[發(fā)明專利]碳基光泵浦半導體高能激光器及激光裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110384393.0 | 申請日： | 2021-04-09 |
| 公開（公告）號： | CN113131334A | 公開（公告）日： | 2021-07-16 |
| 發(fā)明（設計）人： | 許曉軍;王紅巖;李康;楊子寧;崔文達;韓凱 | 申請（專利權）人： | 中國人民解放軍國防科技大學 |
| 主分類號： | H01S5/04 | 分類號： | H01S5/04;H01S5/183;H01S5/024 |
| 代理公司： | 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205 | 代理人： | 趙琴娜 |
| 地址： | 410073 湖*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 碳基光泵浦 半導體 高能 激光器 激光 裝置 | ||
1.一種碳基光泵浦半導體高能激光器，其特征在于，包括：
碳基材料基板，所述碳基材料基板的一面為工作面，另一面為導熱面；
光泵浦半導體激光器芯片，所述光泵浦半導體激光器芯片設置在所述碳基材料基板的工作面，所述光泵浦半導體激光器芯片上設有增益區(qū)，所述增益區(qū)提供的能量增益至少占所述光泵浦半導體激光器芯片提供能量增益的95％；
冷卻流體供給裝置，所述冷卻流體供給裝置設置在所述碳基材料基板的導熱面，以提供高速沖擊的冷卻流體對所述碳基材料基板進行導熱降溫。
2.根據權利要求1所述的碳基材料輔助散熱光泵浦半導體高能激光器，其特征在于：所述增益區(qū)的厚度不超過20μm。
3.根據權利要求1所述的碳基材料輔助散熱光泵浦半導體高能激光器，其特征在于：所述增益區(qū)與所述碳基材料基板的距離不超過50μm。
4.根據權利要求1所述的碳基材料輔助散熱光泵浦半導體高能激光器，其特征在于：所述碳基材料基板的厚度大于100μm，小于2000μm。
5.根據權利要求1所述的碳基材料輔助散熱光泵浦半導體高能激光器，其特征在于：所述冷卻流體供給裝置提供的冷卻流體與所述碳基材料基板的導熱面直接接觸或最小距離不超過100μm。
6.根據權利要求5所述的碳基材料輔助散熱光泵浦半導體高能激光器，其特征在于：所述冷卻流體供給裝置提供流速超過100m/s的高速流體沖擊所述碳基材料基板的導熱面，以實施散熱。
7.根據權利要求6所述的碳基材料輔助散熱光泵浦半導體高能激光器，其特征在于：所述碳基材料基板的導熱面設有微結構，以擴大所述碳基材料基板與所述冷卻流體之間的熱交換面積。
8.一種激光裝置，其特征在于：包括激光裝置主體和權利要求1-7任一項所述的碳基材料輔助散熱光泵浦半導體高能激光器。
9.根據權利要求8所述的激光裝置，其特征在于：所述激光裝置主體為所述碳基光泵浦半導體高能激光器提供超過2atm的大氣壓的工作環(huán)境。
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