[發明專利]一種陣列基板及其制備方法、OLED顯示面板

在審

• 申請號: 202110372463.0
• 申請日: 2021-04-07
• 公開（公告）號: CN113193010A
• 公開（公告）日: 2021-07-30
• 發明（設計）人: 柯霖波
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司;武漢華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 杜蕾

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：

襯底；

位于所述襯底上方且具有第一有源層、第一柵極和第一源/漏極的第一薄膜晶體管；以及，

位于所述襯底上方且具有第二有源層、第二柵極和第二源/漏極的第二薄膜晶體管；

其中，所述第一有源層與所述第二有源層同層且材料不同，所述第一柵極與所述第二柵極同層，且所述第一源/漏極與所述第二源/漏極同層。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括位于所述襯底上且位于所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管下方的屏蔽層，以及位于所述襯底上且覆蓋所述屏蔽層的緩沖層，所述屏蔽層通過第一導電柱與所述第一源/漏極和/或第二源/漏極電連接。

3.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述襯底包括堆疊設置的有機層和無機層。

4.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一有源層的材料為低溫多晶硅，所述第二有源層的材料為氧化物。

5.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶體管還包括位于所述緩沖層上的第一柵極絕緣層，位于所述第一柵極絕緣層上的第二柵極絕緣層，以及位于所述第二柵極絕緣層上的第三柵極。

6.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述第一源/漏極與所述第二源/漏極連接，所述第一導電柱位于所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管的連接處。

7.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括覆蓋所述第一源/漏極和所述第二源/漏極的鈍化層，位于所述鈍化層上的平坦層，以及位于所述平坦層上的陽極層和像素定義層，所述陽極層通過第二導電柱與所述第一源/漏極和/或第二源/漏極電連接。

8.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括：

提供襯底；

在所述襯底上方形成具有第一有源層、第一柵極和第一源/漏極的第一薄膜晶體管，以及位于所述襯底上方且具有第二有源層、第二柵極和第二源/漏極的第二薄膜晶體管，所述第一有源層與所述第二有源層同層且材料不同，且所述第一柵極和所述第二柵極通過一次構圖工藝形成，所述第一源/漏極和所述第二源/漏極通過一次構圖工藝形成。

9.根據權利要求8所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，還包括：

形成位于所述襯底上且位于所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管下方的屏蔽層，所述屏蔽層通過第一導電柱與所述第一源/漏極和/或所述第二源/漏極電連接；

形成位于所述襯底上且覆蓋所述屏蔽層的緩沖層。

10.一種OLED顯示面板，其特征在于，包括：

如權利要求1-7任一項所述的陣列基板；

位于所述陣列基板上的有機發光層；

位于所述有機發光層上的陰極層；

位于所述陰極層上的薄膜封裝層；

位于所述薄膜封裝層上的觸控層；

位于所述觸控層上的偏光片；以及，

位于所述偏光片上的蓋板。