[發明專利]一種陣列基板及其制備方法、OLED顯示面板

在審

• 申請號: 202110372463.0
• 申請日: 2021-04-07
• 公開（公告）號: CN113193010A
• 公開（公告）日: 2021-07-30
• 發明（設計）人: 柯霖波
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司;武漢華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 杜蕾

本發明提供一種陣列基板及其制備方法、OLED顯示面板，包括襯底、第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，第一薄膜晶體管具有第一有源層、第一柵極和第一源/漏極，第二薄膜晶體管具有第二有源層、第二柵極和第二源/漏極。其中，第一有源層和第二有源層同層且材料不同，第一柵極與第二柵極同層，第一源/漏極與第二源/漏極同層，因此制備具有不同材料的有源層的第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管只需要4個掩模板，掩模板的數量明顯減少。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其設計一種陣列基板及其制備方法、OLED顯示面板。

背景技術

有機發光二極管(Organic Light Emitting Diode,OLED)顯示技術與傳統的液晶顯示器(Liquid Crystal Display,LCD)不同，OLED無需背光燈，而是采用有機發光材料，當有電流通過時，這些有機發光材料就會發光。通過采用非常薄的有機材料涂層，使得OLED顯示屏幕可以做得更輕更薄，且OLED顯示屏幕可視角度更大，并且能夠顯著節省電能。

現有技術中，OLED的驅動背板采用低溫多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon,LTPS)工藝制作的LTPS薄膜晶體管(Thin Film Transistor,TFT)。但由于LTPS的漏電流較大，勢必會造成顯示裝置的功耗增大。利用銦鎵鋅氧化物(indium gallium zinc oxide,IGZO)或氧化鋅(ZnO)等氧化物作為有源層替換部分LTPS制作OLED顯示裝置的薄膜晶體管，簡稱低溫多晶氧化物(Low Temperature Polycrystalline Oxide,LTPO)技術，利用氧化物(Oxide)漏電流低的優勢降低顯示裝置在顯示時漏電的可能。

常規的LTPO顯示器件，包含LTPS和氧化物兩組TFT器件結構，該制程工藝存在制程復雜且光罩(掩模板)數量多的問題。

發明內容

本發明的目的在于提供一種陣列基板及其制備方法、OLED顯示面板，旨在減少制備過程中使用掩模板的數量。

一方面，本發明提供一種陣列基板，包括：

襯底；

位于所述襯底上方且具有第一有源層、第一柵極和第一源/漏極的第一薄膜晶體管；以及，

位于所述襯底上方且具有第二有源層、第二柵極和第二源/漏極的第二薄膜晶體管；

其中，所述第一有源層與所述第二有源層同層且材料不同，所述第一柵極與所述第二柵極同層，且所述第一源/漏極與所述第二源/漏極同層。

進一步優選的，還包括位于所述襯底上且位于所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管下方的屏蔽層，以及位于所述襯底上且覆蓋所述屏蔽層的緩沖層，所述屏蔽層通過第一導電柱與所述第一源/漏極和/或第二源/漏極電連接。

進一步優選的，所述襯底包括堆疊設置的有機層和無機層。

進一步優選的，所述第一有源層的材料為低溫多晶硅，所述第二有源層的材料為氧化物。

進一步優選的，所述第一薄膜晶體管還包括位于所述緩沖層上的第一柵極絕緣層，位于所述第一柵極絕緣層上的第二柵極絕緣層，以及位于所述第二柵極絕緣層上的第三柵極。

進一步優選的，所述第一源/漏極與所述第二源/漏極連接，所述第一導電柱位于所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管的連接處。

進一步優選的，還包括覆蓋所述第一源/漏極和所述第二源/漏極的鈍化層，位于所述鈍化層上的平坦層，以及位于所述平坦層上的陽極層和像素定義層，所述陽極層通過第二導電柱與所述第一源/漏極和/或第二源/漏極電連接。

另一方面，本發明提供一種陣列基板的制備方法，包括：

提供襯底；