[發明專利]基于多尺度多光子光刻技術的微納米三維結構制備系統和方法

在審

• 申請號: 202110368181.3
• 申請日: 2021-04-06
• 公開（公告）號: CN113050390A
• 公開（公告）日: 2021-06-29
• 發明（設計）人: 魏鶴鳴;韓龍;徐瑞陽;吳彰理;龐拂飛;王廷云
• 申請（專利權）人: 上海大學
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 杭州求是專利事務所有限公司 33200
• 代理人: 鄭海峰

1.一種基于多尺度多光子光刻技術的微納米三維結構制備系統，其特征在于，包括支撐結構、基板(11)、光敏聚合物容器池(10)、物鏡(9)、第一光學結構、第二光學結構、光學成像裝置和控制器；所述的控制器用于控制第一光學結構、第二光學結構的啟閉及工作參數，光學成像裝置用于獲取物鏡(9)的成像信息；

所述的光敏聚合物容器池(10)固定在支撐結構上，基板(11)通過多軸工作臺(12)懸掛在光敏聚合物容器池(10)的正上方，物鏡(9)安裝在光敏聚合物容器池(10)的正下方，能夠實現垂直方向上的移動；所述的第一光學結構發射第一波長的光，通過物鏡(9)聚焦在光敏聚合物中，引發單光子聚合；所述的第二光學結構發射第二波長的光，通過物鏡(9)聚焦在光敏聚合物中，引發多光子聚合。

2.根據權利要求1所述的基于多尺度多光子光刻技術的微納米三維結構制備系統，其特征在于，所述的光敏聚合物容器池的底部材質為透氧薄膜。

3.根據權利要求2所述的基于多尺度多光子光刻技術的微納米三維結構制備系統，其特征在于，所述的第一光學結構采用數字微鏡裝置(6)產生圖案光，所述的第二光學結構通過飛秒激光器(8)產生雙光子光。

4.根據權利要求1所述的基于多尺度多光子光刻技術的微納米三維結構制備系統，其特征在于，所述的光學成像裝置包括可見光源(1)、光電探測器(5)和分束器(2)；由可見光源(1)發出的可見光束經分束器(2)后入射到物鏡(9)中，通過物鏡(9)照射到光敏聚合物容器池(10)內，返回的光經過分束器(2)后被反射至光電探測器(5)中成像。

5.根據權利要求1所述的基于多尺度多光子光刻技術的微納米三維結構制備系統，其特征在于，在第一光學結構、第二光學結構和物鏡(9)之間的光路上還設有第一二向色鏡(3)、第二二向色鏡(4)和二維振鏡(7)；由第一光學結構發射的第一波長的光依次經過第一二向色鏡(3)、第二二向色鏡(4)后入射至物鏡(9)中，由第二光學結構發射的第二波長的光依次經過二維振鏡(7)、第二二向色鏡(4)后入射至物鏡(9)中。

6.根據權利要求1所述的基于多尺度多光子光刻技術的微納米三維結構制備系統，其特征在于，所述的多軸工作臺(12)由三軸位移臺和角度旋轉臺構成。