[發明專利]陣列基板及其制備方法、顯示裝置

在審

• 申請號: 202110395496.7
• 申請日: 2021-04-13
• 公開（公告）號: CN113193012A
• 公開（公告）日: 2021-07-30
• 發明（設計）人: 鄭智琳;唐甲
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 王芳芳

1.一種陣列基板，其特征在于，具有顯示區以及與所述顯示區連接的綁定區；

所述陣列基板包括：

薄膜晶體管結構層，位于所述顯示區內，且延伸至所述綁定區；薄膜晶體管結構層頂部設有源極；

第一金屬層，設于所述綁定區內的薄膜晶體管結構層上；

鈍化層，覆蓋所述薄膜晶體管結構層和所述第一金屬層；以及

第二金屬層，位于所述綁定區內，并設于所述鈍化層遠離所述第一金屬層的一表面上，所述第二金屬層底面的突出部貫穿所述鈍化層且與所述第一金屬層電連接，所述第二金屬層的材質為耐腐蝕金屬或耐腐蝕金屬氧化物。

2.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括：

第三金屬層，位于所述顯示區內，并設于所述鈍化層遠離所述第一金屬層的一表面上，所述第三金屬層貫穿所述鈍化層與源極電連接。

3.如權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，還包括：

平坦層，設于所述鈍化層上并覆蓋所述第二金屬層、所述薄膜晶體管結構層以及所述第三金屬層的頂部；

像素電極，設于所述平坦層上，其底部的突出部貫穿所述平坦層，與所述第三金屬層電連接；以及

像素限定層，設于所述平坦層上。

4.如權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，還包括：

第一通孔，與所述像素電極相對設置，并貫穿所述像素限定層；

第二通孔，與所述第二金屬層相對設置，并貫穿所述像素限定層；以及

第三通孔，與所述第二金屬層相對設置，并貫穿所述平坦層。

5.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，

所述第一金屬層為銅；所述第二金屬層中包括氧化銦錫、鉬以及鈦中的至少一種。

6.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

在一基板上制備薄膜晶體管結構層，包括源極；在制備源極的制程中，同時在所述薄膜晶體管結構層上表面制備第一金屬層；

在所述薄膜晶體管結構層和所述第一金屬層上制備鈍化層；

在所述鈍化層上刻蝕出兩個以上過孔，貫穿所述鈍化層，每一過孔與第一金屬層或源極相對設置；以及

在所述鈍化層上制備第二金屬層，其底面的突出部穿過一過孔，且與所述第一金屬層電連接。

7.如權利要求6所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，還包括以下步驟：

在所述鈍化層上形成所述第二金屬層的同時形成第三金屬層。

8.如權利要求6所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，還包括以下步驟：

在所述鈍化層上形成平坦層；

在所述平坦層上形成像素電極；以及

在所述平坦層和所述像素電極上形成像素限定層。

9.如權利要求8所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，還包括以下步驟：

在所述平坦層中刻蝕出第三通孔；以及

在所述像素限定層中刻蝕出第一通孔和第二通孔。

10.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求1所述的陣列基板。