[發(fā)明專利]一種光電晶體管及其制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110389048.6 | 申請(qǐng)日: | 2021-04-12 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113113546A | 公開(公告)日: | 2021-07-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李武;陳雅妮 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01L51/48 | 分類號(hào): | H01L51/48;H01L51/46;H01L51/42 |
| 代理公司: | 深圳市君勝知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 徐凱凱 |
| 地址: | 518061 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 光電晶體管 及其 制備 方法 | ||
本發(fā)明公開一種光電晶體管及其制備方法,其中,所述制備方法包括步驟:將石墨烯轉(zhuǎn)移至絕緣襯底上;在所述石墨烯上制備預(yù)定圖形的金屬電極,制得石墨烯晶體管;將生物光敏分子嫁接在所述石墨烯晶體管上,制得所述光電晶體管。所述石墨烯作為光電晶體管的溝道層,生物光敏分子作為光吸收層,通過生物光敏分子的吸收峰波長(zhǎng)對(duì)應(yīng)的光誘導(dǎo)光吸收層,形成光控門,實(shí)現(xiàn)對(duì)光電晶體管中電荷狀態(tài)的調(diào)控;同時(shí)可與背柵電壓結(jié)合,實(shí)現(xiàn)不同的電荷存儲(chǔ)狀態(tài)調(diào)控,存儲(chǔ)于光吸收層的電荷受能帶勢(shì)壘的影響,穩(wěn)定的存在于光吸收層。由于生物光敏分子的光電轉(zhuǎn)換效率高,可顯著提高一般石墨烯光電晶體管的量子轉(zhuǎn)換效率。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及光電晶體管技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種光電晶體管及其制備方法。
背景技術(shù)
石墨烯是單層或者少數(shù)幾層的石墨,全部由碳原子組成,具有蜂巢結(jié)構(gòu)。石墨烯具有卓越的電子學(xué)、光學(xué)性質(zhì),如具有非常高的載流子遷移率、高透光性、高熱導(dǎo)率等等,這使得其成為近年來學(xué)術(shù)界和工業(yè)界廣泛研究的明星材料。尤其在二維光電器件方面,有科學(xué)家認(rèn)為其有望替代現(xiàn)有的光電半導(dǎo)體材料,以期制備高速度、高敏感性以及高光譜光電器件。但是石墨烯沒有能隙,并且量子效率不高,這些特點(diǎn)限制了其在光電器件方面的應(yīng)用。生物光敏分子如卟啉,具有獨(dú)特的電子結(jié)構(gòu)和光電性能,良好的光和熱穩(wěn)定性,通過模擬其在生物體中的光致電荷轉(zhuǎn)移和能量轉(zhuǎn)移,使得其在有機(jī)太陽能電池、分子開關(guān)和光存儲(chǔ)領(lǐng)域有重要的應(yīng)用。將光敏分子與石墨烯雜化,可充分利用光敏分子的光學(xué)特性和石墨烯的電學(xué)特性從而制備量子轉(zhuǎn)化效率高,反應(yīng)靈敏,熱穩(wěn)定好的特定光波長(zhǎng)誘導(dǎo)的光電器件。而目前的石墨烯和光敏分子雜化器件多是基于氧化石墨烯制備,或是利用共價(jià)結(jié)合的方式得到復(fù)合材料,并未充分利用石墨烯的優(yōu)良電學(xué)和熱學(xué)性質(zhì)。
因此,現(xiàn)有技術(shù)還有待于改進(jìn)和發(fā)展。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的不足,本發(fā)明的目的在于提供一種光電晶體管及其制備方法,旨在解決現(xiàn)有光電晶體管未充分利用石墨烯的優(yōu)良電學(xué)和熱學(xué)性質(zhì),導(dǎo)致石墨烯光電晶體管的量子轉(zhuǎn)換效率較差的問題。
本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
一種光電晶體管的制備方法,其中,包括步驟:
將石墨烯轉(zhuǎn)移至絕緣襯底上;
在所述石墨烯上制備預(yù)定圖形的金屬電極,制得石墨烯晶體管;
將生物光敏分子嫁接在所述石墨烯晶體管上,制得所述光電晶體管。
所述光電晶體管的制備方法,其中,在所述石墨烯上制備預(yù)定圖形的金屬電極的步驟包括:
利用電子束刻蝕工藝在石墨烯上依次進(jìn)行旋涂光刻膠、曝光、顯影、沉積金屬電極、去除光刻膠處理,得到預(yù)定圖形的金屬電極;
或者,將刻有預(yù)定圖形的金屬掩板置于所述石墨烯上,在所述預(yù)定圖形的金屬掩板上沉積金屬電極,得到預(yù)定圖形的金屬電極。
所述光電晶體管的制備方法,其中,所述金屬電極材料為Au、Cr、Ag、Ti、Al或Nb中的一種。
所述光電晶體管的制備方法,其中,將生物光敏分子嫁接在所述石墨烯晶體管上的步驟包括:
將所述生物光敏分子溶于有機(jī)溶劑中并進(jìn)行超聲處理,得到生物光敏溶液;
將所述生物光敏溶液滴涂到所述石墨烯晶體管上并進(jìn)行烘干處理,使所述光敏分子嫁接在所述石墨烯晶體管上。
所述光電晶體管的制備方法,其中,將生物光敏分子嫁接在所述石墨烯晶體管上的步驟包括:
將所述生物光敏分子溶于有機(jī)溶劑中并進(jìn)行超聲處理,得到生物光敏溶液;
采用熱蒸發(fā)法將所述生物光敏溶液中的生物光敏分子直接蒸發(fā)在所述石墨烯晶體管上。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的電容器或電阻器
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H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
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