[發(fā)明專利]晶片承載結(jié)構(gòu)和料盤

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110379655.4
• 申請日: 2021-04-08
• 公開（公告）號: CN113078096A
• 公開（公告）日: 2021-07-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 郎欣林;羅會才;閆靜
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市豐泰工業(yè)科技有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/673
• 代理公司: 深圳智匯遠(yuǎn)見知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44481
• 代理人: 艾青;牛悅涵

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種晶片承載結(jié)構(gòu)和料盤。晶片承載結(jié)構(gòu)包括：粘接層和承載層，所述粘接層成型于所述承載層上，所述粘接層用于粘接晶片，所述承載層的延伸率的取值范圍為0％至5％。利用本發(fā)明實(shí)施例提供的晶片承載結(jié)構(gòu)，通過粘接層對晶片進(jìn)行粘接，在轉(zhuǎn)移晶片承載結(jié)構(gòu)時，晶片承載結(jié)構(gòu)上的晶片不容易發(fā)生位移，且在后續(xù)將目標(biāo)晶片從晶片承載結(jié)構(gòu)上剝離時，可以僅針對目標(biāo)晶片進(jìn)行剝離，而不會影響到其他不需要剝離的晶片。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種晶片承載結(jié)構(gòu)和料盤。

背景技術(shù)

固晶即通過膠體(對于LED來說，膠體一般是導(dǎo)電膠或絕緣膠)把晶片粘結(jié)在支架的指定區(qū)域，形成熱通路或電通路，為后序的打線連接提供條件的工序。

在固晶過程中，將粘覆有多個晶片的晶片承載結(jié)構(gòu)的外周緣通過子母環(huán)進(jìn)行固定，從而形成料盤，然后將料盤放入料倉中進(jìn)行固晶操作。現(xiàn)有技術(shù)中的晶片承載結(jié)構(gòu)一般采用藍(lán)膜制成，即采用藍(lán)寶石制備而成。

但是由于藍(lán)膜具有一定的延展性，將多個晶片從一個料盤轉(zhuǎn)移至另一個料盤的過程中，粘覆有晶片的藍(lán)膜會被拉伸而產(chǎn)生形變，這樣會導(dǎo)致多個晶片之間產(chǎn)生位移，進(jìn)而改變晶片之間的排布位置，從而影響晶片的性能。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決相關(guān)技術(shù)中的晶片承載結(jié)構(gòu)容易發(fā)生形變導(dǎo)致多個晶片之間發(fā)生位移的技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種晶片承載結(jié)構(gòu)和料盤。

第一方面，本發(fā)明提供了一種晶片承載結(jié)構(gòu)，包括：粘接層和承載層，所述粘接層成型于所述承載層上，所述粘接層用于粘接晶片，所述承載層的延伸率的取值范圍為0％至5％。

可選地，所述承載層包括PET膜。

可選地，所述承載層的透光率的取值范圍為96％至100％，且所述粘接層的透光率的取值范圍為75％至100％。

可選地，所述粘接層包括紫外線失粘劑。

可選地，所述紫外線失粘劑的粘性的取值范圍為50g至1500g。

第二方面，本發(fā)明提供了一種料盤，包括：支撐件和上樹的晶片承載結(jié)構(gòu)，所述支撐件上開設(shè)有通孔，所述晶片承載結(jié)構(gòu)覆蓋所述通孔。

可選地，所述支撐件包括金屬材料支撐件、高分子材料支撐件、陶瓷材料支撐件、玻璃材料支撐件或復(fù)合材料支撐件中的一種或多種。

可選地，所述支撐件的厚度介于1mm至10mm之間。

可選地，所述通孔包括直線段和圓弧段，所述圓弧段與所述直線段首尾連接，所述晶片承載結(jié)構(gòu)覆蓋所述直線段和所述圓弧段。

可選地，所述支撐件的外部輪廓為矩形，所述直線段與所述支撐件的一條側(cè)邊平行。

本發(fā)明實(shí)施例提供的上述技術(shù)方案與現(xiàn)有技術(shù)相比具有如下優(yōu)點(diǎn)：

本發(fā)明實(shí)施例提供的晶片承載結(jié)構(gòu)和料盤，晶片承載結(jié)構(gòu)包括：粘接層和承載層，所述粘接層成型于所述承載層上，所述粘接層用于粘接晶片，所述承載層的延伸率的取值范圍為0％至2％。利用粘接層粘住晶片后，在將一個晶片承載結(jié)構(gòu)上的晶片轉(zhuǎn)移至另一個晶片承載結(jié)構(gòu)的過程中，多個晶片之間不容易發(fā)生位移；且在后續(xù)將晶片從晶片承載結(jié)構(gòu)上剝離時，剝離的目標(biāo)晶片時不會影響到非目標(biāo)晶片。

附圖說明

此處的附圖被并入說明書中并構(gòu)成本說明書的一部分，示出了符合本發(fā)明的實(shí)施例，并與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

附圖中：