[發明專利]一種氧化銦錫薄膜圖案的制備方法

在審

• 申請號: 202110383560.X
• 申請日: 2021-04-09
• 公開（公告）號: CN113130317A
• 公開（公告）日: 2021-07-16
• 發明（設計）人: 彭俊彪;朱宇博;徐華;徐苗;李民
• 申請（專利權）人: 華南理工大學
• 主分類號: H01L21/321
• 分類號: H01L21/321;H01L21/3213;H01L21/324
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

本發明公開了一種氧化銦錫薄膜圖案的制備方法。氧化銦錫薄膜圖案的制備方法包括：提供基板；在基板的表面形成氧化銦錫薄膜；對氧化銦錫薄膜進行均勻化處理；對氧化銦錫薄膜進行圖案化刻蝕。本發明達到了制備低電阻、高精細的氧化銦錫薄膜圖案的效果。

技術領域

本發明實施例涉及制造技術領域，尤其涉及一種氧化銦錫薄膜圖案的制備方法。

背景技術

氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)薄膜具有優良的導電性和可見光透射率，其廣泛應用于光電器件中，如觸摸屏、傳感器、顯示器及太陽能等領域。

目前，獲得圖案化的ITO薄膜主要采用濕法刻蝕、干法刻蝕或激光刻蝕等方法，均是先進行圖案刻蝕，再對ITO薄膜進行退火處理，先進行刻蝕處理，容易出現過刻蝕和刻蝕不均勻、邊緣不規整的問題，使得ITO薄膜有非晶成分存在，使得ITO薄膜的電阻較大。

發明內容

本發明提供一種氧化銦錫薄膜圖案的制備方法，以實現制備低電阻、高精細的氧化銦錫薄膜圖案。

本發明實施例提供了一種氧化銦錫薄膜圖案的制備方法，氧化銦錫薄膜圖案的制備方法包括：

提供基板；

在所述基板的表面形成氧化銦錫薄膜；

對所述氧化銦錫薄膜進行均勻化處理；

對所述氧化銦錫薄膜進行圖案化刻蝕。

可選地，對所述氧化銦錫薄膜進行均勻化處理包括：

對所述氧化銦錫薄膜進行晶化處理。

可選地，對所述氧化銦錫薄膜進行晶化處理之前還包括：

對所述氧化銦錫薄膜進行平坦化處理。

可選地，對所述氧化銦錫薄膜進行晶化處理包括：

通過退火工藝對所述氧化銦錫薄膜進行晶化處理。

可選地，通過退火工藝對所述氧化銦錫薄膜進行晶化處理包括：

在預設退火溫度下通過退火工藝對所述氧化銦錫薄膜進行晶化處理，其中，所述預設退火溫度大于或等于150攝氏度，且小于或等于350攝氏度。

可選地，在預設退火溫度下通過退火工藝對所述氧化銦錫薄膜進行晶化處理包括：

將所述氧化銦錫薄膜圖案放置在包括烘箱、微波加熱裝置以及激光發射裝置中的至少一種加熱裝置中，在預設退火溫度下通過退火工藝對所述氧化銦錫薄膜進行晶化處理。

可選地，所述激光發射裝置發射的激光的能量密度為大于或等于50毫焦/平方厘米且小于或等于120毫焦/平方厘米。

可選地，通過退火工藝對所述氧化銦錫薄膜進行晶化處理包括：

在真空環境中或者包括氧氣、氮氣、笑氣、臭氧、氬氣以及空氣中的至少一種組成的混合氣體環境中，通過退火工藝對所述氧化銦錫薄膜進行晶化處理。

可選地，對所述氧化銦錫薄膜進行平坦化處理包括：

采用等離子體表面修飾工藝對所述氧化銦錫薄膜進行平坦化處理。

可選地，在所述基板的表面形成氧化銦錫薄膜包括：

通過磁控濺射法、化學氣相沉積法、噴霧熱分解法、溶液法、水熱法以及真空蒸發法中的至少一種在所述基板的表面形成氧化銦錫薄膜。