[發明專利]一種溫度敏感型多肽封裝的介孔氧化硅智能藥物載體及其制備在審
| 申請號: | 202110368651.6 | 申請日: | 2021-04-06 |
| 公開(公告)號: | CN113117094A | 公開(公告)日: | 2021-07-16 |
| 發明(設計)人: | 徐首紅;徐俊;馬佳奇;宋佳;李高陽;劉洪來 | 申請(專利權)人: | 華東理工大學 |
| 主分類號: | A61K47/42 | 分類號: | A61K47/42;A61K47/04;A61K31/704;A61P35/00 |
| 代理公司: | 上海三和萬國知識產權代理事務所(普通合伙) 31230 | 代理人: | 任艷霞 |
| 地址: | 200237 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 溫度 敏感 多肽 封裝 氧化 智能 藥物 載體 及其 制備 | ||
1.一種溫度敏感型多肽封裝的介孔氧化硅智能藥物載體,由溫度敏感型多肽和介孔氧化硅封裝而成,其特征在于,所述多肽為溫度響應型多肽,其中一端為半胱氨酸殘基,與介孔氧化硅通過二硫鍵相連;所述多肽在相變溫度以上,可以通過二級結構的改變實現藥物擴散,所述二硫鍵可以被還原劑斷裂,使多肽鏈脫離,實現藥物的釋放。
2.如權利要求1所述的溫度敏感型多肽封裝的介孔氧化硅智能藥物載體,其特征在于,所述多肽為溫度敏感型多肽,其序列為C-VAQLEVK-VAQLESK-VSKLESK-VSSLESK-VSKLESK-VSSLESK或C-VAQLEVK-VAQLESK-VSKLESK-VSSLESK;其中V位置和L位置為疏水性氨基酸,其他位置為親水性氨基酸;其二級結構可以隨著溫度升高而改變,其相變溫度范圍為40℃-50℃,所述多肽通過半胱氨酸殘基引入巰基。
3.如權利要求1所述的溫度敏感型多肽封裝的介孔氧化硅智能藥物載體,其中所述載體平臺為介孔氧化硅納米材料,于介孔孔道中裝載藥物。
4.權利要求1所述的溫度敏感型多肽封裝的介孔氧化硅智能藥物載體的制備方法,包括如下步驟:
1)以正硅酸四乙酯為硅源,以十六烷基三甲基溴化銨為模板分子,在堿性條件下,制備得到平均粒徑在150-200nm的介孔二氧化硅納米材料;
2)將步驟1)所得產物分散在干燥的有機溶劑中,加入帶有巰基的硅烷偶聯劑,以將巰基引入到介孔二氧化硅表面;
3)將步驟2)所得產物置于醇類溶液中,去除模板分子;
4)將步驟3)所得產物置于醇類試劑中,加入2,2'-二硫二吡啶,得到表面含有二硫鍵的介孔材料;
5)將步驟4)所得產物置于酸性緩沖溶液中,加入所述多肽,使多肽通過二硫鍵連接到介孔二氧化硅納米材料表面,得到基于溫度敏感多肽的溫度和還原劑響應的載體。
5.如權利要求4所述的溫度敏感型多肽封裝的介孔氧化硅智能藥物載體的制備方法,其反應中所述的帶有巰基的硅烷偶聯劑為(3-巰丙基)-三甲氧基硅烷偶聯劑或(3-巰丙基)-三乙氧基硅烷偶聯劑。
6.如權利要求4所述的溫度敏感型多肽封裝的介孔氧化硅智能藥物載體的制備方法,其中所述有機溶劑為甲醇,乙醇或異丙醇。
7.如權利要求4所述的溫度敏感型多肽封裝的介孔氧化硅智能藥物載體的制備方法,步驟2)所述溫度為25℃~82℃,反應時間為12-24h,所用介孔二氧化硅與巰基硅烷偶聯劑的質量比為1:1-6。
8.如權利要求4所述的溫度敏感型多肽封裝的介孔氧化硅智能藥物載體的制備方法,步驟5)所述緩沖溶液為PBS緩沖溶液和Tris-HCl緩沖溶液,pH范圍為2.0-5.0,反應時間為24h-28h。
9.如權利要求4所述的溫度敏感型多肽封裝的介孔氧化硅智能藥物載體的制備方法,步驟5)所述多肽與介孔材料的質量比為1:2-1:1;藥物與介孔材料的質量比為1:4-1:5,所述藥物為阿霉素或者羅丹明。
10.如權利要求1溫度敏感型多肽封裝的介孔氧化硅智能藥物載體在化工、醫藥等領域的用途。
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