[發(fā)明專利]偵測浸沒式光刻機的浸沒罩的排液孔堵塞的方法

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• 申請日: 2021-04-09
• 公開（公告）號: CN113204174A
• 公開（公告）日: 2021-08-03
• 發(fā)明（設計）人: 李玉華;黃發(fā)彬;程宇;吳長明;姚振海;金樂群
• 申請（專利權）人: 華虹半導體（無錫）有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 郭四華

1.一種偵測浸沒式光刻機的浸沒罩的排液孔堵塞的方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟一、在晶圓工件臺上設置壓力傳感器；

步驟二、將浸沒罩從排水模式切換成吹氣模式；在所述吹氣模式中，所述浸沒罩的各排液孔中會流動氣體；

步驟三、將所述浸沒罩的各所述排液孔獨立掃過所述壓力傳感器并記錄各所述排液孔對應的壓力值；

步驟四、根據所述浸沒罩的各所述排液孔的壓力值確定所述浸沒罩的各所述排液孔的堵塞狀態(tài)。

2.如權利要求1所述的偵測浸沒式光刻機的浸沒罩的排液孔堵塞的方法，其特征在于：步驟三中，通過掃描式移動所述晶圓工件臺實現(xiàn)將所述浸沒罩的各所述排液孔獨立掃過所述壓力傳感器。

3.如權利要求2所述的偵測浸沒式光刻機的浸沒罩的排液孔堵塞的方法，其特征在于：步驟三中，還同時記錄和各所述壓力值對應的所述晶圓工件臺的位置，所述晶圓工件臺的位置和所述排液孔的位置對應。

4.如權利要求3所述的偵測浸沒式光刻機的浸沒罩的排液孔堵塞的方法，其特征在于：步驟四中，制作所述壓力值和所述晶圓工件臺的位置形成的壓力測量曲線，從所述壓力測量曲線中確定異常壓力值對應的所述晶圓工件臺的位置，并進而確定有堵塞的所述排液孔的位置。

5.如權利要求4所述的偵測浸沒式光刻機的浸沒罩的排液孔堵塞的方法，其特征在于：步驟四中從所述壓力測量曲線中確定異常壓力值的方法為：

計算標準差；

將所述壓力測量曲線中的偏離超過3個標準差或者6個標準差的壓力值確定為所述異常壓力值。

6.如權利要求1所述的偵測浸沒式光刻機的浸沒罩的排液孔堵塞的方法，其特征在于：步驟二中，在所述排水模式中，所述浸沒罩的各排液孔中會流動液體。

7.如權利要求6所述的偵測浸沒式光刻機的浸沒罩的排液孔堵塞的方法，其特征在于：所述浸沒罩設置在浸沒式光刻機的投影透鏡組的底部。

8.如權利要求7所述的偵測浸沒式光刻機的浸沒罩的排液孔堵塞的方法，其特征在于：所述晶圓工件臺用于放置晶圓。

9.如權利要求8所述的偵測浸沒式光刻機的浸沒罩的排液孔堵塞的方法，其特征在于：在曝光時，所述浸沒罩處于排水模式，所述浸沒罩在所述晶圓的曝光區(qū)域和所述投影透鏡組之間提供液體，所述液體縮短所述曝光的光線波長。

10.如權利要求9所述的偵測浸沒式光刻機的浸沒罩的排液孔堵塞的方法，其特征在于：所述液體包括水。

11.如權利要求9所述的偵測浸沒式光刻機的浸沒罩的排液孔堵塞的方法，其特征在于：在進行所述曝光時，通過掃描式移動所述晶圓工件臺實現(xiàn)對所述晶圓的各區(qū)域進行曝光。

12.如權利要求1所述的偵測浸沒式光刻機的浸沒罩的排液孔堵塞的方法，其特征在于：所述浸沒罩中所包括的所述排液孔的數量為2000個以上。

13.如權利要求1或4所述的偵測浸沒式光刻機的浸沒罩的排液孔堵塞的方法，其特征在于：所述排液孔為堵塞狀態(tài)時對應的所述壓力值會降低。

14.如權利要求5所述的偵測浸沒式光刻機的浸沒罩的排液孔堵塞的方法，其特征在于：步驟四中在計算所述標準差之前還包括對所述壓力值進行數值處理，所述數值處理包括：先進行信號平滑，再取微分，最后取平均算出壓力峰值。

15.如權利要求1所述的偵測浸沒式光刻機的浸沒罩的排液孔堵塞的方法，其特征在于：步驟二中，在所述吹氣模式中流動的氣體包括空氣、氮氣或惰性氣體。