[發(fā)明專利]陣列基板及其制作方法、顯示面板

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110371090.5
• 申請日: 2021-04-07
• 公開（公告）號: CN113192974B
• 公開（公告）日: 2023-02-28
• 發(fā)明（設計）人: 牛銳
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;C23F1/18;C23F1/02
• 代理公司: 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 遠明

本申請公開了一種陣列基板及其制作方法、顯示面板，陣列基板包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，其中，第二區(qū)域位于第一區(qū)域的兩側(cè)，陣列基板的制作方法包括以下步驟：提供一器件板，器件板至少包括依次層疊設置的第一非金屬層、第二非金屬層和金屬層；利用含有有機酸的銅酸蝕刻液對與第一區(qū)域?qū)慕饘賹雍偷诙墙饘賹舆M行處理，除去與第一區(qū)域?qū)慕饘賹右约俺ヅc第一區(qū)域?qū)牡诙墙饘賹樱沟门c第一區(qū)域?qū)牡谝环墙饘賹颖┞叮焕酶煞ㄎg刻工藝對與第一區(qū)域?qū)牡谝环墙饘賹舆M行處理，以除去與第一區(qū)域?qū)牡谝环墙饘賹拥囊徊糠郑瑢诘谝粎^(qū)域的第一非金屬層和對應于第二區(qū)域的第一非金屬層和第二非金屬層形成半導體層。

技術(shù)領域

本申請涉及顯示技術(shù)領域，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示面板。

背景技術(shù)

隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，顯示面板被廣泛的應用于手機、電視、個人數(shù)字助理、筆記本電腦等各種消費性電子產(chǎn)品中，成為顯示裝置中的主流。為了實現(xiàn)高分辨率顯示，作為顯示面板中的主要驅(qū)動元件，陣列基板的制作方法尤為重要。

為了降低陣列基板的制作成本以及節(jié)省制作時間，陣列基板的制作由原來的5道掩模(Mask)工藝減少至4道掩模工藝。相較于5道掩模工藝，4道掩模工藝在形成源極和漏極時，蝕刻液會對源極和漏極下層的半導體層的溝道區(qū)造成一定的損害，在進行第二道干法蝕刻時，由于等離子體較為集中，導致半導體層的溝道區(qū)存在過蝕刻(Over etch)的現(xiàn)象。

故，有必要提出一種新的技術(shù)方案，以解決上述技術(shù)問題。

發(fā)明內(nèi)容

本申請實施例提供一種陣列基板及其制作方法、顯示面板，用于避免半導體層的溝道區(qū)存在過蝕刻的現(xiàn)象。

本申請實施例提供一種陣列基板的制作方法，所述陣列基板包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，其中，所述第二區(qū)域位于所述第一區(qū)域的兩側(cè)，所述陣列基板的制作方法包括以下步驟：

提供一器件板，所述器件板至少包括依次層疊設置的第一非金屬層、第二非金屬層和金屬層；

利用含有有機酸的銅酸蝕刻液對與所述第一區(qū)域?qū)乃鼋饘賹雍退龅诙墙饘賹舆M行處理，除去與所述第一區(qū)域?qū)乃鼋饘賹右约俺ヅc所述第一區(qū)域?qū)乃龅诙墙饘賹樱沟门c所述第一區(qū)域?qū)乃龅谝环墙饘賹颖┞叮?/p>

利用干法蝕刻工藝對與所述第一區(qū)域?qū)乃龅谝环墙饘賹舆M行處理，以除去與所述第一區(qū)域?qū)乃龅谝环墙饘賹拥囊徊糠郑瑢谒龅谝粎^(qū)域的所述第一非金屬層和對應于所述第二區(qū)域的所述第一非金屬層和所述第二非金屬層形成半導體層。

在本申請實施例提供的陣列基板的制作方法中，所述利用含有有機酸的銅酸蝕刻液對與所述第一區(qū)域?qū)乃鼋饘賹雍退龅诙墙饘賹舆M行處理的步驟之后，還包括：

利用所述含有有機酸的銅酸蝕刻液蝕刻與所述第一區(qū)域?qū)乃龅谝环墙饘賹樱猿ヅc所述第一區(qū)域?qū)乃龅谝环墙饘賹拥囊徊糠帧?/p>

在本申請實施例提供的陣列基板的制作方法中，所述利用干法蝕刻工藝對與所述第一區(qū)域?qū)乃龅谝环墙饘賹舆M行處理，以除去與所述第一區(qū)域?qū)乃龅谝环墙饘賹拥囊徊糠值牟襟E包括：

調(diào)整所述干法蝕刻工藝的制程腔室的制程壓力和蝕刻時間，以除去所述第一區(qū)域?qū)乃龅谝环墙饘賹拥囊徊糠郑渲校鲋瞥虊毫橛?5帕至73帕之間，所述蝕刻時間介于30秒至80秒之間。

在本申請實施例提供的陣列基板的制作方法中，所述提供一器件板的步驟之后，還包括：

在所述金屬層遠離所述第二非金屬層的一面形成光刻膠層；

依次對所述光刻膠層進行曝光處理和顯影處理，以暴露出與所述第一區(qū)域?qū)乃鼋饘賹右约芭c所述第三區(qū)域?qū)乃鼋饘賹樱?/p>

利用蝕刻工藝除去與所述第三區(qū)域?qū)乃鼋饘賹印⑺龅诙墙饘賹右约八龅谝环墙饘賹印?/p>