[發明專利]顯示面板及其制造方法、顯示裝置有效
| 申請號: | 202110389793.0 | 申請日: | 2021-04-12 |
| 公開(公告)號: | CN113130805B | 公開(公告)日: | 2023-06-02 |
| 發明(設計)人: | 郝艷軍;屈財玉;杜小波 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H10K50/11 | 分類號: | H10K50/11;H10K50/15;H10K59/10;H10K71/00;H10K101/40 |
| 代理公司: | 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038 | 代理人: | 張海強 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 及其 制造 方法 顯示裝置 | ||
本公開提供一種顯示面板及其制造方法、顯示裝置。顯示面板包括:陽極層,包括位于第一和第二子像素中的第一和第二陽極;空穴傳輸層,包括位于第一和第二子像素中的第一和第二空穴傳輸層;緩沖層,包括位于第一和第二子像素中的第一和第二緩沖層中的至少一個;發光層,包括位于第一和第二子像素中的第一和第二發光層,第一發光層和第一空穴傳輸層間的HOMO能級差為大于0的第一差值,第二發光層和第二空穴傳輸層間的HOMO能級差的絕對值大于0且小于第一差值;陰極。在第一空穴傳輸層到第一發光層的方向上,第一緩沖層的多個第一緩沖子層的HOMO能級逐漸增大。第二發光層與第二緩沖層間的HOMO能級差或第二緩沖層與第二空穴傳輸層間的HOMO能級差大于或等于0.3eV。
技術領域
本公開涉及顯示技術領域,尤其涉及一種顯示面板及其制造方法、顯示裝置。
背景技術
近年來,基于OLED(Organic?Light-Emitting?Diode,有機發光二極管)的顯示技術逐漸受到更多的關注。
由于OLED具有主動發光、發光亮度高、分辨率高、寬視角、響應速度快、低能耗以及可柔性化等特點,基于OLED的顯示技術有可能代替液晶顯示技術成為下一代顯示技術。
發明內容
根據本公開實施例的一方面,提供一種顯示面板,包括位于襯底基板上的多個子像素,所述多個子像素包括第一子像素和第二子像素。所述顯示面板包括:陽極層,包括位于所述第一子像素中的第一陽極和位于所述第二子像素中的第二陽極;空穴傳輸層,位于所述陽極層遠離所述襯底基板的一側,包括位于所述第一子像素中的第一空穴傳輸層和位于所述第二子像素中的第二空穴傳輸層;緩沖層,位于所述空穴傳輸層遠離所述襯底基板的一側,包括位于所述第一子像素中的第一緩沖層和位于所述第二子像素中的第二緩沖層中的至少一個;發光層,位于所述緩沖層遠離所述襯底基板的一側,包括位于所述第一子像素中的第一發光層和位于所述第二子像素中的第二發光層,所述第一發光層和所述第一空穴傳輸層之間的最高占據分子軌道HOMO能級差為大于0的第一差值,所述第二發光層和所述第二空穴傳輸層之間的HOMO能級差的絕對值為大于0且小于所述第一差值的第二差值;和陰極,位于所述發光層遠離所述陽極層的一側。所述第一緩沖層包括多個第一緩沖子層,每個第一緩沖子層的HOMO能級位于所述第一發光層的HOMO能級和所述第一空穴傳輸層的HOMO能級之間,并且,在所述第一空穴傳輸層到所述第一發光層的方向上,所述多個第一緩沖子層的HOMO能級逐漸增大。所述第二緩沖層的HOMO能級位于所述第二發光層的HOMO能級和所述第二空穴傳輸層的HOMO能級之間,所述第二發光層與所述第二緩沖層之間的HOMO能級差為第三差值,所述第二緩沖層與所述第二空穴傳輸層之間的HOMO能級差為第四差值,所述第三差值和所述第四差值中的一個大于或等于0.3eV。
在一些實施例中,所述多個子像素還包括第三子像素,其中:所述陽極層還包括位于所述第三子像素中的第三陽極;所述空穴傳輸層還包括位于所述第三子像素中的第三空穴傳輸層;所述緩沖層還包括位于所述第三子像素中的第三緩沖層;并且所述發光層還包括位于所述第三子像素中的第三發光層,所述第三發光層與所述第三空穴傳輸層之間的HOMO能級差為大于0且小于所述第一差值的第五差值,其中,所述第三緩沖層的HOMO能級位于所述第三發光層的HOMO能級和所述第三空穴傳輸層的HOMO能級之間,所述第三發光層與所述第三緩沖層之間的HOMO能級差為第六差值,所述第三緩沖層與所述第三空穴傳輸層之間的HOMO能級差為第七差值,所述第六差值和所述第七差值中的一個大于或等于0.3eV。
在一些實施例中,所述第一子像素為藍色子像素,所述第二子像素為紅色子像素和綠色子像素中的一個。
在一些實施例中,所述多個第一緩沖子層中的至少一個的厚度范圍為2納米至10納米。
在一些實施例中,所述多個第一緩沖子層中的至少一個的第一遷移率大于或等于10-6cm2/V·s。
在一些實施例中,所述第一遷移率小于或等于10-2cm2/V·s。
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