[發明專利]多層堆疊封裝結構和多層堆疊封裝結構的制備方法

有效

• 申請號: 202110375294.6
• 申請日: 2021-04-08
• 公開（公告）號: CN112768437B
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發明（設計）人: 徐林華;張超
• 申請（專利權）人: 甬矽電子（寧波）股份有限公司
• 主分類號: H01L25/065
• 分類號: H01L25/065;H01L21/50
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 劉曾

1.一種多層堆疊封裝結構，其特征在于，包括：

介質基板；

貼裝在所述介質基板上的芯片封裝模組，所述芯片封裝模組包括基底芯片、多個結構芯片和塑封體，所述基底芯片貼裝在所述介質基板上，多個所述結構芯片層疊貼裝在所述基底芯片上，所述塑封體貼裝在所述介質基板上并包覆在所述基底芯片和多個結構芯片外；

其中，每個所述結構芯片的上側或下側設置有第一布線層，所述第一布線層與所述結構芯片電連接，所述塑封體內還設置有導電柱，所述導電柱向下貫通所述塑封體并與所述介質基板電連接，所述第一布線層與所述導電柱電連接；

所述基底芯片與相鄰的所述結構芯片粘接在一起，相鄰兩個所述結構芯片粘接在一起，所述芯片封裝模組由載具預先制備。

2.根據權利要求1所述的多層堆疊封裝結構，其特征在于，所述基底芯片的下側設置有第二布線層，所述第二布線層同時與所述基底芯片和所述導電柱電連接。

3.根據權利要求2所述的多層堆疊封裝結構，其特征在于，所述基底芯片的下側設置有第一導電凸塊，所述第一導電凸塊與所述第二布線層電連接。

4.根據權利要求1所述的多層堆疊封裝結構，其特征在于，每個所述結構芯片的上側或下側設置有第二導電凸塊，所述第一布線層通過所述第二導電凸塊與所述結構芯片電連接。

5.根據權利要求1所述的多層堆疊封裝結構，其特征在于，所述介質基板上設置有第一導電連接盤，所述基底芯片覆蓋在所述第一導電連接盤上，并通過所述第一導電連接盤與所述介質基板電連接。

6.根據權利要求1-5任一項所述的多層堆疊封裝結構，其特征在于，相鄰兩個所述結構芯片之間設置有第一膠膜層，以使相鄰兩個所述結構芯片粘接在一起，所述基底芯片與相鄰的結構芯片之間設置有第二膠膜層，以使所述基底芯片和相鄰的結構芯片粘接在一起。

7.根據權利要求1-5任一項所述的多層堆疊封裝結構，其特征在于，所述介質基板上還設置有第二導電連接盤，所述導電柱與所述第二導電連接盤連接，并通過所述第二導電連接盤與所述介質基板電連接。

8.根據權利要求7所述的多層堆疊封裝結構，其特征在于，所述介質基板上還設置有第三布線層，所述第三布線層與所述第二導電連接盤連接，并通過第二導電連接盤與所述導電柱電連接。

9.根據權利要求1所述的多層堆疊封裝結構，其特征在于，所述導電柱的材料為導電金屬或導電膠。

10.一種多層堆疊封裝結構的制備方法，用于制備如權利要求1所述的多層堆疊封裝結構，其特征在于，所述制備方法包括：

利用載具制備芯片封裝模組；

將所述芯片封裝模組貼裝在介質基板上；

其中，所述芯片封裝模組包括基底芯片、多個結構芯片和塑封體，所述基底芯片貼裝在所述介質基板上，多個所述結構芯片層疊貼裝在所述基底芯片上，所述塑封體貼裝在所述介質基板上并包覆在所述基底芯片和多個結構芯片外；每個所述結構芯片的上側或下側設置有第一布線層，所述第一布線層與所述結構芯片電連接，所述塑封體內還設置有導電柱，所述導電柱向下貫通所述塑封體并與所述介質基板電連接，所述第一布線層與所述導電柱電連接；

所述基底芯片與相鄰的所述結構芯片粘接在一起，相鄰兩個所述結構芯片粘接在一起，所述芯片封裝模組由載具預先制備。