[發明專利]一種掩膜版框架重復使用的方法、掩膜版框架和掩膜版

在審

• 申請號: 202110378383.6
• 申請日: 2021-04-08
• 公開（公告）號: CN113088877A
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發明（設計）人: 晏利瑞
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司
• 主分類號: C23C14/04
• 分類號: C23C14/04;C23C16/04;B23K31/02
• 代理公司: 北京聿宏知識產權代理有限公司 11372
• 代理人: 吳大建;陳敏

1.一種掩膜版框架重復使用的方法，其特征在于，所述掩膜版框架包括多條邊框，每條所述邊框包括X個焊接區域，其中X≥2；所述掩膜版框架重復使用的方法包括：

第n次焊接張網，其中第n次焊接張網包括將待焊接張網焊接在所述邊框的第m焊接區域，其中，n≥1，1≤m≤X；

第n+i次焊接張網，i≥1,其中第n+i次焊接張網包括將待焊接張網焊接在第q焊接區域，1≤q≤X,且q不等于m；或，打磨第m焊接區域，將待焊接張網焊接在打磨后的所述第m焊接區域。

2.根據權利要求1所述的掩膜版框架重復使用的方法，其特征在于，所述打磨第m焊接區域，將待焊接張網焊接在打磨后的所述第m焊接區域的步驟包括：當所述第m焊接區域的厚度大于預設厚度時，所述第m焊接區域不再進行打磨。

3.根據權利要求1所述的掩膜版框架重復使用的方法，其特征在于，在所述第n+i次焊接張網的步驟之前還包括：從所述第m焊接區域去除所述第m焊接區域已經焊接的張網。

4.根據權利要求1所述的掩膜版框架重復使用的方法，其特征在于，所述第n+i次焊接張網包括將待焊接張網焊接在第q焊接區域的步驟包括：

重復將待焊接張網焊接在第q焊接區域的步驟，直到所有焊接區域均被焊接過張網；

之后再進行下一次焊接時，打磨第m焊接區域，將待焊接張網焊接在打磨后的所述第m焊接區域。

5.根據權利要求1所述的掩膜版框架重復使用的方法，其特征在于，所述打磨第m焊接區域，將待焊接張網焊接在打磨后的所述第m焊接區域的步驟包括：

重復打磨所述第m焊接區域，將待焊接張網焊接在打磨后的第m焊接區域的步驟，直到所述第m焊接區域的厚度等于預設厚度；

之后再進行下一次焊接時，將待焊接張網焊接在第q焊接區域。

6.根據權利要求1所述的掩膜版框架重復使用的方法，其特征在于，所述第m焊接區域位于所述邊框的內側，所述第q焊接區域位于所述邊框的外側。

7.根據權利要求1所述的掩膜版框架重復使用的方法，其特征在于，所述第q焊接區域位于所述邊框的內側，所述第m焊接區域位于所述邊框的外側。

8.根據權利要求1所述的掩膜版框架重復使用的方法，其特征在于，所述掩膜版框架重復焊接的次數F＝X*(Y+1)；其中，X為所述焊接區域的總個數；Y為每個所述焊接區域打磨到預設厚度的次數。

9.一種掩膜版框架，其特征在于，包括：多條邊框，其中每條所述邊框包括X個焊接區域，其中X≥2；所述X個焊接區域包括用于第n次焊接待焊接張網的第m焊接區域和用于第n+i次焊接待焊接張網的焊接區域，所述用于第n+i次焊接待焊接張網的焊接區域包括打磨后的所述第m焊接區域或第q焊接區域，其中1≤m≤X，1≤q≤X,且q不等于n，i＝1，n＝1；

所述打磨后的所述第m焊接區域為第n次焊接待焊接張網后，去除所述第m焊接區域焊接的張網，并對去除了所述張網的所述第m焊接區域打磨得到。

10.根據權利要求9所述的掩膜版框架，其特征在于，所述X個焊接區域沿所述邊框內側向外側排布。

11.一種掩膜版，其特征在于，所述掩膜版包括上述權利要求9-10任意一項所述的掩膜版框架。