[發(fā)明專(zhuān)利]制品、集成電路及其制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110370693.3
• 申請(qǐng)日: 2021-04-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113540033A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-10-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李雙辰;牛迪民;韓偉;王雨豪;鄭宏忠
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 阿里巴巴集團(tuán)控股有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L23/538
• 分類(lèi)號(hào): H01L23/538;H01L25/065;H01L25/18;H01L21/768
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 劉愛(ài)勤;王小東

1.一種制品，所述制品包括：

第一層，所述第一層包括第一器件和第二器件，其中，第一劃線位于所述第一器件與所述第二器件之間并且將所述第一器件與所述第二器件分隔開(kāi)；以及

導(dǎo)電連接部，所述導(dǎo)電連接部橫跨所述第一劃線并且聯(lián)接至所述第一器件和所述第二器件。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制品，其中，所述導(dǎo)電連接部包括片上網(wǎng)絡(luò)NOC互連架構(gòu)層，該NOC互連架構(gòu)層包括聯(lián)接至所述第一器件和所述第二器件的布線。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制品，其中，所述導(dǎo)電連接部包括后道工序BEOL層，該BEOL層包括聯(lián)接至所述第一器件和所述第二器件的布線。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制品，其中，所述導(dǎo)電連接部包括重新分布層RDL，該RDL包括聯(lián)接至所述第一器件和所述第二器件的布線。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制品，所述制品進(jìn)一步包括：

第二層，所述第二層包括第三器件和第四器件，其中，第二劃線位于所述第三器件與所述第四器件之間并且將所述第三器件與所述第四器件分隔開(kāi)，并且其中，所述導(dǎo)電連接部位于所述第一層與所述第二層之間；以及

混合鍵合層，所述混合鍵合層位于所述第一層與所述第二層之間并且聯(lián)接至所述第一層和所述第二層。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制品，其中，所述導(dǎo)電連接部位于所述混合鍵合層與所述第二層之間，并且其中，所述導(dǎo)電連接部包括具有穿過(guò)所述混合鍵合層聯(lián)接至所述第一器件和所述第二器件的布線的層。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制品，所述制品進(jìn)一步包括第三劃線，所述第三劃線位于所述第一器件與所述第二器件之間并且位于所述第一劃線與所述第二器件之間，其中，金屬部分位于所述第一劃線與所述第三劃線之間，并且其中，所述導(dǎo)電連接部包括從所述第一層的第一金屬層穿過(guò)所述混合鍵合層、所述第二層的第一金屬層、所述混合鍵合層、所述金屬部分、所述混合鍵合層、所述第二層的第二金屬層和所述混合鍵合層到所述第一層的第二金屬層的路徑。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制品，其中，所述第一器件包括第一處理元件，所述第二器件包括第二處理元件，所述第三器件包括第一存儲(chǔ)元件，并且所述第四器件包括第二存儲(chǔ)元件。

9.一種集成電路，所述集成電路包括：

第一層，所述第一層包括第一處理元件和第二處理元件，其中，第一劃線位于所述第一處理元件與所述第二處理元件之間并且將所述第一處理元件與所述第二處理元件分隔開(kāi)；

第二層，所述第二層包括第一器件和第二器件，其中，第二劃線位于所述第一器件與所述第二器件之間并且將所述第一器件與所述第二器件分隔開(kāi)；

混合鍵合層，所述混合鍵合層位于所述第一層與所述第二層之間并且聯(lián)接至所述第一層和所述第二層；以及

導(dǎo)電連接部，所述導(dǎo)電連接部橫跨所述第一劃線并且聯(lián)接至所述第一處理元件和所述第二處理元件，其中，所述導(dǎo)電連接部位于所述第一層與所述第二層之間。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的集成電路，其中，所述導(dǎo)電連接部包括片上網(wǎng)絡(luò)NOC互連架構(gòu)層，該NOC互連架構(gòu)層包括聯(lián)接至所述第一處理元件和所述第二處理元件的布線。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的集成電路，其中，所述導(dǎo)電連接部包括后道工序BEOL層，該BEOL層包括聯(lián)接至所述第一處理元件和所述第二處理元件的布線。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的集成電路，其中，所述導(dǎo)電連接部包括重新分布層RDL，該RDL包括聯(lián)接至所述第一處理元件和所述第二處理元件的布線。

13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的集成電路，其中，所述導(dǎo)電連接部位于所述混合鍵合層與所述第二層之間，并且其中，所述導(dǎo)電連接部包括具有穿過(guò)所述混合鍵合層聯(lián)接至所述第一處理元件和所述第二處理元件的布線的層。