[發(fā)明專利]薄膜晶體管及制備方法、陣列基板及制備方法、顯示裝置

有效

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• 申請日: 2021-04-08
• 公開（公告）號: CN113113475B
• 公開（公告）日: 2023-06-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 汪濤;高錦成;錢海蛟;陳亮;趙立星;劉澤旭;張瑞鋒;毛金翔;張冠永;陸文濤;姜濤
• 申請（專利權(quán)）人: 合肥京東方顯示技術(shù)有限公司;京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號: H01L29/08
• 分類號: H01L29/08;H01L29/786;H01L27/12;H01L21/336;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京安信方達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11262
• 代理人: 解婷婷;曲鵬

本公開提供了一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板及其制備方法及顯示裝置。所述薄膜晶體管包括依次設(shè)置在基底上的柵電極、柵絕緣層、有源層、摻雜層和源漏電極層，其中所述柵絕緣層、有源層、摻雜層和源漏電極層通過同一次圖案化工藝形成，所述源漏電極層包括源電極和漏電極，在垂直基底方向上，所述薄膜晶體管包括源電極區(qū)、溝道區(qū)和漏電極區(qū)，所述摻雜層包括位于所述源電極區(qū)的源極摻雜層，以及位于所述漏電極區(qū)的漏極摻雜層，在所述源電極區(qū)，所述源極摻雜層在基底的正投影大于所述有源層在基底的正投影；在所述漏電極區(qū)，所述漏極摻雜層在基底的正投影大于所述有源層在基底的正投影。可以消除由于半導(dǎo)體拖尾造成的水波紋不良。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及但不限于顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種薄膜晶體管及制備方法、陣列基板及制備方法、顯示裝置。

背景技術(shù)

液晶顯示器(Liquid?Crystal?Display，LCD)具有體積小、功耗低、無輻射等特點(diǎn)，已得到迅速發(fā)展。LCD的主體結(jié)構(gòu)包括對盒(Cell)的陣列(Array)基板和彩膜(CF)基板，液晶(LC)分子填充在陣列基板和彩膜基板之間，通過陣列基板和彩膜基板形成驅(qū)動(dòng)液晶偏轉(zhuǎn)的電場，實(shí)現(xiàn)灰階顯示。

形成陣列基本上的圖形，可以采用背溝道刻蝕型的光刻工藝。光刻工藝步驟的次數(shù)，既影響面板廠的產(chǎn)能，又影響著面板的制造成本，因此次數(shù)越少越好，在采用四次光刻工藝制備陣列基板上的圖形時(shí)，源漏圖案與硅島圖案可以采用光透過率調(diào)制的掩膜版技術(shù)，如半透膜掩膜版(Half-tone?Mask，HTM)、單縫衍射掩膜版(Single-slit?Mask，SSM)和灰色調(diào)掩膜版(Gray-tone?Mask，GTM)，利用掩膜版上的半透膜或圖形狹縫對紫外線的衍射原理來降低局部紫外線透過率，實(shí)現(xiàn)源漏圖形和硅島圖形通過一次光刻工藝形成。

發(fā)明內(nèi)容

以下是對本文詳細(xì)描述的主題的概述。本概述并非是為了限制權(quán)利要求的保護(hù)范圍。

本公開所要解決的技術(shù)問題是，提供一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板及其制備方法、顯示裝置，以消除由于半導(dǎo)體拖尾造成的水波紋不良。

為了解決上述技術(shù)問題，本公開提供了一種薄膜晶體管，包括依次設(shè)置在基底上的柵電極、柵絕緣層、有源層、摻雜層和源漏電極層，其中所述柵絕緣層、有源層、摻雜層和源漏電極層通過同一次圖案化工藝形成，所述源漏電極層包括源電極和漏電極，在垂直基底方向上，所述薄膜晶體管包括源電極區(qū)、溝道區(qū)和漏電極區(qū)，所述摻雜層包括位于所述源電極區(qū)的源極摻雜層，以及位于所述漏電極區(qū)的漏極摻雜層，在所述源電極區(qū)，所述源極摻雜層在基底的正投影大于所述有源層在基底的正投影；在所述漏電極區(qū)，所述漏極摻雜層在基底的正投影大于所述有源層在基底的正投影。。

為了解決上述技術(shù)問題，本公開提供了一種陣列基板，包括：設(shè)置在基底上的陣列結(jié)構(gòu)層，所述陣列結(jié)構(gòu)層包括由多條柵線和多條數(shù)據(jù)線交叉限定出的多個(gè)子像素，至少一個(gè)子像素內(nèi)設(shè)置有薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括依次設(shè)置在基底上的柵電極、柵絕緣層、有源層、摻雜層和源漏電極層，其中所述柵絕緣層、有源層、摻雜層和源漏電極層通過同一次圖案化工藝形成，所述源漏電極層包括源電極和漏電極，在垂直基底方向上，所述薄膜晶體管包括源電極區(qū)、溝道區(qū)和漏電極區(qū)，所述摻雜層包括位于所述源電極區(qū)的源極摻雜層以及位于所述漏電極區(qū)的漏極摻雜層，在所述源電極區(qū)，所述源極摻雜層在基底的正投影大于所述有源層在基底的正投影，在所述漏電極區(qū)，所述漏極摻雜層在基底的正投影大于所述有源層在基底的正投影；所述數(shù)據(jù)線與所述源漏電極同層設(shè)置，所述摻雜層在基底上的正投影大于所述數(shù)據(jù)線在基底上的正投影。

為了解決上述技術(shù)問題，本公開還提供了一種顯示裝置，包括上述陣列基板。