[發(fā)明專利]陣列基板及其制作方法、顯示面板

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110371090.5
• 申請(qǐng)日: 2021-04-07
• 公開（公告）號(hào): CN113192974B
• 公開（公告）日: 2023-02-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 牛銳
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L21/77;C23F1/18;C23F1/02
• 代理公司: 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 遠(yuǎn)明

1.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，所述陣列基板包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，其中，所述第二區(qū)域位于所述第一區(qū)域的兩側(cè)，所述陣列基板的制作方法包括以下步驟：

提供一器件板，所述器件板至少包括依次層疊設(shè)置的第一非金屬層、第二非金屬層和金屬層；

利用含有有機(jī)酸的銅酸蝕刻液對(duì)與所述第一區(qū)域?qū)?yīng)的所述金屬層和所述第二非金屬層進(jìn)行處理，除去與所述第一區(qū)域?qū)?yīng)的所述金屬層以及除去與所述第一區(qū)域?qū)?yīng)的所述第二非金屬層，使得與所述第一區(qū)域?qū)?yīng)的所述第一非金屬層暴露，所述含有有機(jī)酸的銅酸蝕刻液的pH小于或等于4；

利用干法蝕刻工藝對(duì)與所述第一區(qū)域?qū)?yīng)的所述第一非金屬層進(jìn)行處理，以除去與所述第一區(qū)域?qū)?yīng)的所述第一非金屬層的一部分，對(duì)應(yīng)于所述第一區(qū)域的所述第一非金屬層和對(duì)應(yīng)于所述第二區(qū)域的所述第一非金屬層和所述第二非金屬層形成半導(dǎo)體層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述利用含有有機(jī)酸的銅酸蝕刻液對(duì)與所述第一區(qū)域?qū)?yīng)的所述金屬層和所述第二非金屬層進(jìn)行處理的步驟之后，還包括：

利用所述含有有機(jī)酸的銅酸蝕刻液蝕刻與所述第一區(qū)域?qū)?yīng)的所述第一非金屬層，以除去與所述第一區(qū)域?qū)?yīng)的所述第一非金屬層的一部分。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述利用干法蝕刻工藝對(duì)與所述第一區(qū)域?qū)?yīng)的所述第一非金屬層進(jìn)行處理，以除去與所述第一區(qū)域?qū)?yīng)的所述第一非金屬層的一部分的步驟包括：

調(diào)整所述干法蝕刻工藝的制程腔室的制程壓力和蝕刻時(shí)間，以除去與所述第一區(qū)域?qū)?yīng)的所述第一非金屬層的一部分，其中，所述制程壓力介于65帕至73帕之間，所述蝕刻時(shí)間介于30秒至80秒之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述陣列基板還包括第三區(qū)域，所述第三區(qū)域位于所述第二區(qū)域的外側(cè)，所述提供一器件板的步驟之后，還包括：

在所述金屬層遠(yuǎn)離所述第二非金屬層的一面形成光刻膠層；

依次對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行曝光處理和顯影處理，以暴露出與所述第一區(qū)域?qū)?yīng)的所述金屬層以及與所述第三區(qū)域?qū)?yīng)的所述金屬層；

利用蝕刻工藝除去與所述第三區(qū)域?qū)?yīng)的所述金屬層、所述第二非金屬層以及所述第一非金屬層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述器件板還包括基底，以及依次層疊設(shè)置在所述基底上的柵極和柵極絕緣層，所述利用干法蝕刻工藝對(duì)與所述第一區(qū)域?qū)?yīng)的所述第二非金屬層進(jìn)行處理，以除去與所述第一區(qū)域?qū)?yīng)的所述第二非金屬層的一部分的步驟之后，還包括：

形成層間介質(zhì)層，所述層間介質(zhì)層覆蓋所述柵極絕緣層遠(yuǎn)離所述基底的一面；

形成像素電極，所述像素電極設(shè)置在所述層間介質(zhì)層遠(yuǎn)離所述基底的一面。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述有機(jī)酸為檸檬酸、丁二酸、甲酸和乙酸中的至少一種。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述第一非金屬層的材料為非晶硅材料，所述第二非金屬層的材料為氮元素?fù)诫s的非晶硅材料。

8.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板由權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的陣列基板的制作方法制成。

9.一種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括權(quán)利要求8所述的陣列基板。