[發(fā)明專利]邊緣環(huán)、載置臺以及基板處理裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110372663.6 | 申請日: | 2021-04-07 |
| 公開(公告)號: | CN113496925A | 公開(公告)日: | 2021-10-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 千葉諒;永山晃;佐佐木康晴;佐藤大樹;富岡武敏 | 申請(專利權(quán))人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 呂琳;樸秀玉 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 邊緣 載置臺 以及 處理 裝置 | ||
1.一種邊緣環(huán),其配置于基板的周緣,該邊緣環(huán)以如下方式形成:
以將上述邊緣環(huán)的中心軸線上的一點(diǎn)設(shè)定為中心點(diǎn)的、上述邊緣環(huán)的內(nèi)徑以上外徑以下的直徑的假想圓為基準(zhǔn),自上述假想圓上的多個點(diǎn)至上述邊緣環(huán)的下表面的垂直方向的高度的最大值與最小值的差值的絕對值為預(yù)定的上限值以下。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的邊緣環(huán),其中,
上述上限值為20μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的邊緣環(huán),其中,
上述上限值為15μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的邊緣環(huán),其中,
上述邊緣環(huán)的下表面以上述邊緣環(huán)的外周部比內(nèi)周部低的方式傾斜形成。
5.一種載置臺,其具有用于載置配置于基板的周緣的邊緣環(huán)的邊緣環(huán)載置面,該載置臺以如下方式形成:
以將上述載置臺的中心軸線上的一點(diǎn)設(shè)定為中心點(diǎn)的、上述邊緣環(huán)載置面的內(nèi)徑以上外徑以下的直徑的假想圓為基準(zhǔn),自上述假想圓上的多個點(diǎn)至上述邊緣環(huán)載置面的垂直方向的高度的最大值與最小值的差值的絕對值為預(yù)定的上限值以下。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的載置臺,其中,
上述載置臺具有用于將上述邊緣環(huán)靜電吸附于邊緣環(huán)載置面的靜電卡盤。
7.一種基板處理裝置,其具有:
邊緣環(huán),其配置于基板的周緣;以及
載置臺,其具有邊緣環(huán)載置面,
該基板處理裝置以如下方式形成:在上述邊緣環(huán)載置面和上述邊緣環(huán)的下表面中,以將上述邊緣環(huán)或上述載置臺的中心軸線上的一點(diǎn)為中心點(diǎn)的、上述邊緣環(huán)的內(nèi)徑以上外徑以下的直徑的假想圓或上述邊緣環(huán)載置面的內(nèi)徑以上外徑以下的直徑的假想圓為基準(zhǔn),通過上述假想圓上的多個點(diǎn)的各點(diǎn)的上述邊緣環(huán)載置面與上述邊緣環(huán)的下表面之間的間隙的高度的最大值與最小值的差值的絕對值為預(yù)定的上限值以下。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
- 接收裝置以及接收方法、以及程序
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