[發(fā)明專利]一種真空感應(yīng)化學(xué)氣相沉積爐有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110372054.0 | 申請(qǐng)日: | 2021-04-07 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113106428B | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-07-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 于方;張建宏;周國(guó)達(dá);王姍姍;郭秋艷;孟爽;劉鐸;曹月 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 錦州同創(chuàng)真空冶金科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C16/54 | 分類號(hào): | C23C16/54;C23C16/52;C23C16/44;C23C16/455 |
| 代理公司: | 北京高沃律師事務(wù)所 11569 | 代理人: | 王富強(qiáng) |
| 地址: | 121012 遼*** | 國(guó)省代碼: | 遼寧;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 真空 感應(yīng) 化學(xué) 沉積 | ||
本發(fā)明公開(kāi)了一種真空感應(yīng)化學(xué)氣相沉積爐,涉及化工設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,包括爐體、真空系統(tǒng)和充氣系統(tǒng),所述爐體內(nèi)設(shè)置有加熱室,所述加熱室外側(cè)設(shè)置有感應(yīng)加熱裝置,所述加熱室內(nèi)設(shè)置有沉積室,所述沉積室與所述充氣系統(tǒng)連通,所述加熱室與所述爐體之間為真空室,所述加熱室和所述真空室分別通過(guò)管路與所述真空系統(tǒng)連通。本發(fā)明將真空室和沉積室設(shè)置成兩個(gè)相互獨(dú)立的結(jié)構(gòu),真空室和沉積室不相通,沉積氣體僅通入沉積室,不僅減少了沉積氣體的浪費(fèi),還便于控制沉積室內(nèi)沉積氣體的壓力和密度;真空系統(tǒng)分別對(duì)真空室和沉積室進(jìn)行抽真空,沉積室內(nèi)排出的污染性廢氣可以直接排出爐體之外,避免了對(duì)真空室的污染和損壞。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及化工設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種真空感應(yīng)化學(xué)氣相沉積爐。
背景技術(shù)
真空感應(yīng)化學(xué)氣相沉積爐是一種真空狀態(tài)下,利用感應(yīng)加熱的方式對(duì)工件進(jìn)行加熱,并在沉積區(qū)充入特定組成與密度的氣體,在工件表面沉積形成特殊的沉積層,或在胎具表面沉積形成需要的沉積件的一種特殊真空加工裝置。當(dāng)前國(guó)內(nèi)采用的第一代真空感應(yīng)化學(xué)氣相沉積爐,采用真空室與沉積室相通(沉積室頂部設(shè)有直通真空室的排氣口),沉積尾氣直排進(jìn)入真空室;不同的沉積氣體通過(guò)爐外的集氣排匯集到設(shè)在沉積室底部直通沉積室的進(jìn)氣管直接充入沉積室進(jìn)行沉積的結(jié)構(gòu)。
第一代真空感應(yīng)化學(xué)氣相沉積爐,真空室與沉積室相通的結(jié)構(gòu)造成沉積尾氣彌漫在整個(gè)真空室內(nèi),對(duì)整套裝置造成嚴(yán)重污染,導(dǎo)致設(shè)備使用壽命大幅縮短;對(duì)設(shè)備安全帶來(lái)不確定的隱患;真空室與沉積室相相通的結(jié)構(gòu),不能獨(dú)立控制沉積室的沉積氣體,造成氣體使用效率低下,大量浪費(fèi);采用直通式充氣,氣體在進(jìn)入沉積室后有一個(gè)升溫過(guò)程,而沉積室又是開(kāi)放式的,造成生產(chǎn)效率和氣體利用率低下。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種真空感應(yīng)化學(xué)氣相沉積爐,以解決上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問(wèn)題,使真空室和沉積室相互獨(dú)立,避免爐體內(nèi)尾氣污染,減少沉積氣體浪費(fèi)。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供了如下方案:
本發(fā)明提供了一種真空感應(yīng)化學(xué)氣相沉積爐,包括爐體、真空系統(tǒng)和充氣系統(tǒng),所述爐體內(nèi)設(shè)置有加熱室,所述加熱室外側(cè)設(shè)置有感應(yīng)加熱裝置,所述加熱室內(nèi)設(shè)置有沉積室,所述沉積室與所述充氣系統(tǒng)連通,所述加熱室與所述爐體之間為真空室,所述加熱室和所述真空室分別通過(guò)管路與所述真空系統(tǒng)連通。
優(yōu)選的,所述加熱室包括發(fā)熱體,所述發(fā)熱體包括發(fā)熱筒、設(shè)置在所述發(fā)熱筒上端的發(fā)熱蓋和發(fā)熱管,所述發(fā)熱蓋呈錐形,所述發(fā)熱蓋通過(guò)所述發(fā)熱管與所述真空系統(tǒng)連通,所述發(fā)熱管位于所述真空室中,所述發(fā)熱筒的下端設(shè)置有料盤(pán)結(jié)構(gòu)。
優(yōu)選的,所述發(fā)熱筒、所述發(fā)熱蓋和所述料盤(pán)結(jié)構(gòu)的外側(cè)均設(shè)置有保溫結(jié)構(gòu),所述發(fā)熱筒和所述發(fā)熱蓋外側(cè)的所述保溫結(jié)構(gòu)為保溫碳?xì)郑隽媳P(pán)結(jié)構(gòu)外側(cè)的所述保溫結(jié)構(gòu)為保溫碳?xì)趾透咪X磚;所述保溫結(jié)構(gòu)的外側(cè)設(shè)置有所述感應(yīng)加熱裝置,所述感應(yīng)加熱裝置為感應(yīng)線圈。
優(yōu)選的,所述發(fā)熱體內(nèi)設(shè)置有料筒,所述料筒的上端設(shè)置有蓋板,所述蓋板與所述料筒之間設(shè)置有間隙,所述料盤(pán)結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述料筒的下端,所述料筒、所述蓋板和所述料盤(pán)結(jié)構(gòu)形成所述沉積室。
優(yōu)選的,所述料盤(pán)結(jié)構(gòu)包括自上而下依次設(shè)置的載料盤(pán)和若干墊板,所述載料盤(pán)用于承載爐料,所述載料盤(pán)與所述墊板之間、相鄰的所述墊板之間均設(shè)置有間隙,所述載料盤(pán)上設(shè)置有若干通孔,各所述墊板上開(kāi)設(shè)有若干進(jìn)氣孔,相鄰的所述墊板上的所述進(jìn)氣孔錯(cuò)位設(shè)置,所述通孔、所述進(jìn)氣孔、所述載料盤(pán)與所述墊板之間的間隙及相鄰的所述墊板之間的間隙形成進(jìn)氣通道,所述充氣系統(tǒng)與最下端的所述墊板上的所述進(jìn)氣孔連通。
優(yōu)選的,所述真空感應(yīng)化學(xué)氣相沉積爐還包括進(jìn)出料機(jī)構(gòu),所述料盤(pán)結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述進(jìn)出料機(jī)構(gòu)上,所述進(jìn)出料機(jī)構(gòu)包括底盤(pán)車,所述底盤(pán)車通過(guò)導(dǎo)向塊與豎向設(shè)置的絲杠連接,所述絲杠與電機(jī)傳動(dòng)連接,所述導(dǎo)向塊與所述底盤(pán)車沿水平方向滑動(dòng)連接,所述底盤(pán)車的底部設(shè)置有滾輪,所述滾輪與底架底部的導(dǎo)軌相匹配。
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- 專利分類
C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過(guò)氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過(guò)浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無(wú)機(jī)材料為特征的
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