[發明專利]一種氧化銦錫薄膜圖案的制備方法

在審

• 申請號: 202110383560.X
• 申請日: 2021-04-09
• 公開（公告）號: CN113130317A
• 公開（公告）日: 2021-07-16
• 發明（設計）人: 彭俊彪;朱宇博;徐華;徐苗;李民
• 申請（專利權）人: 華南理工大學
• 主分類號: H01L21/321
• 分類號: H01L21/321;H01L21/3213;H01L21/324
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

1.一種氧化銦錫薄膜圖案的制備方法，其特征在于，包括：

提供基板；

在所述基板的表面形成氧化銦錫薄膜；

對所述氧化銦錫薄膜進行均勻化處理；

對所述氧化銦錫薄膜進行圖案化刻蝕。

2.根據權利要求1所述的氧化銦錫薄膜圖案的制備方法，其特征在于，對所述氧化銦錫薄膜進行均勻化處理包括：

對所述氧化銦錫薄膜進行晶化處理。

3.根據權利要求2所述的氧化銦錫薄膜圖案的制備方法，其特征在于，對所述氧化銦錫薄膜進行晶化處理之前還包括：

對所述氧化銦錫薄膜進行平坦化處理。

4.根據權利要求2所述的氧化銦錫薄膜圖案的制備方法，其特征在于，對所述氧化銦錫薄膜進行晶化處理包括：

通過退火工藝對所述氧化銦錫薄膜進行晶化處理。

5.根據權利要求4所述的氧化銦錫薄膜圖案的制備方法，其特征在于，通過退火工藝對所述氧化銦錫薄膜進行晶化處理包括：

在預設退火溫度下通過退火工藝對所述氧化銦錫薄膜進行晶化處理，其中，所述預設退火溫度大于或等于150攝氏度，且小于或等于350攝氏度。

6.根據權利要求5所述的氧化銦錫薄膜圖案的制備方法，其特征在于，在預設退火溫度下通過退火工藝對所述氧化銦錫薄膜進行晶化處理包括：

將所述氧化銦錫薄膜圖案放置在包括烘箱、微波加熱裝置以及激光發射裝置中的至少一種加熱裝置中，在預設退火溫度下通過退火工藝對所述氧化銦錫薄膜進行晶化處理。

7.根據權利要求6所述的氧化銦錫薄膜圖案的制備方法，其特征在于，所述激光發射裝置發射的激光的能量密度為大于或等于50毫焦/平方厘米且小于或等于120毫焦/平方厘米。

8.根據權利要求5所述的氧化銦錫薄膜圖案的制備方法，其特征在于，通過退火工藝對所述氧化銦錫薄膜進行晶化處理包括：

在真空環境中或者包括氧氣、氮氣、笑氣、臭氧、氬氣以及空氣中的至少一種組成的混合氣體環境中，通過退火工藝對所述氧化銦錫薄膜進行晶化處理。

9.根據權利要求3所述的氧化銦錫薄膜圖案的制備方法，其特征在于，對所述氧化銦錫薄膜進行平坦化處理包括：

采用等離子體表面修飾工藝對所述氧化銦錫薄膜進行平坦化處理。

10.根據權利要求1所述的氧化銦錫薄膜圖案的制備方法，其特征在于，在所述基板的表面形成氧化銦錫薄膜包括：

通過磁控濺射法、化學氣相沉積法、噴霧熱分解法、溶液法、水熱法以及真空蒸發法中的至少一種在所述基板的表面形成氧化銦錫薄膜。