[發(fā)明專利]一種低電感SiC模塊布局

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110397735.2
• 申請(qǐng)日: 2021-04-13
• 公開（公告）號(hào): CN113380749A
• 公開（公告）日: 2021-09-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 聶鵬;牛平安;成浩;趙沖
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南京銀茂微電子制造有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/495
• 分類號(hào): H01L23/495;H01L25/07
• 代理公司: 南京智造力知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32382
• 代理人: 汪麗紅

1.一種低電感SiC模塊布局，所述低電感SiC模塊由正極端子（11）、負(fù)極端子（12）、輸出端子（13）、覆銅基板（14）、銅底板（15）、綁定線（16）、SiC芯片（17）和二極管芯片（18）封裝而成，其特征在于，正極端子（11）、負(fù)極端子（12）、輸出端子（13）沿模塊縱軸縱向排列并且其中每個(gè)端子只有一個(gè)端子頭部作為客戶端安裝接口，正極端子（11）和負(fù)極端子（12）每個(gè)分出若干端腳，正極端子（11）和負(fù)極端子（12）的相應(yīng)端腳交錯(cuò)排列，一個(gè)正極端子（11）端腳和一個(gè)負(fù)極端子（12）端腳形成端腳對(duì)，每一個(gè)端腳對(duì)負(fù)責(zé)一個(gè)電流回路區(qū)，每個(gè)電流回路區(qū)包含相對(duì)應(yīng)的兩個(gè)SiC芯片（17）和兩個(gè)二極管芯片（18）以及若干綁定線（16），若干個(gè)電流回路區(qū)沿模塊縱軸排列。

2.如權(quán)利要求1所述的低電感SiC模塊布局，其特征在于，以模塊中軸線為對(duì)稱軸，在中軸線的兩側(cè)對(duì)稱排列若干電流回路區(qū)，每個(gè)電流回路區(qū)具有對(duì)應(yīng)獨(dú)立的端腳對(duì)。

3.如權(quán)利要求2所述的低電感SiC模塊布局，其特征在于，相對(duì)于中軸線為內(nèi)，每個(gè)電流回路區(qū)的兩個(gè)SiC芯片（17）排列在內(nèi)側(cè)，兩個(gè)二極管芯片（18）排列在外側(cè)。

4.如權(quán)利要求3所述的低電感SiC模塊布局，其特征在于，對(duì)稱平行排列的兩個(gè)電流回路區(qū)的電流回路相互間獨(dú)立且不平行。

5.如權(quán)利要求3所述的低電感SiC模塊布局，其特征在于，對(duì)稱平行排列的兩個(gè)電流回路區(qū)的電流回路相互間的角度互為180度。

6.如權(quán)利要求1所述的低電感SiC模塊布局，其特征在于，正極端子（11）、負(fù)極端子（12）、輸出端子（13）這三個(gè)端子的安裝接口在模塊上平均排列，相鄰端子接口間的距離相等。