[發(fā)明專利]碳基光泵浦半導(dǎo)體高能激光器及激光裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110384393.0 | 申請日: | 2021-04-09 |
| 公開(公告)號: | CN113131334A | 公開(公告)日: | 2021-07-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 許曉軍;王紅巖;李康;楊子寧;崔文達(dá);韓凱 | 申請(專利權(quán))人: | 中國人民解放軍國防科技大學(xué) |
| 主分類號: | H01S5/04 | 分類號: | H01S5/04;H01S5/183;H01S5/024 |
| 代理公司: | 廣州嘉權(quán)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 44205 | 代理人: | 趙琴娜 |
| 地址: | 410073 湖*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 碳基光泵浦 半導(dǎo)體 高能 激光器 激光 裝置 | ||
本發(fā)明公開了一種碳基材料輔助散熱光泵浦半導(dǎo)體高能激光器,包括:碳基材料基板,所述碳基材料基板的一面為工作面,另一面為導(dǎo)熱面;光泵浦半導(dǎo)體激光器芯片,所述光泵浦半導(dǎo)體激光器芯片設(shè)置在所述碳基材料基板的工作面,所述光泵浦半導(dǎo)體激光器芯片上設(shè)有增益區(qū),所述增益區(qū)提供的能量增益至少占所述光泵浦半導(dǎo)體激光器芯片提供能量增益的95%;冷卻流體供給裝置,所述冷卻流體供給裝置設(shè)置在所述碳基材料基板的導(dǎo)熱面,以提供高速沖擊的冷卻流體對所述碳基材料基板進(jìn)行導(dǎo)熱降溫。通過擴(kuò)大激光器芯片的工作區(qū)域面積,提高激光器的輸出功率。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及光學(xué)設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種碳基光泵浦半導(dǎo)體高能激光器及激光裝置。
背景技術(shù)
高能激光器有著非常廣泛的用途,碳基材料具有高熱導(dǎo)率、高強(qiáng)度、高硬度特點(diǎn),光泵浦半導(dǎo)體激光器(OPSL)具有高增益,高吸收,激光波長范圍廣,芯片厚度薄等特點(diǎn)。
高能激光器發(fā)展面臨的主要問題是廢熱的處理,為了更好的散熱,需要更大的散熱面積,通常將增益材料做成薄層型,高功率的板條激光器、盤片激光器是其典型的代表,但板條激光器、盤片激光器一般采用傳統(tǒng)的摻雜晶體作為增益區(qū),其增益系數(shù)低,對泵浦光的吸收系數(shù)也低,不得不使用較厚的晶體作為增益區(qū),同時晶體的熱導(dǎo)率通常不高,較厚的增益區(qū)意味著較高的熱阻及較低的激光發(fā)射功率。因此,傳統(tǒng)的板條激光器、盤片激光器激光發(fā)射功率受限,若要進(jìn)一步的提高激光輸出功率,需要將增益區(qū)的厚度做的更薄。
半導(dǎo)體激光器因其材料具有高增益,高吸收特性,激光器芯片厚度通常在微米量級。傳統(tǒng)的邊發(fā)射半導(dǎo)體激光器因光束質(zhì)量不好,通常只用來做泵浦光源。面發(fā)射的半導(dǎo)體激光器具有圓形光斑。同時光泵浦垂直外腔面發(fā)射激光器(Optically Pumped VerticalExternal-Cavity Surface Emitting Lasers,OP-VECSEL)芯片厚度只有數(shù)微米,近幾年出現(xiàn)的薄膜外腔面發(fā)射激光器(Membrane External Cavity Surface-Emitting Laser,MECSEL)因去掉了布拉格反射鏡(DBR),芯片厚度通常不到1微米,OP-VECSEL或MECSEL也統(tǒng)稱光泵浦半導(dǎo)體激光器(OPSL)。
動輒數(shù)kW/cm2量級的閾值泵浦功率密度是OPSL通往高功率方向的瓶頸,OPSL工作時折合激光發(fā)射功率密度(激光發(fā)射功率與芯片工作區(qū)域面積的比值)達(dá)數(shù)10kW/cm2,同時也伴隨著相同量級功率密度的廢熱。廢熱會使增益區(qū)的溫度升高,半導(dǎo)體材料的特性與溫度密切相關(guān),激光器的波長會隨溫度的上升以0.3nm/K的速度紅移。過高的溫度還會使得半導(dǎo)體材料中電子濃度增高、運(yùn)動速度變快,載流子壽命變短,激光器閾值提高,當(dāng)溫度超過600℃時,半導(dǎo)體材料容易在空氣中氧化,通常半導(dǎo)體激光器芯片工作時溫度不能超過300℃,因此在室溫下工作的激光器芯片與環(huán)境溫度的溫差不能超過300K。目前報道出的較高功率的OPSL處理這些廢熱的方式是:先用小尺寸的高熱導(dǎo)材料(金剛石、SiC、銅等)將芯片上的廢熱擴(kuò)散,再利用水冷結(jié)構(gòu)將廢熱帶走。這種先擴(kuò)散后帶走的散熱方式使得工作區(qū)域(泵浦光斑)面積越大,中心位置產(chǎn)生的廢熱越難得到擴(kuò)散,泵浦光斑中心位置溫度過高,從而限制了工作區(qū)域面積的大小,OP-VECSEL報道出的最高功率為106W,其光斑直徑只有1mm左右。
想要擴(kuò)大薄層型增益材料激光器的工作區(qū)域面積,提升激光器的輸出功率,則需要拋棄原有的先擴(kuò)散再帶走的散熱方式,理想的情況是在垂直于薄層結(jié)構(gòu)平面的方向上即可將廢熱帶走,即采用一維散熱的方式。具有一維散熱能力的散熱結(jié)構(gòu)在激光器芯片工作區(qū)域面積擴(kuò)大時不會對工作區(qū)域中心位置的溫度產(chǎn)生過多的影響(當(dāng)然,如果考慮到平行于平面方向廢熱的擴(kuò)散,散熱結(jié)構(gòu)的散熱效果會更佳)。一維散熱則要求冷卻部件的負(fù)載熱流密度與激光器工作區(qū)域產(chǎn)生的廢熱密度一致。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國人民解放軍國防科技大學(xué),未經(jīng)中國人民解放軍國防科技大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110384393.0/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





