[發明專利]一種丹麥木槿的組培再生方法

有效

• 申請號: 202110377175.4
• 申請日: 2021-04-08
• 公開（公告）號: CN112931217B
• 公開（公告）日: 2022-04-22
• 發明（設計）人: 侯金艷;吳麗芳;王萍;王大成;蘇鵬飛;丁雙雙
• 申請（專利權）人: 中國科學院合肥物質科學研究院
• 主分類號: A01H4/00
• 分類號: A01H4/00
• 代理公司: 合肥市浩智運專利代理事務所(普通合伙) 34124
• 代理人: 葉濛濛

1.一種丹麥木槿的組培再生方法，其特征在于：包括以下步驟：

（1）以丹麥木槿的當年生幼嫩帶腋芽莖段為外植體，對其表面進行消毒處理；

（2）將消毒后莖段切成適宜大小的切段，接種于不定芽誘導培養基中，進行不定芽的誘導；所述不定芽誘導培養基包括添加0.2～3.0 mg/L TDZ、2.0～10.0 mg/L AgNO₃、2.0%～3.0%蔗糖、 0.6%～0.8%瓊脂的DKW培養基；

（3）光照培養3～4周后，將誘導出不定芽叢的莖段轉接于伸長培養基中進行不定芽的伸長培養；所述伸長培養基包括添加0.5～1.0 mg/L TDZ + 0.25～1.0 mg/L GA₃ + 0.05-0.3mg/L KT + 2.0%～3.0%蔗糖 + 0.6%～0.8%瓊脂的DKW培養基；

（4）光照培養2～3周后，待芽長至2～3cm并伴有2-3個葉片時進行瓶內或瓶外生根誘導，獲得具有健壯根系的丹麥木槿再生植株；所述瓶外生根誘導是將不定芽的形態學下端置于添加有25 mM褪黑素和100～250 mg/L IAA的生根促進液中處理20-60 s，然后將形態學下端定植于育苗盤中，進行瓶外生根誘導；

所述瓶內生根誘導是將伸長的不定芽接種于生根培養基中進行不定根誘導培養，所述生根培養基包括添加10～100 μM褪黑素 + 0.05～1.0 mg/L IAA + 1.5%～2.0%蔗糖 +0.6%～0.8%瓊脂的1/2DKW培養基。

2.根據權利要求1所述的丹麥木槿的組培再生方法，其特征在于：所述褪黑素的濃度為25 mM，所述IAA的濃度為250 mg/L，處理時間為60s。

3.根據權利要求1所述的丹麥木槿的組培再生方法，其特征在于：所述不定芽誘導培養基包括添加2.0 mg/L TDZ、10.0 mg/L AgNO₃、2.0%～3.0%蔗糖、 0.6%～0.8%瓊脂的DKW培養基。

4.根據權利要求1所述的丹麥木槿的組培再生方法，其特征在于：所述步驟（1）莖段的表面消毒是指將丹麥木槿當年生幼嫩莖段去葉后剪切成7-10 cm大小的切段，于流水下沖洗5～10 min，期間添加1～3次0.5～2 ml 洗手液；之后用70%～75%無水乙醇擦拭莖段；然后將莖段置于無菌操作臺中，用無菌水沖洗4～6遍后，再相繼用70%～75%無水乙醇進行表面消毒30～45 s，0.1%（w/v）的升汞溶液消毒2～5 min，最后用無菌水沖洗6～8遍；吸干莖段表面水分，切成帶有一個腋芽的適宜大小莖段備用。

5.根據權利要求1所述的丹麥木槿的組培再生方法，其特征在于：所述步驟（4）中將形態學下端定植于裝有營養土與蛭石混合基質的育苗盤中，蓋上塑料蓋，于溫室中進行瓶外生根誘導。

6.根據權利要求1所述的丹麥木槿的組培再生方法，其特征在于：所述步驟（2）、步驟（3）和步驟（4）中的莖段不定芽誘導、增殖與伸長、瓶內、瓶外生根培養條件為：溫度為25 ±2 ℃，光照強度為2500～3000 lx，光照/黑暗周期為14 /10 h。