[發明專利]邊緣環、載置臺以及基板處理裝置

在審

• 申請號: 202110372663.6
• 申請日: 2021-04-07
• 公開（公告）號: CN113496925A
• 公開（公告）日: 2021-10-12
• 發明（設計）人: 千葉諒;永山晃;佐佐木康晴;佐藤大樹;富岡武敏
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/687
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 呂琳;樸秀玉

本發明提供一種邊緣環,其能夠降低導熱氣體的泄露。該邊緣環配置于基板的周緣,其以如下方式形成:以將上述邊緣環的中心軸線上的一點設定為中心點的、上述邊緣環的內徑以上外徑以下的直徑的假想圓為基準,自上述假想圓上的多個點至上述邊緣環的下表面的垂直方向的高度的最大值與最小值的差值的絕對值為預定的的上限值以下。

技術領域

本發明涉及邊緣環、載置臺以及基板處理裝置。

背景技術

在基板處理裝置的處理室內,在載置于靜電卡盤之上的基板的周緣，以包圍基板的方式設有邊緣環。邊緣環在處理室內進行等離子體處理時使等離子體朝向晶圓的表面收斂,從而使晶圓處理的效率提高。

邊緣環一般由Si(硅)形成,將硅的下表面的傾斜管理為自不傾斜的平坦的狀態增減數μm。近年來,以邊緣環的壽命的延長為目的,以SiC(碳化硅)為代表的、剛性更強的材料作為邊緣環的材料被采用。

在配置于靜電卡盤的外周的載置面的邊緣環的下表面與靜電卡盤的載置面之間,供給有He(氦)等的導熱氣體,由此,對邊緣環的溫度進行控制。例如,在專利文獻1中,為了抑制導熱氣體自邊緣環與靜電卡盤的載置面之間的間隙泄漏的量(泄露量)的增大,提出了在晶圓搬入搬出時以及無晶圓干式清潔(WLDC:Wafer-Less Dry Cleaning)時,對邊緣環進行靜電吸附。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1:日本國特開2016-122740號公報

發明內容

本發明要解決的問題

本發明提供一種能夠降低導熱氣體的泄露的技術。

用于解決問題的手段

根據本發明的一個方式,提供一種邊緣環,其配置于基板的周緣,該邊緣環以如下方式形成:以將上述邊緣環的中心軸線上的一點設定為中心點的、上述邊緣環的內徑以上外徑以下的直徑的假想圓為基準,自上述假想圓上的多個點至上述邊緣環的下表面的垂直方向的高度的最大值與最小值的差值的絕對值為預定的上限值以下。

發明的效果

根據一個側面,能夠降低導熱氣體的泄露。

附圖說明

圖1是示出一個實施方式的基板處理裝置的一個例子的剖面示意圖。

圖2是示出一個實施方式的邊緣環周邊的構成的一個例子的圖。

圖3是示出一個實施方式的邊緣環下表面的周向的起伏的一個例子的示意圖。

圖4是示出一個實施方式的起伏與導熱氣體的泄露量的相關性的一個例子的圖。

圖5是示出第二實施方式的邊緣環載置面的周向的起伏的一個例子的示意圖。

圖6是示出第三實施方式的邊緣環的下表面與邊緣環載置面之間的的間隙的一個例子的示意圖。

具體實施方式

以下,參照附圖對用于實施本發明的方式進行說明。在各附圖中,對于相同構成部分付與相同附圖標記,有時省略重復的說明。

[基板處理裝置的構成]

首先,參照圖1對一個實施方式的基板處理裝置1的進行說明。圖1是示出一個實施方式的基板處理裝置1的概略構成的剖視圖。在本實施方式中,雖然以RIE(Reactive IonEtching)型的基板處理裝置為例進行說明,但是基板處理裝置1不限于此,也可以適用于利用表面波等離子體的等離子體蝕刻裝置、以及等離子體CVD裝置等。