[發(fā)明專(zhuān)利]一種具有防靜電結(jié)構(gòu)的顯示屏及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110381970.0 | 申請(qǐng)日: | 2021-04-09 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113178443B | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-06-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 徐健 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L27/02 | 分類(lèi)號(hào): | H01L27/02;H01L27/32;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人: | 張曉薇 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 具有 靜電 結(jié)構(gòu) 顯示屏 及其 制備 方法 | ||
1.一種具有防靜電結(jié)構(gòu)的顯示屏,包括顯示區(qū)和非顯示區(qū),其特征在于,包括:
多條第一金屬走線(xiàn),設(shè)于所述顯示區(qū)內(nèi),每條第一金屬走線(xiàn)的至少一端延伸至所述非顯示區(qū);
多條第二金屬走線(xiàn),設(shè)于所述顯示區(qū)內(nèi),每條第二金屬走線(xiàn)的至少一端延伸至所述非顯示區(qū);以及
多個(gè)防護(hù)器件,位于所述非顯示區(qū)內(nèi),每一防護(hù)器件連接至所述第一金屬走線(xiàn)或所述第二金屬走線(xiàn)的一端;
其中,位于所述非顯示區(qū)的顯示屏包括:
基板;
第一金屬層,設(shè)于所述基板的頂面;所述第一金屬層被刻蝕后形成所述第一金屬走線(xiàn);
第一絕緣層,設(shè)于所述第一金屬層頂面;以及
第二金屬層,設(shè)于所述第一絕緣層頂面,所述第二金屬層被刻蝕后形成所述第二金屬走線(xiàn);
其中,兩個(gè)以上金屬層在至少一通孔內(nèi)連接,形成至少一電感線(xiàn)圈;在每一個(gè)通孔內(nèi)的兩個(gè)以上金屬層,形成所述線(xiàn)圈的一匝。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示屏,其特征在于,
所述第一絕緣層包括第一通孔,貫穿至所述第一金屬層的頂面;
所述第二金屬層貼附于所述第一通孔的孔壁,且貼附于位于所述第一通孔內(nèi)的第一金屬層頂面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示屏,其特征在于,
所述第一金屬層與所述第二金屬層在一第一通孔內(nèi)彼此連接,形成一匝電感線(xiàn)圈。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示屏,其特征在于,
所述第一金屬層包括第二通孔,貫穿至所述基板的頂面;
所述第一絕緣層貼附于所述第二通孔的孔壁,且貼附于所述基板位于所述第二通孔內(nèi)的頂面;
所述第一絕緣層頂面形成一凹槽,與所述第二通孔相對(duì)設(shè)置;所述第二金屬層貼附于所述凹槽的內(nèi)側(cè)壁及底面。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示屏,其特征在于,還包括:
第二絕緣層,設(shè)于所述第二金屬層頂面;
第三金屬層,設(shè)于所述第二絕緣層頂面,所述第三金屬層被刻蝕后形成第三金屬走線(xiàn)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示屏,其特征在于,
所述第二絕緣層包括第三通孔,貫穿至所述第二金屬層的頂面,所述第三通孔與所述第一通孔相對(duì)設(shè)置;
所述第三金屬層貼附于所述第三通孔的孔壁,且貼附于位于所述第一通孔內(nèi)的第二金屬層頂面。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示屏,其特征在于,還包括:
靜電傳導(dǎo)裝置,位于所述非顯示區(qū)內(nèi),且其一端連接至所述第一金屬走線(xiàn)或所述第二金屬走線(xiàn)的一端,另一端連接至所述防護(hù)器件。
8.一種具有防靜電結(jié)構(gòu)的顯示屏的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
形成第一金屬層于一基板上;
對(duì)所述第一金屬層進(jìn)行刻蝕處理,形成第一金屬走線(xiàn)及第二通孔;
形成第一絕緣層于所述第一金屬走線(xiàn)上,所述第一絕緣層貼附于所述第二通孔的孔壁,且貼附于所述基板位于所述第二通孔內(nèi)的頂面,形成一凹槽;
對(duì)所述第一絕緣層進(jìn)行挖孔處理,形成第一通孔,所述第一通孔貫穿至所述第一金屬層的頂面;以及
形成第二金屬層于所述第一絕緣層上,貼附于所述第一通孔的孔壁,且貼附于位于所述第一通孔內(nèi)的第一金屬層頂面,所述第二金屬層貼附于所述凹槽的內(nèi)側(cè)壁及底面;
其中,兩個(gè)以上金屬層在至少一通孔內(nèi)連接,形成至少一電感線(xiàn)圈;在每一個(gè)通孔內(nèi)的兩個(gè)以上金屬層,形成所述線(xiàn)圈的一匝。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專(zhuān)門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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