[發(fā)明專利]一種帶異步置位復(fù)位的CMOS混合型SR憶阻鎖存器電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110390108.6
• 申請(qǐng)日: 2021-04-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112953498B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-05-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林彌;陳俊杰;王旭亮;羅文瑤;韓琪
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 杭州電子科技大學(xué)
• 主分類號(hào): H03K19/003
• 分類號(hào): H03K19/003;H03K19/094
• 代理公司: 浙江永鼎律師事務(wù)所 33233
• 代理人: 陸永強(qiáng)

1.一種帶異步置位復(fù)位的CMOS混合型SR憶阻鎖存器電路，其特征在于，包括SR憶阻鎖存器模塊和憶阻異步置位復(fù)位功能模塊；其中，SR憶阻鎖存器模塊包括第一MOS管T₁、第二MOS管T₂、第三MOS管T₃、第四MOS管T₄、第五MOS管T₅、第六MOS管T₆、第一憶阻器M₁、第一反相器N₁和第二反相器N₂以及第一電阻R₁；憶阻異步置位復(fù)位功能模塊包括第二憶阻器M₂、第三憶阻器M₃、第四憶阻器M₄、第五憶阻器M₅以及第三反相器N₃，其中T₁、T₂、T₃、T₄和T₆為NMOS晶體管，T₅為PMOS晶體管，M₁、M₂、M₃、M₄、M₅均為Biolek閾值型憶阻器模型；SR憶阻鎖存器模塊內(nèi)，第一MOS管T₁、第三MOS管T₃、第五MOS管T₅、第六MOS管T₆的柵極連接SR憶阻鎖存器模塊的控制端CP；第一MOS管T₁的漏極連接輸入端S，第一MOS管T₁的源極連接第二MOS管T₂的柵極；第二MOS管T₂的漏極連接直流電壓V₁，第二MOS管T₂的源極連接第四MOS管T₄的漏極、第一憶阻器M₁的負(fù)端、第一電阻R₁的一端、第一反相器N₁的輸入端以及第二反相器N₂的輸出端；第三MOS管T₃的漏極連接輸入端R，第三MOS管T₃的源極連接T₄的柵極；第四MOS管T₄的源極連接至地端；第五MOS管T₅的源極連接直流電壓V₂，第五MOS管T₅的漏極連接第一憶阻器M₁的正端以及第六MOS管T₆的源極；第六MOS管T₆的漏極連接第一反相器N₁的輸出端和第二反相器N₂的輸入端；第二反相器N₂的輸出端作為SR憶阻鎖存器模塊的輸出端Q₁，連接到后續(xù)電路；憶阻異步置位復(fù)位功能模塊內(nèi)，第二憶阻器M₂的負(fù)端連接SR憶阻鎖存器模塊的輸出端Q₁，也即第二反相器N₂的輸出端，第二憶阻器M₂的正端連接第三憶阻器M₃的正端以及第四憶阻器M₄的正端；第三憶阻器M₃的負(fù)端連接異步置位端SET；第五憶阻器M₅的正端連接第三反相器N₃的輸出端，第五憶阻器M₅的負(fù)端連接第四憶阻器M₄的負(fù)端作為整個(gè)電路的輸出端Q；第三反相器N₃的輸入端連接異步復(fù)位端RESET。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶異步置位復(fù)位的CMOS混合型SR憶阻鎖存器電路，其特征在于，電壓V₁、V₂為直流電壓，直流電壓V₁的值與SR鎖存器輸入端S和R的高電平值相同，直流電壓V₂的值略小于V₁的值。