[發明專利]半導體結構及其形成方法

有效

• 申請號: 202110374509.2
• 申請日: 2021-04-07
• 公開（公告）號: CN112951829B
• 公開（公告）日: 2022-10-14
• 發明（設計）人: 華文宇;余興
• 申請（專利權）人: 芯盟科技有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣

1.一種半導體結構，其特征在于，包括：

第一襯底，所述第一襯底包括相對的第一面和第二面，所述第一襯底包括相互分立的若干有源區，若干所述有源區沿第一方向排列并平行于第二方向，所述第一方向和第二方向互相垂直；

位于所述第一襯底內的多個字線柵結構，多個所述字線柵結構沿第二方向排列，并且，多個所述字線柵結構沿第一方向貫穿若干所述有源區；

位于所述有源區內的多個第一摻雜區，所述第一面暴露所述第一摻雜區，所述第一摻雜區沿第二方向排列，各字線柵結構的兩側分別具有1個第一摻雜區；

位于所述有源區內的多個第二摻雜區，多個第二摻雜區之間相互分立，所述第二面暴露所述第二摻雜區，并且，所述有源區內的字線柵結構在第二面的投影，與所述第二摻雜區在所述第二面的投影至少部分重合；

位于所述第一面上的若干位線，每個位線與1個有源區上的第一摻雜區電連接；

位于所述第二面上的多個電容，每個電容與1個第二摻雜區電連接。

2.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，還包括：多個電容導電結構，每個電容導電結構分別與1個電容、以及1個第二摻雜區連接。

3.如權利要求1或2所述的半導體結構，其特征在于，還包括：所述電容在第二面上的投影與所述第二摻雜區至少部分重合。

4.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，還包括：位于每個第一摻雜區上的第一導電結構，每個位線與1個有源區上的第一導電結構連接。

5.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，還包括：與第一襯底鍵合的第二襯底，所述第二襯底表面朝向第一面。

6.如權利要求5所述的半導體結構，其特征在于，所述第二襯底內具有邏輯電路，所述邏輯電路分別與所述字線柵結構和位線電連接。

7.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，還包括：位于相鄰的有源區之間的第一隔離結構，所述第一隔離結構間隔開相鄰的有源區。

8.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，還包括：位于有源區內的多個第二隔離結構，所述第二面暴露所述第二隔離結構表面，所述第二隔離結構沿第一方向貫穿所述有源區，并且，在所述第二方向上，相鄰的字線柵結構之間具有所述第二隔離結構，在所述第二面的法線方向上，所述第二隔離結構的厚度大于第二摻雜區的深度。

9.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述字線柵結構包括：柵極、以及位于所述柵極和第一襯底之間的柵介質層。

10.如權利要求9所述的半導體結構，其特征在于，所述柵極為復合柵極，所述柵極包括第一柵極、以及位于第一柵極頂面的第二柵極，并且，所述第一柵極和第二柵極的材料不同。

11.如權利要求9所述的半導體結構，其特征在于，所述柵極的頂面低于所述第一面，所述字線柵結構還包括：位于柵極頂面的蓋層介質層，所述蓋層介質層齊平于或高于所述第一面。

12.如權利要求9所述的半導體結構，其特征在于，所述字線柵結構還包括：位于所述柵極頂面的字線層，所述字線層表面低于所述位線底面，并且，所述字線層與所述位線絕緣。