[發(fā)明專利]基于多尺度多光子光刻技術(shù)的微納米三維結(jié)構(gòu)制備系統(tǒng)和方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110368181.3 | 申請(qǐng)日: | 2021-04-06 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113050390A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-06-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 魏鶴鳴;韓龍;徐瑞陽(yáng);吳彰理;龐拂飛;王廷云 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G03F7/20 | 分類號(hào): | G03F7/20 |
| 代理公司: | 杭州求是專利事務(wù)所有限公司 33200 | 代理人: | 鄭海峰 |
| 地址: | 200444*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 尺度 光子 光刻 技術(shù) 納米 三維 結(jié)構(gòu) 制備 系統(tǒng) 方法 | ||
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于多尺度多光子光刻技術(shù)的微納米三維結(jié)構(gòu)制備系統(tǒng)和方法,屬于光學(xué)微納米結(jié)構(gòu)制備技術(shù)領(lǐng)域。系統(tǒng)包括支撐結(jié)構(gòu)、基板、光敏聚合物容器池、物鏡、第一光學(xué)結(jié)構(gòu)、第二光學(xué)結(jié)構(gòu)、光學(xué)成像裝置和控制器;所述的控制器用于控制第一光學(xué)結(jié)構(gòu)、第二光學(xué)結(jié)構(gòu)的啟閉及工作參數(shù),光學(xué)成像裝置用于獲取物鏡的成像信息;所述的第一光學(xué)結(jié)構(gòu)發(fā)射第一波長(zhǎng)的光,通過(guò)物鏡聚焦在光敏聚合物中,引發(fā)單光子聚合;所述的第二光學(xué)結(jié)構(gòu)發(fā)射第二波長(zhǎng)的光,通過(guò)物鏡聚焦在光敏聚合物中,引發(fā)多光子聚合。對(duì)待打印的微納米三維結(jié)構(gòu)的打印數(shù)據(jù)進(jìn)行高、低分辨率分割,逐層打印,在保證打印精度的基礎(chǔ)上提高了打印速度。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于光學(xué)微納米結(jié)構(gòu)制備技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種基于多尺度多光子光刻技術(shù)的微納米三維結(jié)構(gòu)制備系統(tǒng)和方法。
背景技術(shù)
隨著微納光學(xué)的發(fā)展,微納光子器件逐步趨向小型化、結(jié)構(gòu)多樣化以及高度集成化。如何進(jìn)一步提高微納結(jié)構(gòu)的制備一直是一個(gè)難題。
目前呈現(xiàn)出眾多的微納光子器件制備技術(shù),例如基于飛秒激光的雙光子聚合技術(shù)、基于微鏡陣列結(jié)構(gòu)的單光子聚合技術(shù)、電子束光刻技術(shù)以及其他先進(jìn)的制備技術(shù)。其中,電子束光刻技術(shù)具有極高的精度但加工耗時(shí)且成本高;基于微鏡陣列結(jié)構(gòu)的單光子聚合技術(shù),通過(guò)軟件控制實(shí)現(xiàn)層層制備,該方法加工速度快且具有微米級(jí)的精度;基于飛秒激光的雙光子聚合技術(shù)作為近年來(lái)發(fā)展起來(lái)的激光加工技術(shù)之一,可以突破光學(xué)衍射極限實(shí)現(xiàn)亞微米尺度任意復(fù)雜結(jié)構(gòu)的三維加工,具有其他同類技術(shù)無(wú)法比擬的優(yōu)勢(shì)。通過(guò)優(yōu)化控制以及光敏聚合物參數(shù)的改進(jìn),目前飛秒激光多光子聚合用于微納加工已成功實(shí)現(xiàn)了納米尺度的分辨率。然而,其加工尺寸受到一定的限制。若制備毫米級(jí)或厘米級(jí)且具有微納精度的器件時(shí),該技術(shù)加工相當(dāng)耗時(shí),少則數(shù)小時(shí)多則數(shù)天才能完成,這嚴(yán)重制約了系統(tǒng)加工高性能光學(xué)器件的性能。
發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的加工技術(shù)高精度但加工尺寸受限,以及大加工尺寸但精度相對(duì)低下的難題,本發(fā)明提出了一種基于多尺度多光子光刻技術(shù)的微納米三維結(jié)構(gòu)制備系統(tǒng)和方法。本發(fā)明利用了多尺度多光子光刻技術(shù),采用兩個(gè)光學(xué)結(jié)構(gòu),第一光學(xué)結(jié)構(gòu)用來(lái)提供第一個(gè)波長(zhǎng)的光,以在光敏聚合物中引發(fā)單光子聚合過(guò)程;第二個(gè)光學(xué)結(jié)構(gòu)用來(lái)提供第二個(gè)波長(zhǎng)的光,以在光敏聚合物中引發(fā)雙光子聚合過(guò)程。對(duì)待打印的微納米三維結(jié)構(gòu)的打印數(shù)據(jù)進(jìn)行高、低分辨率分割,逐層打印,在保證打印精度的基礎(chǔ)上提高了打印速度。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
本發(fā)明的其中一個(gè)目的在于提供一種基于多尺度多光子光刻技術(shù)的微納米三維結(jié)構(gòu)制備系統(tǒng),包括支撐結(jié)構(gòu)、基板、光敏聚合物容器池、物鏡、第一光學(xué)結(jié)構(gòu)、第二光學(xué)結(jié)構(gòu)、光學(xué)成像裝置和控制器;所述的控制器用于控制第一光學(xué)結(jié)構(gòu)、第二光學(xué)結(jié)構(gòu)的啟閉及工作參數(shù),光學(xué)成像裝置用于獲取物鏡的成像信息;
所述的光敏聚合物容器池固定在支撐結(jié)構(gòu)上,基板通過(guò)多軸工作臺(tái)懸掛在光敏聚合物容器池的正上方,物鏡安裝在光敏聚合物容器池的正下方,能夠?qū)崿F(xiàn)垂直方向上的移動(dòng);所述的第一光學(xué)結(jié)構(gòu)發(fā)射第一波長(zhǎng)的光,通過(guò)物鏡聚焦在光敏聚合物中,引發(fā)單光子聚合;所述的第二光學(xué)結(jié)構(gòu)發(fā)射第二波長(zhǎng)的光,通過(guò)物鏡聚焦在光敏聚合物中,引發(fā)多光子聚合。
本發(fā)明的第二個(gè)目的在于提供一種基于上述系統(tǒng)的微納米三維結(jié)構(gòu)制備方法,包括以下步驟:
1)啟動(dòng)系統(tǒng),在光敏聚合物容器池中灌裝光敏聚合物,通過(guò)多軸工作臺(tái)使得基板沉浸到光敏聚合物容器池中,基板的下底面與光敏聚合物容器池的下底面之間留出待打印空隙;通過(guò)光學(xué)成像裝置實(shí)時(shí)獲取物鏡的成像信息;
2)獲取待打印的微納米三維結(jié)構(gòu)的模型數(shù)據(jù),將模型數(shù)據(jù)中的低分辨率結(jié)構(gòu)特征數(shù)據(jù)放入第一個(gè)數(shù)據(jù)組,將模型數(shù)據(jù)中的高分辨率結(jié)構(gòu)特征數(shù)據(jù)放入第二個(gè)數(shù)據(jù)組;
3)將兩個(gè)數(shù)據(jù)組的三維數(shù)據(jù)按照由底層到頂層的方向進(jìn)行切片,將第一個(gè)數(shù)據(jù)組中的低分辨率結(jié)構(gòu)特征數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為圖像圖案及對(duì)應(yīng)的層值,作為單光子光刻數(shù)據(jù);所述的圖像圖案對(duì)應(yīng)于用于形成低分辨率結(jié)構(gòu)的光圖案;
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于上海大學(xué),未經(jīng)上海大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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G03F7-00 圖紋面,例如,印刷表面的照相制版如光刻工藝;圖紋面照相制版用的材料,如:含光致抗蝕劑的材料;圖紋面照相制版的專用設(shè)備
G03F7-004 .感光材料
G03F7-12 .網(wǎng)屏印刷模或類似印刷模的制作,例如,鏤花模版的制作
G03F7-14 .珂羅版印刷模的制作
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