[發(fā)明專利]一種線路板蝕刻方法及蝕刻劑在審
申請?zhí)枺?/td> | 202110368068.5 | 申請日: | 2021-04-06 |
公開(公告)號: | CN113113323A | 公開(公告)日: | 2021-07-13 |
發(fā)明(設計)人: | 馬庫斯·郎 | 申請(專利權)人: | 鑫巨(深圳)半導體科技有限公司 |
主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H05K3/06;C23F1/02;C23F1/18 |
代理公司: | 深圳市精英專利事務所 44242 | 代理人: | 武志峰 |
地址: | 518000 廣東省深圳市前海深港合作區(qū)前*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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摘要: | |||
搜索關鍵詞: | 一種 線路板 蝕刻 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種線路板蝕刻方法及蝕刻劑,該蝕刻方法包括:獲取待進行蝕刻的線路板;利用預先配置的蝕刻劑對所述線路板進行蝕刻,其中,所述蝕刻劑包括基礎蝕刻劑和具有耐酸性的添加劑,所述添加劑的質量濃度為0.001%~1%。本發(fā)明通過添加有耐酸性的添加劑的蝕刻劑對線路板進行蝕刻,可以在不損壞線路板的前提下提高蝕刻精度。
技術領域
本發(fā)明涉及線路板制造技術領域,特別涉及一種線路板蝕刻方法及蝕刻劑。
背景技術
當前,在高密度集成電路板和集成電路載板的核心制造中,通過不斷增加的圖形密度來實現(xiàn)更高的要求標準。而增加圖形密度則對工藝和技術提出了更高的要求。現(xiàn)有的蝕刻過程是由游離鹽酸、氯化銅、氧化劑和水組成的溶液。該工藝廣泛用于水平面板加工,但也限于垂直設備。
此外,在化學方面,通過微調參數來減少對印刷電路板設計圖案側壁的蝕刻。蝕刻添加劑已被開發(fā)用于在銅圖案的側壁上沉積保護層以減少其蝕刻。
當前的蝕刻液只能向下蝕刻銅,直到達到絕緣體,并且在沒有銅情況下不會對側面進行任何蝕刻。由于沉積保護層也會沉積在需要蝕刻的銅上,因此沉積保護層的添加劑(也稱為抑制劑)的性能有限。并且還可能會導致絕緣體上蝕刻圖案底部殘留銅,從而導致痕跡之間短路和電路板損壞。
發(fā)明內容
本發(fā)明實施例提供了一種線路板蝕刻方法及蝕刻劑,旨在提高對于線路板的蝕刻精度。
本發(fā)明實施例提供了一種線路板蝕刻方法,包括:
獲取待進行蝕刻的線路板;
利用預先配置的蝕刻劑對所述線路板進行蝕刻,其中,所述蝕刻劑包括基礎蝕刻劑和具有耐酸性的添加劑,所述添加劑的質量濃度為0.001%~1%。
進一步的,所述添加劑為磺基琥鉑酸鹽添加劑。
進一步的,所述磺基琥鉑酸鹽添加劑為磺基琥鉑酸脂添加劑。
進一步的,所述基礎蝕刻劑為酸性蝕刻劑。
進一步的,所述基礎蝕刻劑的pH值為0~6。
進一步的,所述利用預先配置的蝕刻劑對所述線路板進行蝕刻,包括:
利用預先配置的蝕刻劑對所述線路板進行噴淋蝕刻。
進一步的,所述利用預先配置的蝕刻劑對所述線路板進行蝕刻,還包括:
將所述蝕刻劑的蝕刻速率設置為0.1μm/s~1μm/s。
進一步的,所述利用預先配置的蝕刻劑對所述線路板進行蝕刻,還包括:
將蝕刻溫度設置為30℃~60℃。
進一步的,所述蝕刻方法的蝕刻密度為100g/l銅~250g/l銅。
本發(fā)明實施例還提供了一種蝕刻劑,適用于如上任一項所述的線路板蝕刻方法,所述蝕刻劑包括基礎蝕刻劑和具有耐酸性的添加劑,所述添加劑的質量濃度為0.001%~1%。
本發(fā)明實施例提供了一種線路板蝕刻方法及蝕刻劑,該蝕刻方法包括:獲取待進行蝕刻的線路板;利用預先配置的蝕刻劑對所述線路板進行蝕刻,其中,所述蝕刻劑包括基礎蝕刻劑和具有耐酸性的添加劑,所述添加劑的質量濃度為0.001%~1%。本發(fā)明實施例通過添加有耐酸性的添加劑的蝕刻劑對線路板進行蝕刻,可以在不損壞線路板的前提下提高蝕刻精度。
附圖說明
為了更清楚地說明本發(fā)明實施例技術方案,下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造