[發(fā)明專利]一種化學(xué)氣相沉積裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110372818.6
• 申請(qǐng)日: 2021-04-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113235068B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-09-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王質(zhì)武
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): C23C16/44
• 分類號(hào): C23C16/44;C23C16/455
• 代理公司: 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 杜蕾

本發(fā)明提供一種化學(xué)氣相沉積裝置。所述化學(xué)氣相沉積裝置包括反應(yīng)腔室，反應(yīng)腔室的頂部設(shè)有第一進(jìn)氣管路，第一進(jìn)氣管路內(nèi)部設(shè)有第二進(jìn)氣管路；第一進(jìn)氣管路用于通入反應(yīng)氣體，第二進(jìn)氣管路用于通入清洗氣體；其中，第二進(jìn)氣管路的出口端設(shè)有一分流盤，分流盤位于反應(yīng)腔室內(nèi)，分流盤上設(shè)有一個(gè)第一通孔和多個(gè)第二通孔，第二進(jìn)氣管路的出口與第一通孔對(duì)應(yīng)，第一進(jìn)氣管路的出口與多個(gè)第二通孔對(duì)應(yīng)。本發(fā)明通過(guò)將反應(yīng)氣體和清洗氣體通過(guò)第二進(jìn)氣管路隔離開(kāi)，避免三氟化鋁晶體顆粒被帶入反應(yīng)腔室內(nèi)，通過(guò)設(shè)置分流盤，不僅能引導(dǎo)氣體向四周和下側(cè)進(jìn)行擴(kuò)散，進(jìn)一步隔離反應(yīng)氣體和清洗氣體，還能同步改善氣流分布均勻性，從而提高成膜均勻性。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種化學(xué)氣相沉積裝置。

背景技術(shù)

在制造顯示面板時(shí)，通常采用化學(xué)氣相沉積(Chemical?Vapor?Deposition，CVD)工藝對(duì)無(wú)定形薄膜和微晶薄膜進(jìn)行沉積。CVD工藝通過(guò)將前體反應(yīng)氣體注入等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(Plasma?Enhanced?Chemical?Vapor?Deposition，PECVD)腔室，然后利用由射頻(RF)或直流放電形成的等離子體將氣體裂解成活性離子或自由基。CVD工藝在顯示面板制造領(lǐng)域有著廣泛應(yīng)用。由于PECVD腔室是封閉的真空系統(tǒng)，在成膜時(shí)，基板和腔室內(nèi)壁都會(huì)有薄膜沉積，當(dāng)腔室內(nèi)壁的薄膜沉積到一定厚度時(shí)，很容易脫落而掉在基板上，導(dǎo)致基板產(chǎn)生缺陷，嚴(yán)重影響良率。因此，每進(jìn)行一定數(shù)量的薄膜沉積后，就需要進(jìn)行遠(yuǎn)程等離子體源清洗(Remote?Plasma?Source?Clean，RPSC)，將腔室內(nèi)壁上的薄膜洗掉。

其中，CVD工藝中的反應(yīng)氣體和清洗氣體三氟化氮(NF₃)都會(huì)經(jīng)過(guò)RPSC單元，由同一根管路進(jìn)入腔室。當(dāng)執(zhí)行清洗時(shí)，NF₃解離出F離子，而進(jìn)氣管路的材質(zhì)為鋁(Al)，F(xiàn)離子與Al發(fā)生反應(yīng)生成三氟化鋁(AlF₃)，隨著清洗時(shí)間不斷增加，三氟化鋁晶體會(huì)逐步變大；后續(xù)執(zhí)行成膜制程時(shí)，反應(yīng)氣體從進(jìn)氣口進(jìn)入會(huì)將三氟化鋁晶體帶入腔室，造成基板上三氟化鋁晶體顆粒聚集?，F(xiàn)有技術(shù)為了避免三氟化鋁晶體進(jìn)入腔室，設(shè)置三通裝置，使得反應(yīng)氣體避開(kāi)RPSC單元進(jìn)入腔室，盡管反應(yīng)氣體避開(kāi)了RPSC單元，但還是要和清洗氣體經(jīng)同一個(gè)進(jìn)氣口進(jìn)入腔室，隨著時(shí)間增加，還是會(huì)有少量三氟化鋁晶體顆粒在基板上聚集，從而影響基板的品質(zhì)，影響良率。故，有必要改善這一缺陷。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例提供一種化學(xué)氣相沉積裝置，用于解決現(xiàn)有技術(shù)的化學(xué)氣相沉積裝置由于反應(yīng)氣體與清洗氣體經(jīng)同一進(jìn)氣口進(jìn)入腔室，使得清洗過(guò)程中產(chǎn)生的三氟化鋁晶體顆粒在基板上聚集，影響基板的品質(zhì)，影響良率的技術(shù)問(wèn)題。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種化學(xué)氣相沉積裝置，包括反應(yīng)腔室，所述反應(yīng)腔室的頂部設(shè)有第一進(jìn)氣管路，所述第一進(jìn)氣管路內(nèi)部設(shè)有第二進(jìn)氣管路；所述第一進(jìn)氣管路用于通入反應(yīng)氣體，所述第二進(jìn)氣管路用于通入清洗氣體；其中，所述第二進(jìn)氣管路的出口端設(shè)有一分流盤，所述分流盤位于所述反應(yīng)腔室內(nèi)，所述分流盤上設(shè)有一個(gè)第一通孔和多個(gè)第二通孔，所述第二進(jìn)氣管路的出口與所述第一通孔對(duì)應(yīng)，所述第一進(jìn)氣管路的出口與所述多個(gè)第二通孔對(duì)應(yīng)。

在本發(fā)明實(shí)施例提供的化學(xué)氣相沉積裝置中，所述第二進(jìn)氣管路與所述第一進(jìn)氣管路為同心環(huán)管路。

在本發(fā)明實(shí)施例提供的化學(xué)氣相沉積裝置中，所述分流盤與所述反應(yīng)腔室的頂部連接。

在本發(fā)明實(shí)施例提供的化學(xué)氣相沉積裝置中，所述分流盤與所述反應(yīng)腔室的頂部之間形成有多個(gè)出氣通道。

在本發(fā)明實(shí)施例提供的化學(xué)氣相沉積裝置中，所述分流盤與所述第二進(jìn)氣管路一體成型。

在本發(fā)明實(shí)施例提供的化學(xué)氣相沉積裝置中，所述分流盤與所述第二進(jìn)氣管路通過(guò)一連接管可拆卸連接，所述連接管為導(dǎo)通所述第二進(jìn)氣管路和所述第一通孔的空心管。

在本發(fā)明實(shí)施例提供的化學(xué)氣相沉積裝置中，所述第二進(jìn)氣管路的出口端形成有凹槽，所述連接管通過(guò)至少一個(gè)密封圈與所述凹槽連接。