[發(fā)明專利]一種異質結疊瓦太陽能電池片的制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110390293.9 | 申請日: | 2021-04-12 |
| 公開(公告)號: | CN115207168A | 公開(公告)日: | 2022-10-18 |
| 發(fā)明(設計)人: | 周泗海;黃家容;羅騫 | 申請(專利權)人: | 福建金石能源有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/20 | 分類號: | H01L31/20;H01L31/0224;H01L31/05;H01L31/0747 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 異質結疊瓦 太陽能電池 制備 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種異質結疊瓦太陽能電池片的制備方法,銅柵線表層包裹著錫,防止銅柵線氧化;所述電池片可以通過激光方式或機械切割方式沿電池片切割線位置切割成若干小片,小片電池上用于傳導電流的細柵線長度大于50mm,切割后的小片電池可以通過邊緣首尾交疊的方式進行串焊,形成電池串。本發(fā)明采用電鍍的工藝方式在n型硅片的雙面電鍍上銅錫柵線,銅柵線表層包裹著錫,防止銅柵線氧化,由此來提升異質結疊瓦太陽能電池柵線的導電性能,當將大片電池切割成小片電池,其小片電池層疊焊接之后能很好的通過細柵線進行電流傳輸,從而解決了太陽能電池疊瓦片需切割成小于50mm寬后的電池片才能大規(guī)模生產使用的問題,大幅提升了疊瓦電池片的使用效率。
技術領域
本發(fā)明屬于太陽能電池領域,尤其涉及一種異質結疊瓦太陽能電池片的制備方法。
背景技術
隨著光伏市場對組件的轉換效率要求越來越高,疊瓦組件的電池片以疊瓦形式連接、無間距,同樣尺寸的組件可放更多電池片,其電池表面無焊帶遮擋,可用于發(fā)電的面積更大,因此廣泛的受到市場的青睞。
目前行業(yè)內疊瓦光伏電池因為銀漿的導電率限制,幾乎都需要切割成50mm寬度以下的小片電池才能大規(guī)模制作成光伏組件。存在以下缺點:第一,以158mm尺寸電池片為例,常規(guī)的疊瓦電池因印刷銀漿,需要切割成4小片,甚至是5小片以上,才能避免細柵線阻抗太大造成的功率損失。相應的切割次數多,也會造成切割損耗過大。第二,常規(guī)的疊瓦電池交疊次數多,交疊面積浪費大,造成電池片損耗大及交疊遮擋引起電流減小;第三,交疊次數多,導電膠用量大,成本高;第四,常規(guī)的疊瓦電池因其表面印刷銀漿,如果電池片因隱裂被一分為二,那銀漿的柵線也會跟隨斷裂,從而導致電流傳導不暢,斷裂處的電池片也會因此無法供電,從而造成組件的功率大幅度下降。
發(fā)明內容
針對上述問題,本發(fā)明提供了一種異質結疊瓦太陽能電池片,它所要解決的技術問題是如何實現細柵線的長距離傳導,減少電流傳導過程造成的損耗,及電池片隱裂引起的效率損失,并提高電池組件的輸出功率。
為解決上述技術問題,本發(fā)明所采用的技術方案是:一種異質結疊瓦太陽能電池片的制備方法,在n型硅片一面沉積薄層本征非晶硅層及n型非晶硅層,另一面沉積薄層本征非晶硅層及p型非晶硅層,并在n型非晶硅層和p型非晶硅層上沉積導電膜層;對n型硅片n面與p面進行貼膜曝光處理;對n型硅片n面與p面進行顯影處理;對n型硅片n面與p面進行電鍍處理,使n型硅片n面與p面鍍上大面積的銅金屬及錫金屬;對n型硅片n面與p面進行退鍍與蝕刻處理,使n型硅片n面與p面形成電池表面的銅錫柵線。銅柵線表層包裹著錫,防止銅柵線氧化;所述異質結疊瓦電池片可以通過激光方式或機械切割方式沿電池片切割線位置切割成若干小片,小片電池上用于傳導電流的細柵線長度大于50mm,切割后的小片電池可以通過邊緣首尾交疊的方式進行串焊,形成電池串。
進一步的,在上述異質結疊瓦電池片中,所述電池片電極采用銅錫柵線電極結構,其銅電極柵線表面鍍有錫層,錫層的厚度為3μm~15μm,柵線的總厚度為15μm~60μm。
進一步的,在上述異質結疊瓦電池片中,所述電池片表面柵線由若干的主柵與細柵組成,主柵與細柵垂直,細線與細線之間通過小細柵進行連接。
進一步的,在上述異質結疊瓦電池片中,所述電池片主柵線寬度為0.3-1.8mm。
進一步的,在上述異質結疊瓦電池片中,所述電池片細柵線寬度為0.02-0.1mm。
進一步的,在上述異質結疊瓦電池片中,所述電池片有細柵線連接的區(qū)域,電池片隱裂或者碎片,細柵線并不會跟隨斷裂,依然彼此連接成為一個整體。
進一步的,在上述異質結疊瓦電池片中,所述電池片即使電池片裂成若干小片,細柵線依然可以將各個小片發(fā)電產生的電流匯集輸送出去。
進一步的,在上述異質結疊瓦電池片中,所述電池片因主柵表層材質為錫,厚度3μm~15μm,既可以使用導電膠進行連接,也可以使用助焊劑讓電池片的錫層自行焊接。
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H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





