[發(fā)明專利]一種晶體硅堿拋光添加劑及使用方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110374139.2 | 申請(qǐng)日: | 2021-04-07 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113122148A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-07-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 華永云;杜雪峰 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 云南合義德新材料有限公司 |
| 主分類號(hào): | C09G1/04 | 分類號(hào): | C09G1/04;H01L21/306 |
| 代理公司: | 成都東恒知盛知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 51304 | 代理人: | 羅江 |
| 地址: | 650000 云南省昆明市昆明片區(qū)經(jīng)開(kāi)區(qū)信*** | 國(guó)省代碼: | 云南;53 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 晶體 拋光 添加劑 使用方法 | ||
本發(fā)明涉及晶體硅技術(shù)領(lǐng)域,且公開(kāi)了一種晶體硅堿拋光添加劑,包括以下成分:冠醚;檸檬酸;聚季銨鹽;乙二胺四乙酸二鈉;硅烷偶聯(lián)劑;十二烷基氨基丙酰胺;苯甲酸鈉;去離子水。本發(fā)明以堿拋光工藝為基礎(chǔ),在氫氧化鉀或氫氧化鈉等無(wú)機(jī)堿溶液中加入本發(fā)明的添加劑配成拋光液,拋光時(shí)添加劑使無(wú)機(jī)堿與硅、氧化硅的反應(yīng)呈現(xiàn)出極強(qiáng)的選擇性,即添加劑促進(jìn)無(wú)機(jī)堿與硅的反應(yīng),而抑制無(wú)機(jī)堿與氧化硅的反應(yīng)。將本發(fā)明用于晶體硅太陽(yáng)能電池生產(chǎn)的拋光工藝中,硅片背面反射率高,正面PN結(jié)保持完好,包括激光SE處理的電極位置PN結(jié)也保持完好。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及晶體硅技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種晶體硅堿拋光添加劑及使用方法。
背景技術(shù)
在晶硅太陽(yáng)能電池制造工藝中,為了提高太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率,常常對(duì)擴(kuò)散后的硅片背面進(jìn)行拋光處理,同時(shí)要求硅片正面的PN結(jié)不受破壞。目前主流的背面拋光工藝主要有堿拋光工藝和酸拋光工藝,其中酸拋光工藝,使用氫氟酸、硝酸、硫酸和水體系腐蝕硅片,使用該方法拋光時(shí)硅片水平漂浮在拋光液表面,只有硅片的背面與拋光液接觸反應(yīng),不會(huì)對(duì)正面PN結(jié)產(chǎn)生破壞,但是該方法拋光的硅片表面反射率低,而且由于酸拋光工藝使用大量酸性物質(zhì),生產(chǎn)成本和廢液處理成本也非常高。堿拋光工藝主要利用四甲基氫氧化銨等有機(jī)堿來(lái)拋光硅片,該方法可以獲得很高的表面反射率,但是此工藝所用的四甲基氫氧化銨成本較高,廢水處理難度大;而若使用成本較低的氫氧化鉀或氫氧化鈉等無(wú)機(jī)堿,由于無(wú)機(jī)堿與硅、氧化硅的反應(yīng)速率差較小,拋光時(shí)極易腐蝕硅片正面的氧化硅保護(hù)層,進(jìn)而破壞正面的PN結(jié),最終導(dǎo)致電池失效。
尤其目前隨著行業(yè)發(fā)展對(duì)光電轉(zhuǎn)換效率的要求越來(lái)越高,行業(yè)開(kāi)始大規(guī)模應(yīng)用激光SE技術(shù),該技術(shù)利用激光在正面電極位置處形成重?fù)剑娠@著改善電極與硅片的接觸性能,提高電池的光電轉(zhuǎn)換效率,但是該工藝卻會(huì)破壞正面的氧化硅,因此目前主流做法是將經(jīng)過(guò)激光SE處理的硅片再次氧化。然而盡管如此,電極位置由于被激光燒蝕表面形貌受到極大破壞,氧化后電極位置氧化層很薄且不均勻。使用常規(guī)堿拋光工藝很容易破壞正面的PN結(jié),最終導(dǎo)致電池失效。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供了一種晶體硅堿拋光添加劑及使用方法。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:一種晶體硅堿拋光添加劑,包括以下成分:
冠醚;
檸檬酸;
聚季銨鹽;
乙二胺四乙酸二鈉;
硅烷偶聯(lián)劑;
十二烷基氨基丙酰胺;
苯甲酸鈉;
去離子水。
優(yōu)選的,其成分的占質(zhì)量百分比如下:
冠醚:5.0-6.0%;
檸檬酸:2.0-4.0%;
聚季銨鹽:2.0-2.5%;
乙二胺四乙酸二鈉:1.5-2.0%;
硅烷偶聯(lián)劑:0.5-1.5%;
十二烷基氨基丙酰胺:0.1-0.5%;
苯甲酸鈉:0.3-0.5%;
去離子水:83-88.6%。
一種晶體硅堿拋光添加劑的使用方法,取適量晶體硅堿拋光添加劑加入堿性溶液中,混合均勻后配成拋光液,放入硅片完成拋光反應(yīng)。
優(yōu)選的,所述添加劑用量占拋光液總體積的比例為0.5~1.5%,所述堿性溶液為氫氧化鈉或氫氧化鉀溶液,其中氫氧化鉀或氫氧化鈉在拋光液中的含量為10~200g/L。
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