[發明專利]一種化學氣相沉積裝置有效
| 申請號: | 202110372818.6 | 申請日: | 2021-04-07 |
| 公開(公告)號: | CN113235068B | 公開(公告)日: | 2023-09-01 |
| 發明(設計)人: | 王質武 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/44 | 分類號: | C23C16/44;C23C16/455 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 杜蕾 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 化學 沉積 裝置 | ||
1.一種化學氣相沉積裝置,其特征在于,包括反應腔室,所述反應腔室的頂部設有第一進氣管路,所述第一進氣管路內部設有第二進氣管路;所述第一進氣管路用于通入反應氣體,所述第二進氣管路用于通入清洗氣體;
所述第二進氣管路的出口端設有一分流盤,所述分流盤位于所述反應腔室內,所述分流盤上設有一個第一通孔和多個第二通孔,所述第二進氣管路的出口與所述第一通孔對應,所述第一進氣管路的出口與所述多個第二通孔對應;
所述分流盤與所述第二進氣管路通過一連接管可拆卸連接,所述第二進氣管路的出口端形成有凹槽,所述連接管通過至少一個密封圈與所述凹槽連接,所述連接管為導通所述第二進氣管路和所述第一通孔的空心管;
其中,所述分流盤的邊緣設置有多個螺孔,所述分流盤還通過多個螺栓與所述反應腔室的頂部固定連接,通過調節所述螺栓與所述分流盤之間的螺接距離來調整反應氣體的水平擴散路徑,從而調整反應氣體的擴散速率。
2.如權利要求1所述的化學氣相沉積裝置,其特征在于,所述第二進氣管路與所述第一進氣管路為同心環管路。
3.如權利要求1所述的化學氣相沉積裝置,其特征在于,所述分流盤與所述反應腔室的頂部連接。
4.如權利要求3所述的化學氣相沉積裝置,其特征在于,所述分流盤與所述反應腔室的頂部之間形成有多個出氣通道。
5.如權利要求1所述的化學氣相沉積裝置,其特征在于,所述第二進氣管路的半徑大于0,且小于或者等于5厘米。
6.如權利要求5所述的化學氣相沉積裝置,其特征在于,所述第一進氣管路的半徑大于所述第二進氣管路的半徑,且小于或者等于20厘米。
7.如權利要求1所述的化學氣相沉積裝置,其特征在于,所述多個第二通孔等間距分布。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





