特征在于，對拋光盤上的待處理晶片進行拋光處理的步驟包括：拋光壓力設定350~550g/cm2；拋光頭轉(zhuǎn)速設定35-40rpm；拋光盤的轉(zhuǎn)速設定40-45rpm，溫度設定20~50℃，拋光時間為60~90min，并以20-30%濃度氧化鋁拋光液進行拋光，設定去除量為7-10μm。
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