[發(fā)明專利]一種掩膜版框架重復(fù)使用的方法、掩膜版框架和掩膜版

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110378383.6
• 申請(qǐng)日: 2021-04-08
• 公開（公告）號(hào): CN113088877A
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 晏利瑞
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/04
• 分類號(hào): C23C14/04;C23C16/04;B23K31/02
• 代理公司: 北京聿宏知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11372
• 代理人: 吳大建;陳敏

本發(fā)明提供了一種掩膜版框架重復(fù)使用的方法、掩膜版框架和掩膜版，解決了掩膜版框架不能重復(fù)利用，導(dǎo)致工藝成本過高，且浪費(fèi)資源的問題。所述掩膜版框架包括多條邊框，每條所述邊框包括X個(gè)焊接區(qū)域，其中X≥2；所述掩膜版框架重復(fù)使用的方法包括：第n次焊接張網(wǎng)，其中第n次焊接張網(wǎng)包括將待焊接張網(wǎng)焊接在所述邊框的第m焊接區(qū)域，其中，n≥1，1≤m≤X；第n+i次焊接張網(wǎng)，i≥1,其中第n+i次焊接張網(wǎng)包括將待焊接張網(wǎng)焊接在第q焊接區(qū)域，1≤q≤X,且q不等于m；或，打磨第m焊接區(qū)域，將待焊接張網(wǎng)焊接在打磨后的所述第m焊接區(qū)域。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種掩膜版框架重復(fù)使用的方法、掩膜版框架和掩膜版。

背景技術(shù)

在柔性O(shè)led(OrganicLight-Emitting Diode，有機(jī)發(fā)光二極管)器件的封裝工藝中，掩膜版是最重要的一個(gè)器件之一，而掩膜版的耗費(fèi)在各個(gè)工藝均占了極大的比重。OpenMask(開放式掩膜版)與CVD Mask(化學(xué)氣相沉積掩膜版)的耗費(fèi)主要由其制作成本決定，制作成本中掩膜版框架的費(fèi)用又占了較高的比重，在工藝過程中掩膜版框架由于不能重復(fù)利用需要不斷更換，導(dǎo)致工藝成本過高，且浪費(fèi)資源。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種掩膜版框架重復(fù)使用的方法、掩膜版框架和掩膜版，解決了掩膜版框架不能重復(fù)利用，導(dǎo)致工藝成本過高，且浪費(fèi)資源的問題。

本發(fā)明一實(shí)施例提供的一種掩膜版框架重復(fù)使用的方法包括：所述掩膜版框架包括多條邊框，每條所述邊框包括X個(gè)焊接區(qū)域，其中X≥2；所述掩膜版框架重復(fù)使用的方法包括：第n次焊接張網(wǎng)，其中第n次焊接張網(wǎng)包括將待焊接張網(wǎng)焊接在所述邊框的第m焊接區(qū)域，其中，n≥1，1≤m≤X；第n+i次焊接張網(wǎng)，i＝1,其中第n+i次焊接張網(wǎng)包括將待焊接張網(wǎng)焊接在第q焊接區(qū)域，1≤q≤X,且q不等于m；或，打磨第m焊接區(qū)域，將待焊接張網(wǎng)焊接在打磨后的所述第m焊接區(qū)域。

在一種實(shí)施方式中，所述打磨第m焊接區(qū)域，將待焊接張網(wǎng)焊接在打磨后的所述第m焊接區(qū)域的步驟包括：當(dāng)所述第m焊接區(qū)域的厚度大于預(yù)設(shè)厚度時(shí)，所述第m焊接區(qū)域不再進(jìn)行打磨。

在一種實(shí)施方式中，在所述第n+i次焊接張網(wǎng)的步驟之前還包括：從所述第m焊接區(qū)域去除所述第m焊接區(qū)域已經(jīng)焊接的張網(wǎng)。

在一種實(shí)施方式中，所述第n+i次焊接張網(wǎng)包括將待焊接張網(wǎng)焊接在第q焊接區(qū)域的步驟包括：重復(fù)將待焊接張網(wǎng)焊接在第q焊接區(qū)域的步驟，直到所有焊接區(qū)域均被焊接過張網(wǎng)；之后再進(jìn)行下一次焊接時(shí)，打磨第m焊接區(qū)域，將待焊接張網(wǎng)焊接在打磨后的所述第m焊接區(qū)域。

在一種實(shí)施方式中，所述打磨第m焊接區(qū)域，將待焊接張網(wǎng)焊接在打磨后的所述第m焊接區(qū)域的步驟包括：重復(fù)打磨所述第m焊接區(qū)域，將待焊接張網(wǎng)焊接在打磨后的第m焊接區(qū)域的步驟，直到所述第m焊接區(qū)域的厚度等于預(yù)設(shè)厚度；之后再進(jìn)行下一次焊接時(shí)，將待焊接張網(wǎng)焊接在第q焊接區(qū)域。

在一種實(shí)施方式中，所述第m焊接區(qū)域位于所述邊框的內(nèi)側(cè)，所述第q焊接區(qū)域位于所述邊框的外側(cè)。

在一種實(shí)施方式中，所述第q焊接區(qū)域位于所述邊框的內(nèi)側(cè)，所述第m焊接區(qū)域位于所述邊框的外側(cè)。

在一種實(shí)施方式中，所述掩膜版框架重復(fù)焊接的次數(shù)F＝X*(Y+1)；其中，X為所述焊接區(qū)域的總個(gè)數(shù)；Y為每個(gè)所述焊接區(qū)域打磨到預(yù)設(shè)厚度的次數(shù)。

一種掩膜版框架，包括：多條邊框，其中每條所述邊框包括X個(gè)焊接區(qū)域，其中X≥2；所述X個(gè)焊接區(qū)域包括用于第n次焊接待焊接張網(wǎng)的第m焊接區(qū)域和用于第n+i次焊接待焊接張網(wǎng)的焊接區(qū)域，所述用于第n+i次焊接待焊接張網(wǎng)的焊接區(qū)域包括打磨后的所述第m焊接區(qū)域或第q焊接區(qū)域，其中1≤m≤X，1≤q≤X,且q不等于n，i＝1，n＝1；所述打磨后的所述第m焊接區(qū)域?yàn)榈趎次焊接待焊接張網(wǎng)后，去除所述第m焊接區(qū)域焊接的張網(wǎng)，并對(duì)去除了所述張網(wǎng)的所述第m焊接區(qū)域打磨得到。