[發明專利]膜處理設備在審
| 申請號: | 202110380825.0 | 申請日: | 2021-04-09 |
| 公開(公告)號: | CN113174587A | 公開(公告)日: | 2021-07-27 |
| 發明(設計)人: | 王質武 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 杜蕾 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 設備 | ||
1.一種膜處理設備,其特征在于,包括:
主體,包括第一腔體、第一進氣口、第一出氣口,所述第一進氣口和所述第一出氣口分別連通所述第一腔體;
第一電極和第二電極,位于所述第一腔體內,所述第一電極和所述第二電極相對設置以圍成處理腔體;以及
導流組件,位于所述第一腔體內,包括第二腔體、第二進氣口、第二出氣口,所述第二進氣口和所述第二出氣口分別連通所述第二腔體,所述第二進氣口正對所述處理腔體的側部,所述第二出氣口連通所述第一出氣口。
2.根據權利要求1所述的膜處理設備,其特征在于,所述導流組件包括相對設置的第一絕緣板和第二絕緣板,以及第三絕緣板,所述第三絕緣板連接于所述第一絕緣板和所述第二絕緣板的一端,所述第一絕緣板、所述第二絕緣板、所述第三絕緣板和所述主體的設有所述第一出氣口的腔壁圍成第二腔體。
3.根據權利要求2所述的膜處理設備,其特征在于,所述第一絕緣板、第二絕緣板以及第三絕緣板的材料為氧化鋁。
4.根據權利要求2所述的膜處理設備,其特征在于,所述第一出氣口位于所述主體的底部或者側部。
5.根據權利要求1所述的膜處理設備,其特征在于,所述導流組件圍繞所述處理腔體,所述導流組件包括多個所述第二進氣口。
6.根據權利要求5所述的膜處理設備,其特征在于,所述第一電極和所述第二電極呈長方體狀,所述導流組件包括相對的第一側和第二側,以及相對的第三側和第四側,所述第一側、所述第二側、所述第三側和所述第四側圍繞所述處理腔體,所述第一側和所述第二側平行于所述第一電極和所述第二電極的長邊,所述第三側和所述第四側平行于所述第一電極和所述第二電極的短邊,多個所述第二進氣口位于所述第一側、所述第二側、所述第三側和所述第四側。
7.根據權利要求6所述的膜處理設備,其特征在于,所述主體包括兩所述第一出氣口,兩所述第一出氣口分別位于所述第三側和所述第四側。
8.根據權利要求5所述的膜處理設備,其特征在于,多個所述第二進氣口均勻分布。
9.根據權利要求1所述的膜處理設備,其特征在于,所述第一電極比所述第二電極更靠近所述第一進氣口,所述第一電極設有連通所述第一進氣口的通孔。
10.根據權利要求1所述的膜處理設備,其特征在于,所述第二進氣口的開口方向與所述第一電極和所述第二電極平行。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





