[發(fā)明專利]膜處理設(shè)備

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110380825.0
• 申請(qǐng)日: 2021-04-09
• 公開（公告）號(hào): CN113174587A
• 公開（公告）日: 2021-07-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王質(zhì)武
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): C23C16/455
• 分類號(hào): C23C16/455
• 代理公司: 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 杜蕾

一種膜處理設(shè)備，包括：主體，包括第一腔體、第一進(jìn)氣口、第一出氣口，所述第一進(jìn)氣口和所述第一出氣口分別連通所述第一腔體；第一電極和第二電極，位于所述第一腔體內(nèi)，所述第一電極和所述第二電極相對(duì)設(shè)置以圍成處理腔體；以及導(dǎo)流組件，位于所述第一腔體內(nèi)，包括第二腔體、第二進(jìn)氣口、第二出氣口，所述第二進(jìn)氣口和所述第二出氣口分別連通所述第二腔體，所述第二進(jìn)氣口正對(duì)所述處理腔體的側(cè)部，所述第二出氣口連通所述第一出氣口；通過在所述膜處理設(shè)備內(nèi)設(shè)置導(dǎo)流組件，使得所述膜處理設(shè)備內(nèi)的氣流分布更均勻，從而改善了所述膜處理設(shè)備的氣流均勻性。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，特別是涉及一種膜處理設(shè)備。

背景技術(shù)

在現(xiàn)有的化學(xué)氣相沉積裝置中，制程氣體從上電極進(jìn)入腔體發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，反應(yīng)生成物沉積在基板表面，多余的制程氣體或反應(yīng)副產(chǎn)物被泵抽走，成膜或刻蝕制程腔室一般只有一個(gè)出氣口，距離抽氣口近的地方壓力相對(duì)偏低，距離抽氣口遠(yuǎn)的地方壓力相對(duì)偏高；而制程氣體分布不均，會(huì)造成成膜或刻蝕不均，氣流不均也易造成產(chǎn)品顆粒聚集。

因此，現(xiàn)有的膜處理設(shè)備技術(shù)中，還存在著出氣口的位置設(shè)置不合理，影響成膜或刻蝕均勻性的問題，急需改進(jìn)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明涉及一種膜處理設(shè)備，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中存在著出氣口的位置設(shè)置不合理，影響成膜或刻蝕均勻性的問題。

為解決上述問題，本發(fā)明提供的技術(shù)方案如下：

本發(fā)明提供的一種膜處理設(shè)備，包括：

主體，包括第一腔體、第一進(jìn)氣口、第一出氣口，所述第一進(jìn)氣口和所述第一出氣口分別連通所述第一腔體；

第一電極和第二電極，位于所述第一腔體內(nèi)，所述第一電極和所述第二電極相對(duì)設(shè)置以圍成處理腔體；以及

導(dǎo)流組件，位于所述第一腔體內(nèi)，包括第二腔體、第二進(jìn)氣口、第二出氣口，所述第二進(jìn)氣口和所述第二出氣口分別連通所述第二腔體，所述第二進(jìn)氣口正對(duì)所述處理腔體的側(cè)部，所述第二出氣口連通所述第一出氣口。

在一些實(shí)施例中，所述導(dǎo)流組件包括相對(duì)設(shè)置的第一絕緣板和第二絕緣板，以及第三絕緣板，所述第三絕緣板連接于所述第一絕緣板和所述第二絕緣板的一端，所述第一絕緣板、所述第二絕緣板、所述第三絕緣板和所述主體的設(shè)有所述第一出氣口的腔壁圍成第二腔體。

在一些實(shí)施例中，所述第一絕緣板、第二絕緣板以及第三絕緣板的材料為氧化鋁。

在一些實(shí)施例中，所述第一出氣口位于所述主體的底部或者側(cè)部。

在一些實(shí)施例中，所述導(dǎo)流組件圍繞所述處理腔體，所述導(dǎo)流組件包括多個(gè)所述第二進(jìn)氣口。

在一些實(shí)施例中，所述第一電極和所述第二電極呈長方體狀，所述導(dǎo)流組件包括相對(duì)的第一側(cè)和第二側(cè)，以及相對(duì)的第三側(cè)和第四側(cè)，所述第一側(cè)、所述第二側(cè)、所述第三側(cè)和所述第四側(cè)圍繞所述處理腔體，所述第一側(cè)和所述第二側(cè)平行于所述第一電極和所述第二電極的長邊，所述第三側(cè)和所述第四側(cè)平行于所述第一電極和所述第二電極的短邊，多個(gè)所述第二進(jìn)氣口位于所述第一側(cè)、所述第二側(cè)、所述第三側(cè)和所述第四側(cè)。

在一些實(shí)施例中，所述主體包括兩所述第一出氣口，兩所述第一出氣口分別位于所述第三側(cè)和所述第四側(cè)。

在一些實(shí)施例中，多個(gè)所述第二進(jìn)氣口均勻分布。

在一些實(shí)施例中，所述第一電極比所述第二電極更靠近所述第一進(jìn)氣口，所述第一電極設(shè)有連通所述第一進(jìn)氣口的通孔。

在一些實(shí)施例中，所述第二進(jìn)氣口的開口方向與所述第一電極和所述第二電極平行。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的一種膜處理設(shè)備的有益效果為：