[發明專利]一種量子點發光層的制備方法

有效

• 申請號: 202110379088.2
• 申請日: 2021-04-08
• 公開（公告）號: CN113097423B
• 公開（公告）日: 2023-05-23
• 發明（設計）人: 孫小衛;王愷;賈思琪;馬精瑞;劉湃;高丹鵬
• 申請（專利權）人: 深圳撲浪創新科技有限公司
• 主分類號: H10K71/13
• 分類號: H10K71/13;H10K71/00;H10K50/115;H10K59/10
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 潘登

本發明涉及一種量子點發光層的制備方法，所述制備方法包括如下步驟：將聚合物涂覆于基板上，形成聚合物阻擋層，再將量子點墨水根據像素化圖案在所述聚合物阻擋層上打印，得到所述量子點發光層；所述量子點墨水包括量子點材料和有機溶劑的組合。本發明所述制備方法不僅工藝簡單，還可以大面積制備像素化量子點發光層，所述量子點發光層形成的顯示器件具有較高的電流效率和光學膜片L70壽命。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種量子點發光層的制備方法。

背景技術

有機發光二極管和量子點發光二極管的研究逐漸成熟，器件效率及水平逐漸提高，由于量子點的膠體化特性，量子點發光二極管像素化主流的技術是利用光刻技術實現，即，在基板上制備對應的像素bank，再利用噴墨打印，在bank內進行功能層的堆積，最終形成像素化的量子點發光器件。但是，由于工藝的復雜性，現如今還沒有辦法廣泛的應用，而且對于大面積像素化技術的開發也迫在眉睫。

CN107611021A公開了一種制備高精度圖案化的量子點發光層的方法及其應用，其公開的制備高精度圖案化的量子點發光層的方法包括：(1)在襯底的一側涂布反轉光刻膠，并對反轉光刻膠進行光刻處理，以便形成縱截面為倒梯形的鏤空圖案；(2)對鏤空圖案處的襯底進行疏水處理，并沉積量子點薄膜；(3)對量子點薄膜進行交聯處理；(4)剝離反轉光刻膠。其公開的制備方法使用反轉光刻膠后，可使得顯影后光刻膠的縱截面為倒梯形結構，如此能使光刻膠更易被剝離，從而使量子點發光層圖形的精度更高，進而使制備量子點發光層圖形方法的良品率顯著提高，但是其公開的制備方法工藝復雜，且難以實現大面積像素化量子點發光層的制備。

CN109599508A公開了一種電致發光器件及其制備方法，其公開的電致發光器件的制備方法包括：通過霧化沉積的方式制備空穴傳輸層、量子點發光層及電子傳輸層中的任意一種或多種，其中，制備空穴傳輸層具體包括：將空穴傳輸層墨水霧化后，通過沉積方式經掩模版沉積后，固化成膜；制備量子點發光層具體包括：將量子點墨水霧化后，通過沉積方式經掩模版沉積后，固化成膜；制備電子傳輸層具體包括：將電子傳輸層墨水霧化后，通過沉積方式經掩模版沉積后，固化成膜。其公開的電致發光器件的制備方法，利用霧化沉積方式制備空穴傳輸層、量子點發光層及電子傳輸層中的任意一種或多種，與掩模版相配合來實現空穴傳輸層、量子點發光層及電子傳輸層的像素化，實現高像素顯示，像素可達1000PPI。

因此，開發一種工藝簡單且能夠制備大面積像素化高性能量子點發光層的方法是非常必要的。

發明內容

針對現有技術的不足，本發明的目的在于提供一種量子點發光層的制備方法，所述制備方法不僅工藝簡單，還可以大面積制備像素化量子點發光層，所述量子點發光層形成的顯示器件具有較高的電流效率和光學膜片L70壽命。

為達此目的，本發明采用以下技術方案：

本發明提供一種量子點發光層的制備方法，所述制備方法包括如下步驟：將聚合物涂覆于基板上，形成聚合物阻擋層，再將量子點墨水根據像素化圖案在所述聚合物阻擋層上打印，得到所述量子點發光層；

所述量子點墨水包括量子點材料和有機溶劑的組合。

本發明所述量子點發光層的制備過程中，量子點墨水可以溶解聚合物阻擋層，在打印的同時形成像素，不僅工藝簡單，還可以大面積制備像素化量子點發光層。

優選地，所述量子點墨水中量子點材料的質量濃度為1-70mg/mL，例如10mg/mL、20mg/mL、30mg/mL、40mg/mL、50mg/mL、60mg/mL等。

本發明所述量子點材料的質量濃度為1-70mg/mL，量子點材料的質量濃度過高，量子點墨水不足以溶解聚合物阻擋層；量子點材料的質量濃度過低，所形成的量子點發光層的光性能較差。