[發(fā)明專利]顯示面板及其制造方法、顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110389793.0
• 申請日: 2021-04-12
• 公開（公告）號: CN113130805B
• 公開（公告）日: 2023-06-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 郝艷軍;屈財玉;杜小波
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H10K50/11
• 分類號: H10K50/11;H10K50/15;H10K59/10;H10K71/00;H10K101/40
• 代理公司: 中國貿(mào)促會專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 11038
• 代理人: 張海強

1.一種顯示面板，包括位于襯底基板上的多個子像素，所述多個子像素包括第一子像素和第二子像素，所述顯示面板包括：

陽極層，包括位于所述第一子像素中的第一陽極和位于所述第二子像素中的第二陽極；

空穴傳輸層，位于所述陽極層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)，包括位于所述第一子像素中的第一空穴傳輸層和位于所述第二子像素中的第二空穴傳輸層；

緩沖層，位于所述空穴傳輸層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)，包括位于所述第一子像素中的第一緩沖層和位于所述第二子像素中的第二緩沖層；

發(fā)光層，位于所述緩沖層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)，包括位于所述第一子像素中的第一發(fā)光層和位于所述第二子像素中的第二發(fā)光層，所述第一發(fā)光層和所述第一空穴傳輸層之間的最高占據(jù)分子軌道HOMO能級差為大于0的第一差值，所述第二發(fā)光層和所述第二空穴傳輸層之間的HOMO能級差的絕對值為大于0且小于所述第一差值的第二差值；和

陰極，位于所述發(fā)光層遠(yuǎn)離所述陽極層的一側(cè)，其中：

所述第一緩沖層包括多個第一緩沖子層，每個第一緩沖子層的HOMO能級位于所述第一發(fā)光層的HOMO能級和所述第一空穴傳輸層的HOMO能級之間，并且，在所述第一空穴傳輸層到所述第一發(fā)光層的方向上，所述多個第一緩沖子層的HOMO能級逐漸增大，

所述第二緩沖層的HOMO能級位于所述第二發(fā)光層的HOMO能級和所述第二空穴傳輸層的HOMO能級之間，所述第二發(fā)光層與所述第二緩沖層之間的HOMO能級差為第三差值，所述第二緩沖層與所述第二空穴傳輸層之間的HOMO能級差為第四差值，所述第三差值和所述第四差值中的一個大于或等于0.3eV且小于或等于0.7eV，并且

所述多個第一緩沖子層中的每一個的支鏈含有第一給電子基團，所述第二緩沖層的支鏈含有第二給電子基團和吸電子基團中的一個，所述第二給電子基團的給電子能力大于所述第一給電子基團的給電子能力。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其中，所述多個子像素還包括第三子像素，其中：

所述陽極層還包括位于所述第三子像素中的第三陽極；

所述空穴傳輸層還包括位于所述第三子像素中的第三空穴傳輸層；

所述緩沖層還包括位于所述第三子像素中的第三緩沖層；并且

所述發(fā)光層還包括位于所述第三子像素中的第三發(fā)光層，所述第三發(fā)光層與所述第三空穴傳輸層之間的HOMO能級差為大于0且小于所述第一差值的第五差值，

其中，所述第三緩沖層的HOMO能級位于所述第三發(fā)光層的HOMO能級和所述第三空穴傳輸層的HOMO能級之間，所述第三發(fā)光層與所述第三緩沖層之間的HOMO能級差為第六差值，所述第三緩沖層與所述第三空穴傳輸層之間的HOMO能級差為第七差值，所述第六差值和所述第七差值中的一個大于或等于0.3eV。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的顯示面板，其中，所述第一子像素為藍(lán)色子像素，所述第二子像素為紅色子像素和綠色子像素中的一個。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示面板，其中，所述多個第一緩沖子層中的至少一個的厚度范圍為2納米至10納米。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示面板，其中，所述多個第一緩沖子層中的至少一個的第一遷移率大于或等于10^-6cm²/V·s。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示面板，其中，所述第一遷移率小于或等于10^-2cm²/V·s。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示面板，其中，所述第二緩沖層和所述第三緩沖層中的至少一個的厚度范圍為30納米至100納米。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示面板，其中，所述第二緩沖層和所述第三緩沖層中的至少一個的第二遷移率大于或等于10^-4cm²/V·s。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示面板，其中，所述第二遷移率小于或等于10^-2cm²/V·s。