[發明專利]偵測浸沒式光刻機的浸沒罩的排液孔堵塞的方法

在審

• 申請號: 202110380414.1
• 申請日: 2021-04-09
• 公開（公告）號: CN113204174A
• 公開（公告）日: 2021-08-03
• 發明（設計）人: 李玉華;黃發彬;程宇;吳長明;姚振海;金樂群
• 申請（專利權）人: 華虹半導體（無錫）有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 郭四華

本發明公開了一種偵測浸沒式光刻機的浸沒罩的排液孔堵塞的方法，包括：步驟一、在晶圓工件臺上設置壓力傳感器；步驟二、將浸沒罩從排水模式切換成吹氣模式；步驟三、將浸沒罩的各排液孔獨立掃過壓力傳感器并記錄各排液孔對應的壓力值；步驟四、根據浸沒罩的各排液孔的壓力值確定浸沒罩的各排液孔的堵塞狀態。本發明能快速偵測浸沒罩中的每一個排液孔的堵塞狀態。

技術領域

本發明涉及一種半導體集成電路的制造方法，特別涉及一種偵測浸沒(immersion)式光刻機的浸沒罩(immersion hood)的排液孔堵塞的方法。

背景技術

和干式光刻機相比，浸沒式光刻機的投影透鏡組會浸沒在液體中，光線通過液體后再對晶圓(wafer)上的光刻膠進行曝光，由于液體會使光的波長縮短，故能增加分辨率，能實現對更小尺寸的圖形的曝光。浸沒式光刻機中光線穿過的液體是通過浸沒罩來提供。如圖1所示，是現有偵測浸沒式光刻機曝光時的示意圖；現有偵測浸沒式光刻機中包括晶圓工件臺(wafer stage)101，所述晶圓工件臺101用于放置晶圓102。

浸沒罩103設置在浸沒式光刻機的投影透鏡組104的底部，投影透鏡組104中包括多個透鏡105。

在曝光時，所述浸沒罩103處于排水模式，所述浸沒罩103的各排液孔107中會流動液體106，所述浸沒罩103在所述晶圓102的曝光區域和所述投影透鏡組104之間提供液體106，所述液體106縮短所述曝光的光線波長。所述液體106包括水。

在進行所述曝光時，通過掃描式移動所述晶圓工件臺101實現對所述晶圓102的各區域進行曝光。曝光完成后光罩(reticle)上的圖形會轉移到所述晶圓102的光刻膠上。

所述浸沒罩103中所包括的所述排液孔107的數量為2000個以上。圖2中顯示了圖1中浸沒罩103的多個排液孔107，其中堵塞了的排液孔單獨用標記107a標出。

所述晶圓102的一個區域曝光完成后，會移動所述晶圓工件臺101實現對所述晶圓102的下一個區域的曝光。所述晶圓102的一個區域曝光完成后，如果所述排液孔107有堵塞，則所述液體106無法順利排出，這樣液體就會殘留在所述晶圓102上。如圖3所示，是采用圖1的現有偵測浸沒式光刻機曝光時排液孔堵塞所導致的光刻膠異常圖形照片；曝光完成后的所述晶圓102上形成有標記108對應的光刻膠圖形，在虛線圈109所示區域中為殘留有液體的區域，該區域中的光刻膠圖形受到了影響。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是提供一種偵測浸沒式光刻機的浸沒罩的排液孔堵塞的方法，能快速偵測浸沒罩中的每一個排液孔的堵塞狀態。

為解決上述技術問題，本發明提供的偵測浸沒式光刻機的浸沒罩的排液孔堵塞的方法包括如下步驟：

步驟一、在晶圓工件臺上設置壓力傳感器。

步驟二、將浸沒罩從排水模式切換成吹氣模式；在所述吹氣模式中，所述浸沒罩的各排液孔中會流動氣體。

步驟三、將所述浸沒罩的各所述排液孔獨立掃過所述壓力傳感器并記錄各所述排液孔對應的壓力值。

步驟四、根據所述浸沒罩的各所述排液孔的壓力值確定所述浸沒罩的各所述排液孔的堵塞狀態。

進一步的改進是，步驟三中，通過掃描式移動所述晶圓工件臺實現將所述浸沒罩的各所述排液孔獨立掃過所述壓力傳感器。

進一步的改進是，步驟三中，還同時記錄和各所述壓力值對應的所述晶圓工件臺的位置，所述晶圓工件臺的位置和所述排液孔的位置對應。

進一步的改進是，步驟四中，制作所述壓力值和所述晶圓工件臺的位置形成的壓力測量曲線，從所述壓力測量曲線中確定異常壓力值對應的所述晶圓工件臺的位置，并進而確定有堵塞的所述排液孔的位置。