[發明專利]耐輻射基因工程菌Deino-dsrA及其構建方法與應用有效
| 申請號: | 202110392388.4 | 申請日: | 2021-04-13 |
| 公開(公告)號: | CN113106048B | 公開(公告)日: | 2022-09-20 |
| 發明(設計)人: | 肖方竹;何淑雅;彭國文;朱琦琦;羅佳琦;劉軍 | 申請(專利權)人: | 南華大學 |
| 主分類號: | C12N1/21 | 分類號: | C12N1/21;C12N15/74;C02F3/34;C12R1/01;C02F101/20 |
| 代理公司: | 長沙歐諾專利代理事務所(普通合伙) 43234 | 代理人: | 歐穎;張文君 |
| 地址: | 421001 湖*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 輻射 基因工程 deino dsra 及其 構建 方法 應用 | ||
1.一種耐輻射基因工程菌Deino-dsrA的構建方法,其特征在于,包括:
(1)以含有還原基因dsrA的基因組DNA為擴增模板,進行PCR擴增,PCR產物經純化回收得到目的基因dsrA;
(2)將目的基因dsrA和pRADK質粒經核酸內切酶NdeⅠ和核酸內切酶BamHⅠ雙酶切并純化回收,用連接酶連接得到重組載體pRADK-dsrA;
(3)將所述重組載體pRADK-dsrA轉化入耐輻射奇球菌中構建耐輻射基因工程菌Deino-dsrA,進行PCR鑒定,篩選出基因擴增為陽性的菌株;
步驟(1)中,所述PCR擴增的引物核苷酸序列如下:
上游引物dsrA-F序列為:
5’-CCCTGCAGGTCGAATC
下游引物dsrA-R序列為:
5’-CTCACAGGAGGACCC
其中,所述上游引物dsrA-F序列中具有下劃線的堿基部分為BamHⅠ酶切位點,所述下游引物dsrA-R序列中具有下劃線的堿基部分為NdeⅠ酶切位點。
2.根據權利要求1所述的耐輻射基因工程菌Deino-dsrA的構建方法,其特征在于,從硫酸鹽還原菌中提取得到含有還原基因dsrA的所述基因組DNA。
3.一種耐輻射基因工程菌Deino-dsrA,其特征在于,由權利要求1~2任一項所述的構建方法構建。
4.如權利要求3所述的耐輻射基因工程菌Deino-dsrA在鈾污染水體修復中的應用。
5.一種鈾污染水體修復劑的制備方法,其特征在于,將權利要求4所述的耐輻射基因工程菌Deino-dsrA于TGY固體培養基中培養復蘇后,挑取單克隆菌株接種于TGY液體培養基中,擴大培養至菌液OD600值為0.9~1.0;然后將所述菌液進行稀釋得到OD600值為0.5~0.6的菌懸液,所述菌懸液為鈾污染水體修復劑。
6.根據權利要求5所述的制備方法,其特征在于,所述TGY固體培養基的pH值為6.2~6.6,包括以下質量百分數的組分:0.5%胰蛋白凍、0.3%酵母提取物、0.1%D-葡萄糖、1.5%瓊脂,余量為超純水。
7.根據權利要求6所述的制備方法,其特征在于,所述TGY液體培養基的pH值為6.2~6.6,包括以下質量百分數的組分:0.5%胰蛋白凍、0.3%酵母提取物、0.1%D-葡萄糖,余量為超純水。
8.一種鈾污染水體的修復方法,其特征在于,將權利要求5至7任一項所述的制備方法制備得到的所述菌懸液和鈾溶液按預設比例混合后,調節pH值為4.8~6,然后置于29℃~31℃恒溫空氣浴搖床中進行富集反應,所述富集反應的時間為55~105min。
9.根據權利要求8所述的鈾污染水體的修復方法,其特征在于,所述鈾溶液中鈾的初始質量濃度為10~30mg/L,所述預設比例為2:1,所述恒溫空氣浴搖床的轉速為220r/min。
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