[發(fā)明專利]一種基于連續(xù)介質(zhì)束縛態(tài)的二維材料電光調(diào)制器

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110383230.0
• 申請日: 2021-04-09
• 公開（公告）號: CN113093409A
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王俊嘉;繆庭;孫小菡;董納;樊鶴紅;柏寧豐;劉旭;沈長圣
• 申請（專利權(quán)）人: 東南大學(xué)
• 主分類號: G02F1/025
• 分類號: G02F1/025
• 代理公司: 南京瑞弘專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32249
• 代理人: 吳旭

1.一種基于連續(xù)介質(zhì)束縛態(tài)的二維材料電光調(diào)制器，其特征在于，包括襯底層(1)、硅光波導(dǎo)(2)、電介質(zhì)填充層(3)、第一二維材料層(4)、第二二維材料層(5)、高分子聚合物限制層(6)、第一金屬層(7)、第二金屬層(8)；

所述硅光波導(dǎo)(2)沉積在襯底層(1)上，在所述硅光波導(dǎo)(2)上覆蓋第一二維材料層(4)，所述電介質(zhì)填充層(3)沉積在所述第一二維材料層(4)上，在所述電介質(zhì)填充層(3)上覆蓋第二二維材料層(5)，所述高分子聚合物限制層(6)沉積在所述第二二維材料層(5)上，并位于所述硅光波導(dǎo)(2)中央位置上方，所述第一金屬層(7)與第二金屬層(8)分別沉積在所述第一二維材料層(4)上方靠右側(cè)和所述第二二維材料層(5)上方靠左側(cè)，所述第一二維材料層(4)與第二二維材料層(5)在所述高分子聚合物限制層(6)下方存在重疊。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于連續(xù)介質(zhì)束縛態(tài)的二維材料電光調(diào)制器，其特征在于，所述第一二維材料層(4)和第二二維材料層(5)采用的二維平面材料為石墨烯或過渡金屬硫化物。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于連續(xù)介質(zhì)束縛態(tài)的二維材料電光調(diào)制器，其特征在于，所述高分子聚合物限制層(6)采用高分子聚合物材料。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于連續(xù)介質(zhì)束縛態(tài)的二維材料電光調(diào)制器，其特征在于，所述電介質(zhì)填充層(3)材料為氧化鉿或氧化鋁。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于連續(xù)介質(zhì)束縛態(tài)的二維材料電光調(diào)制器，其特征在于，所述硅光波導(dǎo)(2)滿足單模工作條件；所述硅光波導(dǎo)(2)滿足截止條件，波導(dǎo)中的傳播模式截止。