[發(fā)明專(zhuān)利]陣列基板及其制備方法、顯示裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110395496.7
• 申請(qǐng)日: 2021-04-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113193012A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-07-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄭智琳;唐甲
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/32
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/32;H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 王芳芳

本發(fā)明提供了一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置。所述陣列基板包括薄膜晶體管結(jié)構(gòu)層、第一金屬層、鈍化層以及第二金屬層。所述第一金屬層設(shè)于所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)層上。所述鈍化層覆蓋所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)層和所述第一金屬層。所述第二金屬層設(shè)于所述鈍化層遠(yuǎn)離所述第一金屬層的一表面上，并與所述第一金屬層電連接。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示設(shè)備領(lǐng)域，特別是一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置。

背景技術(shù)

有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置(Organic Light Emitting Display，OLED)具有自發(fā)光、驅(qū)動(dòng)電壓低、發(fā)光效率高、響應(yīng)時(shí)間短、清晰度與對(duì)比度高、近180°視角、使用溫度范圍寬，可實(shí)現(xiàn)柔性顯示與大面積全色顯示等諸多優(yōu)點(diǎn)，被業(yè)界公認(rèn)為是最有發(fā)展?jié)摿Φ娘@示裝置。

大尺寸OLED背板為減少走線阻抗通常會(huì)選擇銅作為薄膜晶體管的源極、漏極以及柵極的走線材料。但是，銅的穩(wěn)定性差，暴露在外部環(huán)境時(shí)容易被氧化腐蝕。當(dāng)銅用作綁定區(qū)的連接走線的主要材料時(shí)，其極容易被陣列基板后續(xù)制程中的所采用的蝕刻液所腐蝕，影響其穩(wěn)定性。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，以解決現(xiàn)有技術(shù)中綁定區(qū)的連接走線容易被陣列基板后續(xù)制程中所采用的蝕刻液所腐蝕和容易發(fā)生氧化變質(zhì)的技術(shù)問(wèn)題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種陣列基板，所述陣列基板具有顯示區(qū)以及與所述顯示區(qū)連接的綁定區(qū)。所述陣列基板包括薄膜晶體管結(jié)構(gòu)層、第一金屬層、鈍化層以及第二金屬層。

所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)層位于所述顯示區(qū)內(nèi)，且延伸至所述綁定區(qū)；薄膜晶體管結(jié)構(gòu)層頂部設(shè)有源極。所述第一金屬層設(shè)于所述綁定區(qū)內(nèi)的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)層上。所述鈍化層覆蓋所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)層和所述第一金屬層。所述第二金屬層位于所述綁定區(qū)內(nèi)，并設(shè)于所述鈍化層遠(yuǎn)離所述第一金屬層的一表面上，所述第二金屬層底面的突出部貫穿所述鈍化層且與所述第一金屬層電連接，所述第二金屬層的材質(zhì)為耐腐蝕金屬或耐腐蝕金屬氧化物。

進(jìn)一步地，所述陣列基板還包括第三金屬層。所述第三金屬層位于所述顯示區(qū)內(nèi)，并設(shè)于所述鈍化層遠(yuǎn)離所述第一金屬層的一表面上，所述第三金屬層貫穿所述鈍化層與源極電連接。

進(jìn)一步地，所述陣列基板還包括平坦層、像素電極以及像素限定層。所述平坦層設(shè)于所述鈍化層上并覆蓋所述第二金屬層、所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)層以及所述第三金屬層的頂部。所述像素電極設(shè)于所述平坦層上，其底部的突出部貫穿所述平坦層，與所述第三金屬層電連接。所述像素限定層設(shè)于所述平坦層上。

進(jìn)一步地，所述陣列基板還包括第一通孔、第二通孔以及第三通孔。所述第一通孔與所述像素電極相對(duì)設(shè)置，并貫穿所述像素限定層。所述第二通孔與所述第二金屬層相對(duì)設(shè)置，并貫穿所述像素限定層。所述第三通孔與所述第二金屬層相對(duì)設(shè)置，并貫穿所述平坦層。

進(jìn)一步地，所述第一金屬層為銅；所述第二金屬層中包括氧化銦錫、鉬以及鈦中的至少一種。

本發(fā)明中還提供一種陣列基板的制備方法，所述制備方法中包括以下步驟：

在一基板上制備薄膜晶體管結(jié)構(gòu)層，包括源極；在制備源極的制程中，同時(shí)在所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)層上表面制備第一金屬層；在所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)層和所述第一金屬層上制備鈍化層；在所述鈍化層上刻蝕出兩個(gè)以上過(guò)孔，貫穿所述鈍化層，每一過(guò)孔與第一金屬層或源極相對(duì)設(shè)置；在所述鈍化層上制備第二金屬層，其底面的突出部穿過(guò)一過(guò)孔，且與所述第一金屬層電連接。

進(jìn)一步地，所述陣列基板的制備方法中還包括以下步驟：在所述鈍化層上形成所述第二金屬層的同時(shí)形成第三金屬層。

進(jìn)一步地，所述陣列基板的制備方法中還包括以下步驟：在所述鈍化層上形成平坦層；在所述平坦層上形成像素電極；在所述平坦層和所述像素電極上形成像素限定層。