[發(fā)明專利]帶浮柵的分離柵平面型MOSFET器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110403506.7
• 申請日: 2021-04-15
• 公開（公告）號: CN112802906B
• 公開（公告）日: 2021-07-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 涂俊杰;顧航;高巍;戴茂州
• 申請（專利權(quán)）人: 成都蓉矽半導體有限公司
• 主分類號: H01L29/788
• 分類號: H01L29/788;H01L29/423
• 代理公司: 成都點睛專利代理事務(wù)所(普通合伙) 51232
• 代理人: 敖歡

1.一種帶浮柵的分離柵平面型MOSFET器件，其特征在于：包括重摻雜第一導電類型襯底（1），重摻雜第一導電類型襯底（1）上方的第一導電類型漂移區(qū)（2），第一導電類型漂移區(qū)（2）內(nèi)部左右兩側(cè)設(shè)有第二導電類型半導體阱區(qū)（3），第二導電類型半導體阱區(qū)（3）內(nèi)頂部并排設(shè)置相接觸的重摻雜第一導電類型源區(qū)（5）和重摻雜第二導電類型歐姆接觸區(qū)（4），且第二導電類型半導體阱區(qū)（3）頂部未被重摻雜第一導電類型源區(qū)（5）和重摻雜第二導電類型歐姆接觸區(qū)（4）覆蓋的地方形成溝道區(qū)；溝道區(qū)的上方設(shè)有多晶硅柵電極（6），所述多晶硅柵電極（6）的橫向長度長于溝道區(qū)的橫向長度并且覆蓋整個溝道區(qū)，多晶硅柵電極（6）與其下方半導體區(qū)由第一介質(zhì)層（7）隔開；多晶硅浮柵（9）位于兩個多晶硅柵電極（6）的正中間，其下方由第二介質(zhì)層（8）與半導體區(qū)隔開；多晶硅柵電極（6）、多晶硅浮柵（9）、源極金屬（11）三者之間由第三介質(zhì)層（10）隔開；源極金屬（11）覆蓋整個重摻雜第二導電類型歐姆接觸區(qū)（4）以及部分重摻雜第一導電類型源區(qū)（5）；

多晶硅浮柵（9）形狀為單階梯形或多階梯形，單階梯形包括1個階梯，多階梯形包括2個以上的階梯，多晶硅浮柵（9）數(shù)量為多個并沿溝道區(qū)長度方向分布。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶浮柵的分離柵平面型MOSFET器件，其特征在于：多晶硅浮柵（9）下方的第二介質(zhì)層（8）的厚度大于或等于多晶硅柵電極（6）下方的第一介質(zhì)層（7）的厚度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶浮柵的分離柵平面型MOSFET器件，其特征在于：第三介質(zhì)層（10）使用材料為二氧化硅或介電常數(shù)低于二氧化硅的低K介質(zhì)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶浮柵的分離柵平面型MOSFET器件，其特征在于：器件中的半導體材料為硅或碳化硅或砷化鎵或磷化銦或鍺硅。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任意一項所述的一種帶浮柵的分離柵平面型MOSFET器件，其特征在于：第一導電類型為N型，第二導電類型為P型；或第一導電類型為P型，第二導電類型為N型。