[發明專利]一種具有防靜電結構的顯示屏及其制備方法有效
| 申請號: | 202110381970.0 | 申請日: | 2021-04-09 |
| 公開(公告)號: | CN113178443B | 公開(公告)日: | 2022-06-10 |
| 發明(設計)人: | 徐健 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;H01L27/32;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 張曉薇 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 具有 靜電 結構 顯示屏 及其 制備 方法 | ||
本發明公開了一種具有防靜電結構的顯示屏及其制備方法,所述顯示屏包括顯示區和非顯示區,多條第一金屬走線設于所述顯示區內,每條第一金屬走線的至少一端延伸至所述非顯示區;多條第二金屬走線設于所述顯示區內,每條第二金屬走線的至少一端延伸至所述非顯示區;以及多個防護器件,位于所述非顯示區內,每一防護器件連接至所述第一金屬走線或所述第二金屬走線的一端。本發明的顯示屏無需放電路徑,無需設置TFT放電型電路,就可以對顯示區的走線起到靜電防護的作用,節省顯示屏的非顯示區的寬度,防護效果好,工藝制程簡單,可兼容顯示屏中顯示區制程。
技術領域
本申請涉及防靜電領域,尤其涉及一種具有防靜電結構的顯示屏及其制備方法。
背景技術
有效顯示區域的顯示屏組裝成的整機,在測試靜電能力時會直接打有孔的地方,而顯示屏的有效顯示區域中用于放置元器件的是一個孔洞區,如果不做靜電防護設計,靜電會直接把此處放置的元器件破壞損毀。而且對于顯示屏的有效顯示區的走線也會受到靜電的影響,從而造成顯示不良,影響手機的顯示品質。在制造顯示屏的過程中,靜電會造成很多不良的發生,所以LCD、OLED及mini/micro等顯示屏上的防靜電擊穿(ESD,electrostatic discharge)結構的設計是很重要的。
防ESD電路一般設計在有效的顯示區(Active Area)的周邊的非顯示區,并且占據一定的空間。目前,防ESD電路設計思路主要有兩種,第一種為疏,如尖端放電型電路、浮柵TFT放電型電路、TFT二極管放電型電路等等。第二種為堵,如在端口處設置保險絲的設計。其中,以疏為設計思路的主要目的是:當靜電發生時,通過放電電路將靜電訊號疏導至GND/Com等大容量訊號上,從而保護易受損線路。以堵為設計思路的主要目的是:當靜電發生時,線路會產生的瞬時大電流將端口處保險絲熔斷,防止靜電訊號進入面板內造成破壞。
雖然以上兩種方案的設計均可以起到ESD防護的作用,但也存在各自的缺點。具體的,尖端放電型電路的放電能力差,ESD防護效果較差。浮柵TFT放電型電路和TFT二極管放電型電路,雖然這兩種電路都是利用TFT進行放電,但其電路設計復雜,在正常工作的狀態下,TFT存在漏電的風險,同時TFT器件占據一定的空間,導致非顯示區的寬度增加,不適用于目前主流的窄邊框、超窄邊框或拼接的顯示產品。在端口處設置保險絲的設計,雖然保險絲的熔斷需要一定的時間,但也可能存在熔斷不徹底的風險,導致防ESD電路炸傷風險較高。
發明內容
本發明的目的在于,提供一種具有防靜電結構的顯示屏及其制備方法,以解決現有防ESD電路放電能力差、防護效果不佳、容易引起故障以及防ESD電路設置在顯示屏的邊緣區域不利于實現窄邊框的技術問題。
為實現上述目的,本發明提供一種具有防靜電結構的顯示屏,包括顯示區和非顯示區,多條第一金屬走線,設于所述顯示區內,每條第一金屬走線的至少一端延伸至所述非顯示區;多條第二金屬走線,設于所述顯示區內,每條第二金屬走線的至少一端延伸至所述非顯示區;以及多個防護器件,位于所述非顯示區內,每一防護器件連接至所述第一金屬走線或所述第二金屬走線的一端。
進一步地,位于所述非顯示區的顯示屏包括:基板;第一金屬層,設于所述基板的頂面;所述第一金屬層被刻蝕后形成所述第一金屬走線;第一絕緣層,設于所述第一金屬層頂面;以及第二金屬層,設于所述第一絕緣層頂面,所述第二金屬層被刻蝕后形成所述第二金屬走線。
進一步地,所述第一絕緣層包括第一通孔,貫穿至所述第一金屬層的頂面;所述第二金屬層貼附于所述第一通孔的孔壁,且貼附于位于所述第一通孔內的第一金屬層頂面。
進一步地,所述第一金屬層與所述第二金屬層在一第一通孔內彼此連接,形成一匝電感線圈。
進一步地,兩個以上金屬層在至少一通孔內連接,形成至少一電感線圈;其中,在每一個通孔內的兩個以上金屬層,形成所述線圈的一匝。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





