[發明專利]一種降低石墨烯形核密度的方法

在審

• 申請號: 202110396336.4
• 申請日: 2021-04-13
• 公開（公告）號: CN113387345A
• 公開（公告）日: 2021-09-14
• 發明（設計）人: 袁良川
• 申請（專利權）人: 華南理工大學
• 主分類號: C01B32/184
• 分類號: C01B32/184;C01B32/186;C30B29/02;C30B25/18
• 代理公司: 廣州市華學知識產權代理有限公司 44245
• 代理人: 蔡克永

1.一種降低石墨烯形核密度的方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟一，銅箔表面清洗：使用有機溶劑和去離子水清洗銅箔表面的油污和其他殘留，并使用壓縮空氣吹干其表面；

步驟二，預氧化：將干燥后的銅箔置于加熱爐中預氧化；

步驟三，生長：將加熱后的銅箔轉移到石英板上置于管式爐中，抽真空后向石英管內通入氣體至常壓，升溫至800-1000℃后再通入反應氣體進行石墨烯的生長；

步驟四，冷卻：完成生長后，關閉管式爐加熱和氣體供應后冷卻至室溫。

2.根據權利要求1所述降低石墨烯形核密度的方法，其特征在于：

步驟一中，所述有機溶劑為丙酮和無水乙醇；所述清洗是在超聲清洗儀中進行。

3.根據權利要求2所述降低石墨烯形核密度的方法，其特征在于：

步驟二中，所述預氧化的溫度為180-200℃，時間為0-60min。

4.根據權利要求3所述降低石墨烯形核密度的方法，其特征在于：

步驟二中，所述預氧化的氣氛為空氣。

5.根據權利要求4所述降低石墨烯形核密度的方法，其特征在于：

步驟三中，所述抽真空是指，抽真空至極限真空度1.1Pa以下。

6.根據權利要求5所述降低石墨烯形核密度的方法，其特征在于：

步驟三中，所述向石英管內通入氣體是指，通入工業氬氣。

7.根據權利要求6所述降低石墨烯形核密度的方法，其特征在于：

步驟三中，所述反應氣體為氫氣和甲烷，比例為30：1。

8.根據權利要求7所述降低石墨烯形核密度的方法，其特征在于：

步驟三中，所述生長時間為6-10min。

9.根據權利要求8所述降低石墨烯形核密度的方法，其特征在于：

步驟四中，關閉氣體供應，是指關閉甲烷供應。

10.根據權利要求9所述降低石墨烯形核密度的方法，其特征在于：

步驟四中，冷卻至室溫，是指隨爐自然冷卻至室溫。