[發(fā)明專利]晶片承載結(jié)構(gòu)和料盤(pán)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110379655.4 | 申請(qǐng)日: | 2021-04-08 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113078096A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-07-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 郎欣林;羅會(huì)才;閆靜 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳市豐泰工業(yè)科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/683 | 分類號(hào): | H01L21/683;H01L21/673 |
| 代理公司: | 深圳智匯遠(yuǎn)見(jiàn)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44481 | 代理人: | 艾青;牛悅涵 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市寶*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 晶片 承載 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種晶片承載結(jié)構(gòu),其特征在于,包括:粘接層和承載層,所述粘接層成型于所述承載層上,所述粘接層用于粘接晶片,所述承載層的延伸率的取值范圍為0%至5%。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片承載結(jié)構(gòu),其特征在于,所述承載層包括PET膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片承載結(jié)構(gòu),其特征在于,所述承載層的透光率的取值范圍為75%至100%,且所述粘接層的透光率的取值范圍為75%至100%。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片承載結(jié)構(gòu),其特征在于,所述粘接層包括紫外線失粘劑。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶片承載結(jié)構(gòu),其特征在于,所述紫外線失粘劑的粘性的取值范圍為50g至1500g。
6.一種料盤(pán),其特征在于,包括:支撐件和如權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的晶片承載結(jié)構(gòu),所述支撐件上開(kāi)設(shè)有通孔,所述晶片承載結(jié)構(gòu)覆蓋所述通孔。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的料盤(pán),其特征在于,所述支撐件包括金屬材料支撐件、高分子材料支撐件、陶瓷材料支撐件、玻璃材料支撐件、或復(fù)合材料支撐件中的一種或多種。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的料盤(pán),其特征在于,所述支撐件的厚度介于1mm至10mm之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的料盤(pán),其特征在于,所述通孔包括直線段和圓弧段,所述圓弧段與所述直線段首尾連接,所述晶片承載結(jié)構(gòu)覆蓋所述直線段和所述圓弧段。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的料盤(pán),其特征在于,所述支撐件的外部輪廓為矩形,所述直線段與所述支撐件的一條側(cè)邊平行。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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