[發(fā)明專利]一種太陽能硅片加工用涂膠質(zhì)量分點(diǎn)式檢測工藝在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110373281.5 | 申請日: | 2021-04-07 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113113509A | 公開(公告)日: | 2021-07-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 余江湖;鄭松;劉君 | 申請(專利權(quán))人: | 安徽晶天新能源科技有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào): | H01L31/18 | 分類號(hào): | H01L31/18;H01L21/67 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 243000 安徽省馬鞍山*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 太陽能 硅片 工用 涂膠 質(zhì)量 分點(diǎn) 檢測 工藝 | ||
1.一種太陽能硅片加工用涂膠質(zhì)量分點(diǎn)式檢測工藝,其特征在于:其步驟如下:
步驟一:通過對(duì)太陽能硅片進(jìn)行涂膠,并保證輸送裝置對(duì)硅片進(jìn)行穩(wěn)定的輸送,且輸送的過程中通過冷卻裝置對(duì)太陽能硅片進(jìn)行冷卻,保證硅片外側(cè)的膠保持干燥,保證凝結(jié)的膠可以被充分的檢測出來,保證整體正常的檢測效果。
步驟二:對(duì)涂膠后的太陽能硅片進(jìn)行分點(diǎn)式檢測,將干燥后的太陽能硅片移動(dòng)至上料處,通過上料機(jī)器人對(duì)太陽能硅片進(jìn)行分揀,保證每片太陽能硅片均被充分的檢測,同時(shí)設(shè)置對(duì)照檢測組,并通過視覺檢測機(jī)器人對(duì)涂膠后的太陽能硅片表面進(jìn)行檢測,對(duì)整體加工過程中產(chǎn)生的裂隙進(jìn)行檢測,通過下壓裝置對(duì)整體表面進(jìn)行加壓,檢測整體成型后的受力數(shù)值,并檢測整體的強(qiáng)度,并將整體檢測所得的數(shù)據(jù)通過記錄裝置進(jìn)行記錄,方便整體與正常數(shù)值進(jìn)行對(duì)比,并在檢測的過程中分別對(duì)硅片四角和中間位置進(jìn)行分點(diǎn)式檢測,并對(duì)檢測結(jié)果的平均值進(jìn)行計(jì)算和記錄,保證硅片檢測結(jié)果的平均值在正常平均值之內(nèi),并保證各點(diǎn)數(shù)值均在平均值之中,從而保證整體的檢測結(jié)果。
步驟三:對(duì)整體檢測的環(huán)境進(jìn)行調(diào)控,通過對(duì)檢測環(huán)境內(nèi)部的氣壓、溫度和濕度進(jìn)行調(diào)節(jié),從而方便整體檢測出在不同環(huán)境下的膠體的數(shù)值變化,并通過記錄裝置對(duì)整體進(jìn)行記錄,方便得出不同溫度下膠體的變化情況,并將變化的數(shù)值與相對(duì)值進(jìn)行對(duì)比,從而方便檢測出不合格的涂膠硅片。
步驟四:對(duì)檢測后的硅片進(jìn)行分選,將硅片檢測的結(jié)果與標(biāo)準(zhǔn)數(shù)值進(jìn)行對(duì)比,在正常數(shù)值之內(nèi)的硅片為合格品,并將不合格品進(jìn)行收集處理,從而完成整體的檢測。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種太陽能硅片加工用涂膠質(zhì)量分點(diǎn)式檢測工藝,其特征在于:所述步驟一中的冷卻裝置采用皮帶式冷凍干燥機(jī),且冷凍皮帶式干燥機(jī)為輸送帶上帶固定夾具結(jié)構(gòu),并且皮帶式冷凍干燥機(jī)內(nèi)部的溫度保持恒溫。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種太陽能硅片加工用涂膠質(zhì)量分點(diǎn)式檢測工藝,其特征在于:所述步驟二中的分揀機(jī)器人為帶卡爪結(jié)構(gòu),且分揀機(jī)器人的卡爪與硅片的形狀大小相適配,并且分揀機(jī)器人與對(duì)照檢測組對(duì)應(yīng)分布有兩組。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種太陽能硅片加工用涂膠質(zhì)量分點(diǎn)式檢測工藝,其特征在于:所述步驟二中的對(duì)照檢測組整體為帶密封結(jié)構(gòu)的箱體,且對(duì)照檢測組內(nèi)部視覺檢測機(jī)器人與對(duì)照檢測組對(duì)應(yīng)分布,并且視覺檢測機(jī)器人為帶水平調(diào)節(jié)的移動(dòng)式結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種太陽能硅片加工用涂膠質(zhì)量分點(diǎn)式檢測工藝,其特征在于:所述步驟二中的下壓裝置為帶壓力數(shù)值顯示機(jī)構(gòu)的壓力氣缸,且下壓裝置檢測過程中通過持續(xù)對(duì)膠體施壓,并且對(duì)膠體施壓保持5N/min直到200N。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種太陽能硅片加工用涂膠質(zhì)量分點(diǎn)式檢測工藝,其特征在于:所述步驟二中的對(duì)硅片四角和中間位置檢測采用相同的變量,且對(duì)硅片四角和中間位置進(jìn)行分點(diǎn)式檢測需進(jìn)行至少兩次檢測,并且檢測結(jié)果的平均值為多次測算(按檢測次數(shù)計(jì)算)的平均數(shù)值。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種太陽能硅片加工用涂膠質(zhì)量分點(diǎn)式檢測工藝,其特征在于:所述步驟三中氣壓、溫度和濕度分別通過加濕器、制冷機(jī)(制熱機(jī))和氣壓調(diào)節(jié)器均進(jìn)行控制,且加濕器、制冷機(jī)(制熱機(jī))和氣壓調(diào)節(jié)器均固定在對(duì)照檢測組內(nèi)部,并且對(duì)照檢測組內(nèi)部均設(shè)置有相對(duì)應(yīng)的防霧、防高溫和防爆結(jié)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種太陽能硅片加工用涂膠質(zhì)量分點(diǎn)式檢測工藝,其特征在于:所述步驟三中的氣壓調(diào)節(jié)以0.02Pa/min的速度進(jìn)行上升或下降,且氣壓調(diào)節(jié)在兩組對(duì)照檢測組的數(shù)值不同,并且氣壓調(diào)節(jié)在一組對(duì)照檢測組內(nèi)部為正常氣壓,在另一組內(nèi)部為變化氣壓。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種太陽能硅片加工用涂膠質(zhì)量分點(diǎn)式檢測工藝,其特征在于:所述步驟三內(nèi)部的溫度通過每分鐘兩度的溫度進(jìn)行調(diào)控,最高溫度為80度,最低溫度為零下10度,且溫度調(diào)節(jié)在兩組對(duì)照檢測組的數(shù)值不同,并且溫度調(diào)節(jié)在一組對(duì)照檢測組內(nèi)部為正常溫度,在另一組內(nèi)部為變化溫度。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種太陽能硅片加工用涂膠質(zhì)量分點(diǎn)式檢測工藝,其特征在于:所述步驟三內(nèi)部的濕度調(diào)節(jié)為持續(xù)對(duì)整體內(nèi)部進(jìn)行加濕直到濕度變?yōu)橄鄬?duì)濕度70%時(shí),且濕度調(diào)節(jié)在兩組對(duì)照檢測組的數(shù)值不同,并且濕度調(diào)節(jié)在一組對(duì)照檢測組內(nèi)部為正常溫度,在另一組內(nèi)部為變化濕度。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





